公开(公告)号：CN104051477A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310362353.1

申请日：2013-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴志和 ,  江柏融 ,  苏柏菖 ,  陈启峰 ,  林荣义

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种用于在图像传感器的像素中围绕光电二极管的区域阻挡光的系统和方法。在实施例中，第一光学阻挡层形成在第一粘合层上并且第二粘合层形成在第一光学阻挡层上。重复一次或更多次第一光学阻挡层和第二粘合层的形成以形成多个光学阻挡层和多个粘合层。这样，如果在进一步处理期间，光学阻挡层中的空隙开口，则另一光学阻挡层阻挡可能穿过空隙的任何光。本发明还公开了图像传感器件及方法。

公开(公告)号：CN221201182U

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202322728418.1

申请日：2023-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄世民 ,  王子睿 ,  简弘昌 ,  王铨中 ,  林荣义 ,  黄冠杰 ,  许慈轩

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L23/48

Abstract: 本实用新型提供了具有无掺杂连接的结构及制造方法。示例性的结构包括：基底；形成在基底中且具有第一导电类型的第一区；位于基底之上的上覆层；形成在上覆层中且具有第二导电类型的井区；横向相邻于井区且延伸穿过上覆层而与第一区电接触的导电插塞；以及位于导电插塞与井区之间的钝化层。