公开(公告)号：CN108231687A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710985652.9

申请日：2017-10-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗吉 ,  谢东衡 ,  杨宝如 ,  范家声

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明的实施例提供了金属栅极结构和相关方法，该方法包括在衬底上形成第一鳍和第二鳍。在各个实施例中，第一鳍具有第一栅极区域并且第二鳍具有第二栅极区域。例如，在第一栅极区域和第二栅极区域上方形成金属栅极线。在一些实施例中，金属栅极线从第一鳍延伸至第二鳍，并且金属栅极线包括牺牲金属部分。在各个实例中，实施线切割工艺以将金属栅极线分隔成第一金属栅极线和第二金属栅极线。在一些实施例中，牺牲金属部分防止线切割工艺期间的介电层的横向蚀刻。

公开(公告)号：CN101673740A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910151005.3

申请日：2009-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  郑光茗 ,  叶炅翰 ,  梁孟松 ,  李后儒 ,  吴明园 ,  李宗吉

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8248 ,  H01L21/28 ,  H01L21/71

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括半导体基底具有第一区和第二区，晶体管形成于第一区内且具有金属栅极，隔绝结构形成第二区内，至少一结元件邻近第二区的隔绝结构设置，以及阻挡结构形成于第二区的隔绝结构之上。本发明可以有效地降低前段工艺的复杂度以及前段工艺的缺陷数。此外，可改善P沟道场效应晶体管的迁移率至增加27％。本发明包含研磨阻挡结构以避免或降低化学机械研磨工艺过度研磨的风险，以及避免或降低平面有源区受到损害。