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公开(公告)号：CN101308704A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200710170354.0
申请日：2007-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C17/16
CPC classification number: G11C17/18
Abstract: 本发明涉及一种熔丝电路，包含至少一个电熔丝元件，具有在一电迁移模式中被施以应力后改变的一电阻位准；一切换装置，串联地耦合一预定路径中的该电熔丝元件，该预定路径位于一熔丝程序化电源(VDDQ)与一低电压电源(GND)之间，以在一程序化操作期间内选择性地允许一程序化电流通过该电熔丝元件；以及至少一个外围电路耦合至该VDDQ，其中该外围电路为主动性，且在一熔丝程序化操作期间内吸引来自该VDDQ的电流。
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公开(公告)号：CN100419916C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200610058667.2
申请日：2006-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 庄建祥
CPC classification number: G11C29/816 , G11C17/14 , G11C17/16 , G11C29/846 , H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种有多余备份功能的电保险丝单元及其多余备份的方法。该有多余备份功能的电保险丝单元包含：一第一组电保险丝，其包含至少一电保险丝；以及一第二组电保险丝有至少一电保险丝，提供多余备份给第一组电保险丝的至少一电保险丝，其中如果第一组电保险丝的一电保险丝是有缺陷的，第二组电保险丝中至少一电保险丝能被规划提供有缺陷保险丝的一多余备份功能。本发明通过为电保险丝设置多余备份，使高密度的电保险丝阵列可能改善生产良率。多余备份的电保险丝能和原本的电保险丝的并联建立以修理引起错误位的任何的有缺陷的电保险丝。
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公开(公告)号：CN101241923A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710127069.0
申请日：2007-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14625 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器半导体器件。此半导体器件包括传感组件，置于半导体基板内；层间介电材料(ILD)，置于半导体基板上；以及沟槽，置于ILD内，覆盖并包围传感组件，且填充有第一介电材料。
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公开(公告)号：CN101226938A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810004006.0
申请日：2008-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 庄建祥
IPC: H01L27/04 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L27/088
Abstract: 本发明公开一种减缓阱区邻近效应的半导体器件，该半导体器件包括：一基板上之一阱；及一晶体管，具有有源区及栅级长度小于或等于0.13μm的栅极；其中，该栅极完全在该阱内或在该阱之外延伸，并且该有源区的边缘与该阱的边缘之间的最小间距至少是该栅级长度的3倍。
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公开(公告)号：CN101145583A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200610167336.2
申请日：2006-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11531 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 本发明揭示一种分离式栅极存储单元与半导体装置及其形成方法。第一阱区及第二阱区，其分别具有第一导电型及第二导电型且形成于一基底中。一浮置栅极，设置于第一阱区及第二阱区的接面上方并与基底绝缘。一控制栅极，设置于浮置栅极的侧壁并局部延伸至其上表面，且控制栅极与基底及浮置栅极绝缘。一具有第一导电型的掺杂区形成于第二阱区中，而第一阱区与掺杂区是分别作为分离式栅极存储单元的源极与漏极。本发明所述的分离式栅极存储单元与半导体装置及其形成方法，在分离式栅极存储单元制造中额外增加的光刻步骤得以减少，以达到节省制造成本的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100368814C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200510068339.6
申请日：2005-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R27/02
CPC classification number: H01L27/0262 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L29/7436
Abstract: 本发明提供一种监测电熔丝电阻的系统。该监测电熔丝电阻的系统包括至少一非刷新型感测放大器。该监测电熔丝电阻的系统亦包括至少一熔丝模块，其包括至少一熔丝单元，而该熔丝单元耦接至该感测放大器的第一端点。该监测电熔丝电阻的系统尚包括参考电阻，耦接至该感测放大器的第二端点。其中系统对于介于该熔丝模块与该感测放大器间的电压源节点进行监测以得到该熔丝单元的电阻值。本发明所述的监测电熔丝电阻的系统，不需额外的测试电路。感测放大器可比较选取的电熔丝与参考电阻的电阻值。借着选取特定的选择元件，可于大型熔丝矩阵找出特定的电熔丝，因而可以运用单一感测放大器监测大量的电熔丝。
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公开(公告)号：CN101859599B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201010142475.6
申请日：2010-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/16 , G11C8/08 , G11C11/1657 , G11C11/1659
Abstract: 一种使用字线过度驱动和高k金属栅极提升磁性隧道结的编程电流的方法，包括：设置MRAM单元，其包括磁性隧道结(MTJ)器件；以及选择器，包括串联至MTJ器件的源极‑漏极路径。该方法还包括向选择器的栅极施加过度驱动电压以导通选择器。
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公开(公告)号：CN102130683B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010192799.0
申请日：2010-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 庄建祥
CPC classification number: H03L7/099 , H03B5/1852
Abstract: 本发明公开了一种n相位电压控制振荡器、整数n注入锁定分频器及电路结构，其中该电路结构用于n相位电压控制振荡器或注入锁定分频器，其中包括一环状传输线结构，以n条传输延迟线段借n个连接点连接成环状，其中n为大于或等于3的整数。每一传输延迟线段提供1/n波长的信号延迟于相邻的两个连接点间，且该环状传输线结构耦接一第一电源端点。每一连接点连接对应的晶体管的一第一源极/漏极端点。晶体管还包括一第二源极/漏极端点耦接一第二电源端点，且包括栅极端点。上述栅极端点所耦接的信号与其所属晶体管的第一源极/漏极端点上的信号具有1/2波长的相位差。本发明的电路结构可轻易变形，实现任何相位数量VCO或分频器。
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公开(公告)号：CN101635169B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910126307.5
申请日：2009-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C11/412
Abstract: 本发明提出了静态随机存取存储器(SRAM)单元，其包括耦合在正电源电压和电源地之间且具有至少第一存储节点的交叉耦合的反相锁存器；和串行连接在所述第一存储节点和预设的电压源之间的第一和第二切换器件，其中所述第一切换器件由字选择信号控制，和所述第二切换器件由第一位选择信号控制，其中所述字选择信号或所述第一位选择信号均仅在写操作时被激活。
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公开(公告)号：CN102403303A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110304537.3
申请日：2007-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L23/5223 , H01L27/0207 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种片上系统半导体电路，包括：一逻辑电路，该逻辑电路具有至少一带有一薄栅极介电材料的第一晶体管；至少一连接该逻辑电路的动态随机存取存储器单元，该至少一动态随机存取存储器单元具有至少一存储电容和至少一厚栅极介电材料的存取晶体管；及，一与该逻辑电路和该存储器单元一起操作的模拟电路，该模拟电路具有至少一厚栅极介电材料的开关晶体管和至少一开关电容；其中，该存储器单元的存储电容和开关晶体管是同一类型；并且其中，该厚栅极介电材料开关晶体管和该模拟电路的开关电容用制造该动态随机存取存储器单元的工艺制造。
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