公开(公告)号：CN113284951A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110137733.X

申请日：2021-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚茜甯 ,  杨柏峰 ,  杨世海 ,  程冠伦 ,  王志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本文公开了表现出减小的寄生电容和因此改善的性能的鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET具有集成至它们的栅极结构中的栅极空气间隔件。示例性晶体管包括：鳍；以及栅极结构，设置在第一外延源极/漏极部件和第二外延源极/漏极部件之间的鳍上方。栅极结构包括栅电极、栅极电介质以及设置在栅极电介质和栅电极的侧壁之间的栅极空气间隔件。本申请的实施例还涉及晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN118522754A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410498909.8

申请日：2024-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈仕承 ,  张荣宏 ,  姚茜甯 ,  庄宗翰 ,  江国诚

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 器件包括：半导体沟道的堆叠件；栅极结构，包裹半导体沟道；源极/漏极区域，邻接半导体沟道；源极/漏极接触件，位于源极/漏极区域上；以及栅极间隔件，位于源极/漏极接触件和栅极结构之间。栅极间隔件包括：第一间隔件层，与栅极结构接触；以及第二间隔件层，位于第一间隔件层和源极/漏极接触件之间，第二间隔件层具有位于堆叠件上的第一部分和位于第一部分上的第二部分，第二部分薄于第一部分。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN113284951B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202110137733.X

申请日：2021-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚茜甯 ,  杨柏峰 ,  杨世海 ,  程冠伦 ,  王志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本文公开了表现出减小的寄生电容和因此改善的性能的鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET具有集成至它们的栅极结构中的栅极空气间隔件。示例性晶体管包括：鳍；以及栅极结构，设置在第一外延源极/漏极部件和第二外延源极/漏极部件之间的鳍上方。栅极结构包括栅电极、栅极电介质以及设置在栅极电介质和栅电极的侧壁之间的栅极空气间隔件。本申请的实施例还涉及晶体管及其形成方法。

公开(公告)号：CN115881770A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210989882.3

申请日：2022-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄宗翰 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  张荣宏 ,  姚茜甯 ,  庄凯麟 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构包括邻近第一纳米结构形成的第一底层，以及形成在第一底层上方的第一绝缘层。半导体器件结构包括形成在第一绝缘层上方的第一源极/漏极(S/D)结构，并且第一绝缘层与第一纳米结构中的一个直接接触。本申请的实施例还涉及半导体器件结构。

公开(公告)号：CN115566044A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210938017.6

申请日：2022-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张荣宏 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  姚茜甯 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置结构，包含多个半导体层，并具有第一组半导体层、设置于第一组半导体层上且与之对准的第二组半导体层、设置于第二组半导体层上且与之对准的第三组半导体层。所述结构还包含第一源极/漏极外延部件，其与第一组半导体层的第一数量的半导体层接触，以及第二源极/漏极外延部件，其与第三组半导体层的第二数量的半导体层接触。所述第一组半导体层的第一数量的半导体层与第三组半导体层的第二数量的半导体层不同。

公开(公告)号：CN114512442A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210001471.9

申请日：2022-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志昌 ,  陈仕承 ,  张荣宏 ,  姚茜甯 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本公开的半导体装置包括第一通道构件的堆叠、直接设置在第一通道构件的堆叠上方的第二通道构件的堆叠、与前述第一通道构件的堆叠接触的一底部源极/漏极部件、设置在底部源极/漏极部件上方的一分隔层(separation layer)、与第二通道构件的堆叠接触并设置在分隔层上方的一顶部源极/漏极部件、以及延伸穿过顶部源极/漏极部件和分隔层而电性耦接至底部源极/漏极部件的一前侧接触件。

公开(公告)号：CN113809094A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110799947.3

申请日：2021-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨世海 ,  徐志安 ,  姚茜甯

IPC: H01L27/1159

Abstract: 提供半导体装置结构。半导体装置结构包含基底、在基底上方的第一鳍片结构以及在基底的第一区域上方的铁电场效晶体管(FeFET)装置。铁电场效晶体管包含跨过第一鳍片结构的第一栅极堆叠。半导体装置结构还包含在第一栅极堆叠旁的多个第一栅极间隔层以及在第一栅极堆叠上方的铁电层。铁电层的至少一部分位于第一栅极间隔层的上部之间并与第一栅极堆叠相邻。

公开(公告)号：CN116895697A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310744230.8

申请日：2023-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄宗翰 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  张荣宏 ,  姚茜甯 ,  庄凯麟 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08

Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：第一纳米结构；接触第一纳米结构的第一伪区域的第一未掺杂的半导体层；位于第一未掺杂的半导体层上的第一间隔件；位于第一间隔件上的第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域接触第一纳米结构的第一沟道区域；以及环绕第一纳米结构的第一沟道区域和第一伪区域的第一栅极结构。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN115881767A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210714199.9

申请日：2022-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈仕承 ,  林志昌 ,  张荣宏 ,  姚茜甯 ,  庄宗翰 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构还包括相邻于第一纳米结构形成的第一底部层，以及在第一底部层上方形成的第一介电层。半导体器件结构还包括形成在第一介电层上方的第一源极/漏极(S/D)结构，并且第一S/D结构通过第一介电层与第一底部层隔离。

公开(公告)号：CN115763519A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210657449.X

申请日：2022-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈仕承 ,  林志昌 ,  张荣宏 ,  姚茜甯 ,  庄宗翰 ,  江国诚

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的底部隔离部件。半导体结构还包括形成在底部隔离部件上方的底部半导体层和形成在底部半导体层上方的纳米结构。半导体结构还包括连接到纳米结构并且覆盖底部隔离部件的部分的源极/漏极结构。