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公开(公告)号：CN113471195A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110105472.3
申请日：2021-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06
Abstract: 一种集成电路元件包括晶体管，此晶体管包括在第一及第二主动区域之间的栅极结构、上覆于第一主动区域的第一S/D金属部分，及上覆于第二主动区域的第二S/D金属部分。包括第三S/D金属部分的负载电阻器定位在介电层上且在与第一及第二S/D金属部分相同的层中。第一介层孔上覆于第一S/D金属部分，第二及第三介层孔上覆于第三S/D金属部分，且第一导电结构用以将第一介层孔电连接至第二介层孔。
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公开(公告)号：CN112597556A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010915342.1
申请日：2020-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/10 , G06F30/373 , G06F30/392 , G06K9/62 , G06N20/00
Abstract: 本文揭露用于开发单元设计的系统、方法和装置。一种计算机实施方法亦在此揭露。多个电单元的操作被模拟以收集多个电性参数。使用多个电性参数训练机器学习模型。受训的机器学习模型接收具有单元布局设计限制的数据。受训的机器学习模型基于多个电性参数决定用于被接收的数据的单元布局。单元布局被提供用于单元布局设计限制内的电性能的进一步特征化。
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公开(公告)号：CN101577550B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910136623.0
申请日：2009-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种将具有预定位数的数字信号转换为对应的模拟信号的数模转换器，所述数模转换器包括：具有第一控制信号的第一电流源元件，所述第一控制信号对所述第一电流源元件提供的传导电流进行控制；以及具有第二控制信号的第二电流源元件，所述第二控制信号对所述第二电流源元件提供的传导电流进行控制，其中所述第一控制信号和所述第二控制信号在所述数模转换器的操作过程中具有不同的电压。
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公开(公告)号：CN101753144A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910146981.X
申请日：2009-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03M1/66
CPC classification number: H03M1/0651 , H03M1/0648 , H03M1/682 , H03M1/687 , H03M1/747
Abstract: 一种用于将数字信号转换为模拟信号的数模转换器(DAC)，包括第一温度计解码器和第二温度计解码器。所述第一温度计解码器配置为解码所述数字信号的最高有效位(MSB)以生成第一温度计码。所述第二温度计解码器配置为解码所述数字信号的中间位以生成第二温度计码。所述DAC进一步包括多个宏单元，每个宏单元由所述第一温度计码的一个位所控制。所述多个宏单元配置为根据所述第一温度计码提供第一模拟信号。所述DAC进一步包括被配置为根据所述第二温度计码提供第二模拟信号的一个宏单元，所述宏单元进一步配置为根据所述数字信号的最低有效位(LSB)提供第三模拟信号。
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公开(公告)号：CN119272699A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411144364.7
申请日：2024-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/394
Abstract: 本发明提供一种与模拟ECO流程相结合的集成电路的设计方法。一种实例性方法包括接收初始设计以及实行自动标记过程。自动标记过程包括：实行第一自动标记过程以利用对应于第一多个工程变更命令(ECO)胞元的第一计算机辅助设计(CAD)层环绕设计的第一多个有效胞元；实行增强型自动标记过程以利用对应于第二多个ECO胞元的第二CAD层覆盖设计的不规则形状；以及实行第二自动标记过程以利用对应于第三多个ECO胞元的第三CAD层来填充设计的空区域。所述方法更包括利用第一多个ECO胞元、第二多个ECO胞元及第三多个ECO胞元来填充设计。
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公开(公告)号：CN114781313A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110800550.1
申请日：2021-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392
Abstract: 一种制造模拟集成电路的方法及系统、产生布局的方法，揭示了用于自动地产生模拟集成电路的非最终布局的多个子单元的各种技术。接收模拟集成电路的多个元件规格及分割信息。基于多个元件规格及分割信息，来决定在模拟集成电路的非最终布局中沿着第一方向待产生的第一切口集合的多个第一切割位置及在非最终布局中沿着第二方向待产生的第二切口集合的多个第二切割位置。在切割位置处在非最终布局中产生第一切口集合以产生临时布局。在切割位置处在临时布局中产生第二切口集合以产生多个子单元。
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公开(公告)号：CN110970428A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910924583.X
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088
Abstract: 集成电路包括主动区，此主动区具有接合第一侧部分及第二侧部分的中心部分。具有在中心部分中的第一通道区域之一上方形成的栅极的第一晶体管具有第一阈值电压。具有在中心部分中的第二通道区域之一上方形成的栅极的第二晶体管具有第二阈值电压。具有在第一侧部分中的第三通道区域之一上方形成的栅极的第三晶体管具有第三阈值电压。具有在第二侧部分中的第四通道区域之一上方形成的栅极的第四晶体管具有第四阈值电压。第一阈值电压及第二阈值电压的第一平均值比第三阈值电压及第四阈值电压的第二平均值大预定阈值电压偏移。
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公开(公告)号：CN105024700A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510427043.2
申请日：2009-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03M1/66
CPC classification number: H03M1/0651 , H03M1/0648 , H03M1/682 , H03M1/687 , H03M1/747
Abstract: 一种用于将数字信号转换为模拟信号的数模转换器(DAC)，包括第一温度计解码器和第二温度计解码器。所述第一温度计解码器配置为解码所述数字信号的最高有效位(MSB)以生成第一温度计码。所述第二温度计解码器配置为解码所述数字信号的中间位以生成第二温度计码。所述DAC进一步包括多个宏单元，每个宏单元由所述第一温度计码的一个位所控制。所述多个宏单元配置为根据所述第一温度计码提供第一模拟信号。所述DAC进一步包括被配置为根据所述第二温度计码提供第二模拟信号的一个宏单元，所述宏单元进一步配置为根据所述数字信号的最低有效位(LSB)提供第三模拟信号。
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公开(公告)号：CN112687560B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202010115346.1
申请日：2020-02-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种监控半导体元件温度的装置包括多个有源区域结构。一或多个有源元件包括多个有源区域结构的各部分。金属层形成在该多个有源区域结构上，并且通过一或多个虚拟栅极层与该一或多个有源元件分开。该金属层用以量测由于该金属层中的电阻变化而导致的所述多个有源区域结构的温度。
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公开(公告)号：CN112687560A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010115346.1
申请日：2020-02-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种监控半导体元件温度的装置包括多个有源区域结构。一或多个有源元件包括多个有源区域结构的各部分。金属层形成在该多个有源区域结构上，并且通过一或多个虚拟栅极层与该一或多个有源元件分开。该金属层用以量测由于该金属层中的电阻变化而导致的所述多个有源区域结构的温度。
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