公开(公告)号：CN110783294A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910527925.4

申请日：2019-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢贯中 ,  苏安治 ,  叶德强 ,  黄立贤 ,  林岳霆 ,  叶名世

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括封装结构、第一管芯、第一围阻结构、预填充层及多个导电端子。封装结构包括附接区、位于附接区周围的排除区。第一管芯设置在附接区中的封装结构上且电连接到封装结构。第一围阻结构设置在封装结构的排除区内且环绕第一管芯。预填充层设置在封装结构与第一管芯之间且设置在第一围阻结构与第一管芯之间，其中预填充层被限制在第一围阻结构内。导电端子设置在封装结构上，分布在封装结构的排除区周围且电连接到封装结构。

公开(公告)号：CN101533838A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200810192971.5

申请日：2008-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家龙 ,  叶名世 ,  陈家逸 ,  鲁定中

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种结合气隙和金属－氧化物－金属(MOM)电容器的集成电路结构被揭示。集成电路结构包括：半导体衬底；覆盖在半导体衬底之上的第一金属化层；在第一金属化层中的第一金属结构；覆盖在第一金属化层之上的第二金属化层；在第二金属化层中的第二金属结构，其中，第一和第二金属结构为非电容器结构；MOM电容器，它在第一和第二金属化层中的至少一个中具有一个区域；和，在第一金属化层中的、在第一金属结构之间的一个气隙。

公开(公告)号：CN112447642A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010572452.2

申请日：2020-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  苏安治 ,  黄立贤 ,  杨天中 ,  叶名世

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包含半导体管芯及横向地覆盖半导体管芯的绝缘密封体。半导体管芯包含半导体衬底、分布在半导体衬底上方的多个导电衬垫、设置于导电衬垫上且电连接到导电衬垫的多个导通孔，以及设置于半导体衬底上方且使导通孔彼此间隔开的介电层。介电层的侧壁沿着导通孔的侧壁延伸，导通孔从介电层的顶表面凹陷且介电层的倾斜表面连接到介电层的顶表面及介电层的侧壁。

公开(公告)号：CN111128904A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910381673.9

申请日：2019-05-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  苏安治 ,  叶德强 ,  曾华伟 ,  黄立贤 ,  叶名世

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/535 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明实施例提供一种封装结构、一种管芯及其形成方法。封装结构包括管芯、包封体、重布线层结构以及导电端子。管芯具有连接件。连接件包括晶种层以及位于晶种层上的导电柱。晶种层延伸超出导电柱的侧壁。包封体位于管芯侧边且包封管芯的侧壁。重布线层结构电连接到管芯。导电端子经由重布线层结构电连接到管芯。

公开(公告)号：CN109860136A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810707996.8

申请日：2018-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄立贤 ,  林岳霆 ,  苏安治 ,  叶名世 ,  叶德强

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/50 ,  H01L21/54 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 方法包括将第一管芯和第二管芯附接至载体；在第一管芯和第二管芯之间形成模塑料；以及在第一管芯、第二管芯和模塑料上方形成再分布结构，再分布结构包括第一再分布区域；第二再分布区域；以及位于第一再分布区域和第二再分布区域之间的切割区域。该方法还包括在切割区域中形成第一开口和第二开口，第一开口和第二开口延伸穿过再分布结构并且暴露模塑料；以及从模塑料的第二侧朝向模塑料的第一侧通过切割穿过模塑料的与切割区域对准的部分来分离第一管芯和第二管芯，第二侧与第一侧相对。本发明实施例涉及集成扇出封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN109727951A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810026326.X

申请日：2018-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  苏安治 ,  吴集锡 ,  叶德强 ,  黄立贤 ,  蔡柏豪 ,  叶名世 ,  刘大伟

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明实施例提供一种封装结构及其制造方法。所述封装结构包括第一封装、第二封装及多个焊料接头。所述第一封装包括：至少一个第一半导体管芯，包封在绝缘包封体中；以及多个绝缘体穿孔，电连接到所述至少一个第一半导体管芯。所述第二封装包括：至少一个第二半导体管芯；以及多个导电接垫，电连接到所述至少一个第二半导体管芯。所述多个焊料接头位于所述第一封装与所述第二封装之间。所述多个绝缘体穿孔包封在所述绝缘包封体中。所述第一封装与所述第二封装通过所述多个焊料接头进行电连接。沿水平方向测量的所述多个焊料接头的最大尺寸大于沿水平方向测量的所述多个绝缘体穿孔的最大尺寸，且大于或实质上等于沿所述水平方向测量的所述多个导电接垫的最大尺寸。

公开(公告)号：CN108364925A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201710952725.4

申请日：2017-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  吴集锡 ,  叶德强 ,  郭宏瑞 ,  林俊成 ,  叶名世

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 一种封装及其制造方法。封装的制造方法包括：形成延伸到介电层的开口中的金属层，以接触第一金属垫及第二金属垫；以及将组件装置的底部端子接合到所述金属层。所述金属层具有直接位于所述组件装置之下且接合到所述组件装置的第一部分。在所述金属层上形成凸起通孔，且所述金属层具有直接位于所述凸起通孔之下的第二部分。刻蚀所述金属层，以将所述金属层的所述第一部分与所述第二部分彼此分离。所述方法进一步包括：以介电层涂布所述凸起通孔及所述组件装置；显露出所述凸起通孔及所述组件装置的顶部端子；以及形成将所述凸起通孔连接到所述顶部端子的重布线。

公开(公告)号：CN100444329C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200510112678.X

申请日：2005-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶名世 ,  蔡明兴 ,  眭晓林 ,  余振华

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76808 ,  Y10S438/978

Abstract: 本发明提供一种镶嵌结构与其形成方法，所述镶嵌结构的形成方法，基底具有形成于第一绝缘层中的导电层，护层形成于导电层上，蚀刻停止层形成于护层与第一绝缘层上，第二绝缘层于蚀刻停止层上，第一图案化光致抗蚀剂层形成于第二绝缘层上，且第一图案化光致抗蚀剂层具有第一图案，第一图案蚀刻至第二绝缘层与蚀刻停止层中，以形成第一开口，以介层插塞填充至少部分第一开口，抗反射涂布层形成于第二绝缘层上，第二图案化光致抗蚀剂层形成于抗反射涂布层上，且第二图案化光致抗蚀剂层具有第二图案，第二图案蚀刻至部分介层插塞、第二绝缘层与抗反射涂布层中，以形成第二开口，其中该第一与第二开口的交接处形成一大体上逐渐变窄的侧壁。

公开(公告)号：CN1828845A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200510112678.X

申请日：2005-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶名世 ,  蔡明兴 ,  眭晓林 ,  余振华

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76808 ,  Y10S438/978

Abstract: 本发明提供一种镶嵌结构与其形成方法，所述镶嵌结构的形成方法，基底具有形成于第一绝缘层中的导电层，护层形成于导电层上，蚀刻停止层形成于护层与第一绝缘层上，第二绝缘层于蚀刻停止层上，第一图案化光致抗蚀剂层形成于第二绝缘层上，且第一图案化光致抗蚀剂层具有第一图案，第一图案蚀刻至第二绝缘层与蚀刻停止层中，以形成第一开口，以介层插塞填充至少部分第一开口，抗反射涂布层形成于第二绝缘层上，第二图案化光致抗蚀剂层形成于抗反射涂布层上，且第二图案化光致抗蚀剂层具有第二图案，第二图案蚀刻至部分介层插塞、第二绝缘层与抗反射涂布层中，以形成第二开口，其中该第一与第二开口的交接处形成一大体上逐渐变窄的侧壁。

公开(公告)号：CN110660751B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN201910293383.9

申请日：2019-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈冠宇 ,  苏安治 ,  叶德强 ,  黄立贤 ,  叶名世

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

Abstract: 一种芯片封装件，包括集成电路组件、导热层、绝缘包封体及重布线路结构。所述集成电路组件包括位于所述集成电路组件的后表面处的非晶半导体部分。所述导热层覆盖所述集成电路组件的所述非晶半导体部分，其中所述导热层的导热率大于或大体上等于10W/mK。所述绝缘包封体在横向上对所述集成电路组件及所述导热层进行包封。所述重布线路结构设置在所述绝缘包封体及所述集成电路组件上，其中所述重布线路结构电连接到所述集成电路组件。