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公开(公告)号：CN111017868B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201911148319.8
申请日：2019-11-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种阵列结构硅基点阵的制备方法及其应用，所述制备方法包括：在一硅片表面旋涂光刻胶；采用光刻方法在所述硅片表面形成特定尺寸的点样区；采用溶液法在含点样区的所述硅片表面自组装微纳米球；对沉积了微纳米球的所述硅片进行刻蚀，使所述点样区形成微纳米结构阵列；去除所述硅片表面的所述光刻胶；且去除所述硅片表面的所述微纳米球。本发明阵列结构硅基点阵的制备方法所制得的硅基点阵在质谱检测、拉曼检测、生物传感器或者光电探测器中的应用。本发明的硅基点阵在物理、化学、能源、催化、生命科学及信息等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN116435419A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211472713.9
申请日：2022-11-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种渐变LQB组分的Micro LED外延结构，包括InGaN/GaN多量子阱结构，所述多量子阱结构p型侧的最后一个量子阱势垒层由渐变组分的n型InxGa1‑xN层和p型GaN层组成，由n型侧向p型侧方向所述n型InxGa1‑xN层的In组分x由15％～5％渐变至0％，p型GaN层上设有电子阻挡层。采用渐变n型InxGa1‑xN和p型GaN结构作为Micro LED的LQB层能够有效限制载流子，使得载流子更加匹配，在阱内复合效率更高；能够提高Micro LED芯片在高电流密度注入下整体的效率与发光水平，缓解蓝光Micro LED效率下降的问题。
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公开(公告)号：CN111017869B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201911149134.9
申请日：2019-11-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基网络结构及其制备方法。包括：硅基底，上表面具有多个阵列分布的球状孔洞；材料层，位于所述硅基底上表面，所述材料层具有多个阵列分布的半球状穿孔，其中所述半球状穿孔正好位于所述球状孔洞上方并且连通所述球状孔洞，而共同组成多个阵列分布的葫芦状孔洞；包覆层，设置于所述硅基底与所述材料层表面上，沿着所述葫芦状孔洞的内表面分布，其中，所述包覆层包括金属、金属化合物或高分子材料层。本发明制备工艺简单、稳定、成本低，同时能够制备多种不同材料复合的葫芦状微纳米阵列结构，该结构能够在发挥微纳米阵列结构独有优势的同时综合多种材料的性质，在催化、生物检测、光电探测等领域具有广泛的潜在应用。
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公开(公告)号：CN111017867B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN201911148305.6
申请日：2019-11-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种制备网络结构硅基点阵的方法，包括：在硅基底上表面自组装微纳米球阵列；在具自组装微纳米球阵列的所述硅基底表面旋涂前驱体溶液；将所述硅基底放置在退火炉中退火，以在所述硅基底表面形成微纳米碗阵列结构；以等离子刻蚀技术对所述经退火的具有微纳米碗阵列结构的硅基底进行刻蚀，形成微纳米葫芦状阵列结构；将所述硅基底进行掩膜光刻以制备点样区再制成靶板。本发明所提供的网络结构硅基点阵能够提高质谱的分辨率，在催化、生物检测、光电探测等领域具有广泛的潜在应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107887514A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711104063.1
申请日：2017-11-10
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0004 , H01L51/0077
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿薄膜的制备方法及其应用。钙钛矿薄膜的制备方法包含以下步骤：(1)配制钙钛矿前驱体溶液；(2)在基底加热的情况下，将浸润有钙钛矿前驱体溶液的刷头以恒定速度刷涂基底表面；(3)待基底表面的钙钛矿前驱体溶液蒸发后，在基底表面形成钙钛矿薄膜。本发明的钙钛矿薄膜制备方法具有制备工艺简便、制备速度快、薄膜质量高、薄膜厚度均匀的优势，在大面积、规模化的钙钛矿光伏器件的制备中极具应用前景。
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公开(公告)号：CN107768452A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710976199.5
申请日：2017-10-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/02161 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了石墨烯-硅异质结光电探测芯片及其制备方法，探测芯片包括：硅衬底；框形SiO2绝缘层，位于硅衬底周围边界；界面钝化层，位于硅衬底之上；石墨烯层，位于界面钝化层之上；金属纳米结构层，位于石墨烯层之上。通过在芯片结构中引入金属纳米结构，一方面，利用金属纳米结构的局域表面等离激元共振特性，可显著提升石墨烯/硅异质结的光吸收效率，提升器件的光响应度和线性光响应范围；另一方面，利用金属纳米结构在光激发下超快的光电转换过程，可显著提升芯片的光谱响应速率和频率特性；此外，利用不同材质、尺寸金属纳米颗粒具有的不同光谱共振特性，可显著改善探测芯片的特定光谱增强特性。
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公开(公告)号：CN103022267B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310012724.3
申请日：2013-01-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种ZnO球形空壳结构纳米颗粒阵列的制备方法，涉及一种纳米颗粒阵列。将薄膜太阳能电池表面进行清洗后，利用反应离子刻蚀系统对电池表面进行活化处理，获得具有亲水性表面的薄膜太阳能电池；在薄膜太阳能电池表面上采用旋涂法自组装单层PS球阵列；利用反应离子刻蚀系统调控单层聚苯乙烯纳米球的直径和间隙，得到表面具有不同直径和间距的单层聚苯乙烯纳米球的薄膜太阳能电池；在得到的薄膜太阳能电池表面沉积一层ZnO薄膜，在太阳能电池表面得到聚苯乙烯纳米球/氧化锌薄膜的核壳层结构；将得到的薄膜太阳能电池在氮气氛围内退火，在太阳能电池表面得到ZnO球形空壳结构纳米颗粒阵列。提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN119463870A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411593419.2
申请日：2024-11-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/66 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , G02F1/13357
Abstract: 本发明涉及一种量子点薄膜的制备方法及其应用，其中所述的制备方法包括：首先，将量子点前驱体组分和有机磷酸按适当比例溶解于有机溶剂中，制得前驱体溶液；然后在所述前驱体溶液中加入聚合物，混合均匀，得到膜溶液；接着将所述膜溶液涂布在衬底材料上，通过退火处理，生成结构为有机磷酸和聚合物修饰的量子点薄膜。本发明的方法通过优化薄膜的制备方法，并引入有机磷酸和聚合物，获得的量子点薄膜缺陷少、厚度均匀且质量高，有效提升了光稳定性和光学性能，且工艺简单，成本低，适用于大规模制备高性能高质量的大面积量子点薄膜。
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公开(公告)号：CN118248809A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410311106.7
申请日：2024-03-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种光电子器件集成结构及其制备方法。本发明方法将光学薄膜、发光芯片和驱动基板进行整合，在保证器件光学性能的同时可实现优异环境稳定性。利用半导体微纳加工技术制备了一种基于量子点的光学薄膜，可实现极高分辨率并保证长期使用的稳定性，进一步将其与发光芯片阵列和驱动电路结合，可实现性能优异的集成光电子器件。本发明公开的技术方案兼容常规半导体微纳加工工艺设备和操作流程，易于规模化制备和生产，器件环境稳定性高、使用寿命长，可满足不同尺寸、不同基底、不同使用条件的电子器件和设备的设计及生产需求。
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