-
公开(公告)号:CN116322074A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310064761.2
申请日:2023-01-12
Abstract: 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域,特别涉及一种含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件及其制备方法。该含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件包括依次叠加的导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及背电极;所述电子传输层材质为体相掺杂有磷元素的电子传输材料。本发明采用含磷物质体相修饰电子传输层制备钙钛矿光电器件,通过含磷物质体相修饰电子传输层设计,可以有效地减少钙钛矿光电器件中电子传输层体相、界面中的缺陷,从而可以有效地降低钙钛矿光电器件的非辐射复合,提高器件的光电性能及稳定性。
-
公开(公告)号:CN116056535A
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202310063788.X
申请日:2023-01-12
Abstract: 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域,特别涉及一种电子传输层、红外热处理制备电子传输层的方法、钙钛矿光电器件及其制备方法。该红外热处理制备电子传输层的方法包括以下制备步骤:将电子传输材料前驱液涂覆到基底上形成涂层,而后采用近红外辐射涂层以完成加热退火处理,制得电子传输层。本发明采用近红外辐射加热退火方式,不会出现传统热板退火容易出现的随着模组面积增大导致电子传输层受热不均,从而影响电子传输层质量的情况;制得的电子传输层结构致密无孔洞,厚度均匀可控,增强了钙钛矿吸光层结晶性和钙钛矿晶粒尺寸分布均匀性,从而提高了钛矿光电器件的光电性能和稳定性,具有低生产成本、高效率、工艺简便、可控性和可重复性高的优点。
-
公开(公告)号:CN114214060A
公开(公告)日:2022-03-22
申请号:CN202111502580.0
申请日:2021-12-09
Abstract: 本发明公开了一种高稳定钙钛矿量子点及其制备方法。该量子点具有CsPbX3+SF@SiO2结构,其中,X为Cl、Br、I中的一种或几种,所述的SF为磺酸根,量子点的粒径范围在5‑15nm之间,制备时,首先将油酸铯溶液在合适的温度下注入含有硅烷偶联剂的前驱体溶液以获得量子点原液,经过冷却后氮气氛围下向上述量子点原液中添加适量或磺酸类有机盐,充分搅拌低速离心,取上清液在环境条件下充分水解,离心后获得原位表面修饰与封装的量子点。与现有的钙钛矿量子点制备技术相比,该方法一步表面修饰和封装,工艺简单高效兼具成本较低,适于工业化生产。
-
公开(公告)号:CN114975785B
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202210438464.5
申请日:2022-04-25
Abstract: 本发明公开了太阳能电池电子传输层及其制备方法。含硫修饰的锡酸锌复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池包括依次叠加的导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和背电极层;其中锡酸锌采用低温水热法合成,再将得到的锡酸锌纳米颗粒分散,之后在锡酸锌纳米颗粒分散液中掺入微量硫脲,采用硫掺杂对于锡酸锌纳米颗粒进行原位修饰;之后通过刮涂、低温退火在导电基底上制备得到硫修饰的锡酸锌电子传输层。硫修饰的锡酸锌电子传输层能够促进钙钛矿成膜,提高钙钛矿电池及模组器件效率,器件的重复性、稳定性也得到明显提升。
-
公开(公告)号:CN114975785A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210438464.5
申请日:2022-04-25
Abstract: 本发明公开了太阳能电池电子传输层及其制备方法。含硫修饰的锡酸锌复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池包括依次叠加的导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和背电极层;其中锡酸锌采用低温水热法合成,再将得到的锡酸锌纳米颗粒分散,之后在锡酸锌纳米颗粒分散液中掺入微量硫脲,采用硫掺杂对于锡酸锌纳米颗粒进行原位修饰;之后通过刮涂、低温退火在导电基底上制备得到硫修饰的锡酸锌电子传输层。硫修饰的锡酸锌电子传输层能够促进钙钛矿成膜,提高钙钛矿电池及模组器件效率,器件的重复性、稳定性也得到明显提升。
-
公开(公告)号:CN114214060B
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202111502580.0
申请日:2021-12-09
Abstract: 本发明公开了一种高稳定钙钛矿量子点及其制备方法。该量子点具有CsPbX3+SF@SiO2结构,其中,X为Cl、Br、I中的一种或几种,所述的SF为磺酸根,量子点的粒径范围在5‑15nm之间,制备时,首先将油酸铯溶液在合适的温度下注入含有硅烷偶联剂的前驱体溶液以获得量子点原液,经过冷却后氮气氛围下向上述量子点原液中添加适量或磺酸类有机盐,充分搅拌低速离心,取上清液在环境条件下充分水解,离心后获得原位表面修饰与封装的量子点。与现有的钙钛矿量子点制备技术相比,该方法一步表面修饰和封装,工艺简单高效兼具成本较低,适于工业化生产。
-
公开(公告)号:CN116322233A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310063984.7
申请日:2023-01-12
Abstract: 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域,特别涉及一种电子传输层、近红外预热处理基底制备电子传输层的方法、钙钛矿光电器件及其制备方法。该近红外预热处理基底制备电子传输层的方法包括以下制备步骤:先将基底预热,而后将电子传输层前驱液涂覆于预热完成的基底上形成涂层,对涂层进行加热退火处理,制得电子传输层;通过将电子传输材料于溶剂中均匀分散制得电子传输层前驱液,电子传输材料为n型半导体氧化物。本发明采用基底预热的方法,改善基底对电子传输层前驱体的浸润性,制得的电子传输层致密无孔洞,厚度均匀且可控,能够有效减少电子传输层制备过程中的缺陷和孔洞,改善电子传输层和钙钛矿吸光层的界面缺陷,提高器件的光电性能。
-
公开(公告)号:CN119463870A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202411593419.2
申请日:2024-11-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/66 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , G02F1/13357
Abstract: 本发明涉及一种量子点薄膜的制备方法及其应用,其中所述的制备方法包括:首先,将量子点前驱体组分和有机磷酸按适当比例溶解于有机溶剂中,制得前驱体溶液;然后在所述前驱体溶液中加入聚合物,混合均匀,得到膜溶液;接着将所述膜溶液涂布在衬底材料上,通过退火处理,生成结构为有机磷酸和聚合物修饰的量子点薄膜。本发明的方法通过优化薄膜的制备方法,并引入有机磷酸和聚合物,获得的量子点薄膜缺陷少、厚度均匀且质量高,有效提升了光稳定性和光学性能,且工艺简单,成本低,适用于大规模制备高性能高质量的大面积量子点薄膜。
-
公开(公告)号:CN118248809A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202410311106.7
申请日:2024-03-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种光电子器件集成结构及其制备方法。本发明方法将光学薄膜、发光芯片和驱动基板进行整合,在保证器件光学性能的同时可实现优异环境稳定性。利用半导体微纳加工技术制备了一种基于量子点的光学薄膜,可实现极高分辨率并保证长期使用的稳定性,进一步将其与发光芯片阵列和驱动电路结合,可实现性能优异的集成光电子器件。本发明公开的技术方案兼容常规半导体微纳加工工艺设备和操作流程,易于规模化制备和生产,器件环境稳定性高、使用寿命长,可满足不同尺寸、不同基底、不同使用条件的电子器件和设备的设计及生产需求。
-
公开(公告)号:CN113270549B
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202110421291.1
申请日:2021-04-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提出了一种含修饰层结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,含修饰层结构的钙钛矿太阳能电池包括依次叠加的导电衬底、电子传输层、修饰层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和背电极层;其中修饰层位于电子传输层与钙钛矿吸光层之间;修饰层为S掺杂的ZnO;电子传输层材料为ZnTiO3。本发明制备方法得到的修饰层,能与钛酸锌(ZnTiO3)电子传输层很好结合,采用S掺杂ZnO对钛酸锌电子传输层进行修饰,能够有效提升钛酸锌电子传输层电荷提取能力,进一步有效提升器件效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-