公开(公告)号：CN107768452A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710976199.5

申请日：2017-10-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 尹君 ,  李静 ,  应安妮 ,  刘恋

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了石墨烯-硅异质结光电探测芯片及其制备方法，探测芯片包括：硅衬底；框形SiO2绝缘层，位于硅衬底周围边界；界面钝化层，位于硅衬底之上；石墨烯层，位于界面钝化层之上；金属纳米结构层，位于石墨烯层之上。通过在芯片结构中引入金属纳米结构，一方面，利用金属纳米结构的局域表面等离激元共振特性，可显著提升石墨烯/硅异质结的光吸收效率，提升器件的光响应度和线性光响应范围；另一方面，利用金属纳米结构在光激发下超快的光电转换过程，可显著提升芯片的光谱响应速率和频率特性；此外，利用不同材质、尺寸金属纳米颗粒具有的不同光谱共振特性，可显著改善探测芯片的特定光谱增强特性。