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公开(公告)号：CN103022267B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310012724.3
申请日：2013-01-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种ZnO球形空壳结构纳米颗粒阵列的制备方法，涉及一种纳米颗粒阵列。将薄膜太阳能电池表面进行清洗后，利用反应离子刻蚀系统对电池表面进行活化处理，获得具有亲水性表面的薄膜太阳能电池；在薄膜太阳能电池表面上采用旋涂法自组装单层PS球阵列；利用反应离子刻蚀系统调控单层聚苯乙烯纳米球的直径和间隙，得到表面具有不同直径和间距的单层聚苯乙烯纳米球的薄膜太阳能电池；在得到的薄膜太阳能电池表面沉积一层ZnO薄膜，在太阳能电池表面得到聚苯乙烯纳米球/氧化锌薄膜的核壳层结构；将得到的薄膜太阳能电池在氮气氛围内退火，在太阳能电池表面得到ZnO球形空壳结构纳米颗粒阵列。提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN105576208A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610069664.2
申请日：2016-02-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种引入TiN/Ti作为中间层的纳米复合电极结构及其制备方法。本发明以TiN/Ti作为中间层的纳米复合电极呈现独特的火柴状结构。制作方法为首先将单层的聚苯乙烯纳米球模板利用旋涂法自组装在预先清洗、活化处理后的硅衬底上；随后采用电感应耦合等离子体干法刻蚀技术进行刻蚀上述样品；之后依次利用有机溶剂及标准清洗硅片工艺去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物即可得到晶圆级三维硅纳米柱阵列基础结构；最后利用射频磁控溅射技术依次沉积TiN、Ti、Ge得到该电极结构。此独特的三维纳米复合电极结构可作为可集成微型锂/钠离子电池、燃料电池等储能系统模块应用在微/纳机械系统等智能微型传感半导体器件中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105680001A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610020438.5
申请日：2016-01-13
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/62 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M2004/021
Abstract: 本发明公开了一种ZIF-8/硅复合纳米柱阵列电极及其制备方法。采用甲醇作为溶剂，二水合乙酸锌作为锌源，2-甲基咪唑作为有机配体，硅纳米柱阵列作为负载载体，通过简易的溶液生长的方式制备了三维ZIF-8/硅复合电极。所得电极作为锂离子电池的阳极经过充放电循环之后容量可达到0.5mAh/cm-2。该复合电极制备方法简单，将沸石咪唑酯骨架ZIF-8良好的锂离子传导率与三维结构的硅纳米柱阵列相结合，可以提高电极的容量，并且制备方法和现有的硅工艺相兼容，此复合结构也有望在其他能源器件(如燃料电池、微机电系统的电源供应)等领域应用。
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公开(公告)号：CN103213933B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310101495.2
申请日：2013-03-27
Applicant: 厦门大学
IPC: B81B1/00 , H01M4/134 , H01M4/1395
Abstract: 本发明公开了一种硅基复合三维微电池纳米电极结构。该纳米电极结构包括硅纳米柱阵列以及复合于硅纳米柱外层的材料层。制作方法包括将清洗、活化处理后的硅衬底上采用旋涂法自组装单层六方密排的聚苯乙烯纳米球；将单层聚苯乙烯纳米球做为掩膜，利用掩膜和感应耦合等离子体刻蚀技术进行刻蚀；依次用有机溶剂及标准清洗硅片工艺去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物；最后利用薄膜沉积、材料生长技术得到瓶状硅基复合纳米柱阵列三维电极结构。这种结构一方面可以在硅纳米柱外层沉积锂离子阻挡层，进而形成硅衬底不参与锂离子嵌入/脱出的一种三维微电池的结构支撑，另一方面形成的硅或者硅复合材料，可以作为锂离子电池的阳极材料参与电极反应。
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公开(公告)号：CN103022267A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310012724.3
申请日：2013-01-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种ZnO球形空壳结构纳米颗粒阵列的制备方法，涉及一种纳米颗粒阵列。将薄膜太阳能电池表面进行清洗后，利用反应离子刻蚀系统对电池表面进行活化处理，获得具有亲水性表面的薄膜太阳能电池；在薄膜太阳能电池表面上采用旋涂法自组装单层PS球阵列；利用反应离子刻蚀系统调控单层聚苯乙烯纳米球的直径和间隙，得到表面具有不同直径和间距的单层聚苯乙烯纳米球的薄膜太阳能电池；在得到的薄膜太阳能电池表面沉积一层ZnO薄膜，在太阳能电池表面得到聚苯乙烯纳米球/氧化锌薄膜的核壳层结构；将得到的薄膜太阳能电池在氮气氛围内退火，在太阳能电池表面得到ZnO球形空壳结构纳米颗粒阵列。提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103213933A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310101495.2
申请日：2013-03-27
Applicant: 厦门大学
IPC: B81B1/00 , H01M4/134 , H01M4/1395
Abstract: 本发明公开了一种硅基复合三维微电池纳米电极结构。该纳米电极结构包括硅纳米柱阵列以及复合于硅纳米柱外层的材料层。制作方法包括将清洗、活化处理后的硅衬底上采用旋涂法自组装单层六方密排的聚苯乙烯纳米球；将单层聚苯乙烯纳米球做为掩膜，利用掩膜和感应耦合等离子体刻蚀技术进行刻蚀；依次用有机溶剂及标准清洗硅片工艺去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物；最后利用薄膜沉积、材料生长技术得到瓶状硅基复合纳米柱阵列三维电极结构。这种结构一方面可以在硅纳米柱外层沉积锂离子阻挡层，进而形成硅衬底不参与锂离子嵌入/脱出的一种三维微电池的结构支撑，另一方面形成的硅或者硅复合材料，可以作为锂离子电池的阳极材料参与电极反应。
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公开(公告)号：CN102633230A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210125332.3
申请日：2012-04-26
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于纳米球刻蚀技术制备硅纳米柱阵列的方法，涉及一种Si纳米结构。将硅片清洗后，利用反应离子刻蚀系统对硅片进行活化处理，获得具有亲水性的硅片表面；在硅衬底上采用旋涂法自组装单层聚苯乙烯纳米球；利用反应离子刻蚀系统调控单层聚苯乙烯纳米球的直径，得到不同直径的单层聚苯乙烯纳米球；将单层聚苯乙烯纳米球作为掩膜，利用掩模和感应耦合等离子体刻蚀技术进行刻蚀，交替使用SF6和C4F8进行刻蚀和侧壁的保护；用有机试剂去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物，最终得到硅纳米柱阵列。
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