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公开(公告)号：CN117506733A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311752785.3
申请日：2023-12-19
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及碳化硅加工技术领域，具体公开了一种碳化硅打磨用附加物收集设备，包括加工基台，加工基台上端后侧连接有附加物推动模块，加工基台中段部位阵列开设有微粉附加物导出口，通过微粉物承接模块以及颗粒物承接模块，对碳化硅打磨加工时产生的附加物进行收集处理，从而解决附加物无法快速收集而污染加工基台台面，以及微粉状附加物飞散在工作环境中的问题；在使用颗粒物承接模块对大颗粒状的附加物进行收集时，推动板件的左右平移，能够将加工基台上附着的微粉状以及颗粒状附加物推动，并在经过微粉附加物导出口时，使微粉状附加物被吸附收集，解决微粉状附加物收集吸附不彻底的问题。
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公开(公告)号：CN110042469B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910355286.8
申请日：2019-04-29
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种花色碳化硅宝石的制备方法，通过使用图形化碳化硅单晶衬底，衬底背面粘在石墨坩埚顶部上盖内层，石墨坩埚内放入高纯碳化硅原料，石墨坩埚放入晶体生长炉中，采用物理气相传输法晶体生长系统，晶体生长温度在1800℃‑2600℃，其中衬底温度在2300℃以下，原料温度大于2300℃，氩气氛下生长，反应室内气压在1‑4kPa之间，生长时间在60小时以上，得到碳化硅晶体作为碳化硅宝石原料，经过宝石加工，可获得黄绿、褐绿等花色碳化硅宝石。
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公开(公告)号：CN111575794A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010411889.8
申请日：2020-05-15
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种低应力碳化硅晶体生长温度场设置及晶体生长方法，通过在石墨坩埚位置上方籽晶一端增加一段辅助独立加热线圈，该辅助独立加热线圈与晶体生长炉加热线圈同轴同径，通过该辅助独立加热线圈实现防止降低籽晶背部温度降低过速，实现轴向温度梯度可控目的。将石墨坩埚内放入高纯碳化硅粉料，碳化硅籽晶固定于石墨坩埚盖内部，将密封的石墨坩埚放入晶体生长炉中，采用物理气相传输法生长碳化硅晶体，生长过程中通过辅助独立加热线圈调节籽晶端温度值，保持晶体生长温度在1900℃-2400℃，其中衬底温度在2100℃以下，原料温度大于2300℃，通入惰性气体作为载气，反应室内气压在1-4kPa，生长时间大于70小时，即可生长出低应力碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN111558853A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010412601.9
申请日：2020-05-15
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸超硬衬底片的快速抛光方法，属于半导体衬底加工技术。本发明对大尺寸超硬衬底片采用三步化学机械抛光方法，通过增加两步采用不同粒径的钻石抛光液及不同抛光垫、不同碱性条件，控制抛光压盘的压力大小，实现对大尺寸超硬衬底片的快速抛光，获得面型较好的衬底抛光片，而且抛光后的衬底片平均厚度差小，弯曲翘曲度低。本方法工艺简单易操作。
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公开(公告)号：CN110042469A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910355286.8
申请日：2019-04-29
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种花色碳化硅宝石的制备方法，通过使用图形化碳化硅单晶衬底，衬底背面粘在石墨坩埚顶部上盖内层，石墨坩埚内放入高纯碳化硅原料，石墨坩埚放入晶体生长炉中，采用物理气相传输法晶体生长系统，晶体生长温度在1800℃-2600℃，其中衬底温度在2300℃以下，原料温度大于2300℃，氩气氛下生长，反应室内气压在1-4kPa之间，生长时间在60小时以上，得到碳化硅晶体作为碳化硅宝石原料，经过宝石加工，可获得黄绿、褐绿等花色碳化硅宝石。
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公开(公告)号：CN109065466A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810899285.5
申请日：2018-08-08
Applicant: 南通大学
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12
Abstract: 本发明涉及一种p型碳化硅晶体的无损判定，使用变温拉曼光谱，对p型碳化硅晶体样品进行光谱测量，探测光的入射方向为沿碳化硅晶片的（000‑1）方向，变温测量为室温到800K温度范围，温度间隔为50K。分析对比载流子敏感的A1纵向光学模，根据其强度及峰位的变化，可以判断样品是否为p型掺杂。有益效果是采用基于光谱分析法，对p型碳化硅晶体的载流子浓度进行检测和分析，无需像霍尔测量一样的镀电极，对待测样品无损伤，检测过程可实现自动化和程序控制，可对出厂产品进行全面检验，也可应用于目前市场存在的2、3、4、6英寸完整晶圆产品检验。
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公开(公告)号：CN114108097A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111325284.8
申请日：2021-11-10
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种改善氮化镓晶体生长均匀性装置与生长方法，在氢化物气相外延生长氮化镓晶体装置中，通常衬底被固定在石墨托上，氯化镓与氨气在氮气载气作用下从低温区流向高温区的衬底面，进行结晶生长。生长区的气相饱和度受氮气载气流量、生长区装置的结构等影响导致生长的氮化镓晶体厚度明显不均匀。本发明采用带有石墨镂空围栏的石墨托，可以减小气相的涡旋流动速度，增大气相饱和度及其均匀性，并且在氯化镓的进气口增加半侧喇叭形开口，氨气进气口增加全喇叭形开口，可以降低气流速度并增加衬底表面气相的均匀性。本发明结构简单，增加了衬底上气相饱和度和均匀性，提高了氮化镓晶体生长效率，生长的氮化镓晶体表面更为平整且厚度均匀。
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公开(公告)号：CN113199397A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110550764.8
申请日：2021-05-18
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓单晶片固定装置及抛光方法，属于晶体加工技术。本发明针对碳化硅、蓝宝石等异质衬底上生长的氮化镓单晶厚膜材料的外形特征，其单晶材料与衬底片之间由于热失配及晶格失配产生裂缝，剥离过程中容易碎裂，即使剥离开来，其厚度较小，厚度差较大，很难通过磨床研磨机等工具进行研磨抛光加工，本发明提出一种氮化镓单晶片固定装置，无需剥离异质衬底，结合定向设备，可以快速固定并确定抛光面，后期即可通过机械抛光得到平整的氮化镓单晶片。本方法工艺简单易于操作。
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