-
公开(公告)号：CN1805079A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610013057.0
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及磁性颗粒薄膜材料及其制备方法和应用。它是在基片上制成磁性颗粒薄膜，磁性颗粒薄膜的组成是(NiFe)xGe1－x，其中x为镍铁合金颗粒所占的体积百分比，0.52～0.58，薄膜厚度在4～8纳米。本发明的磁性颗粒薄膜采用磁控溅射法制备，先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20％；锗靶上加25瓦的射频功率，根据成分的要求，在镍铁合金靶上加以12～20瓦的直流功率。本发明的磁性颗粒薄膜具有制备工艺简单、成本低、灵敏度高、工作温度范围宽、器件尺寸小等特点，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN103320450A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310291861.5
申请日：2013-07-12
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种叶片衰老和逆境抗性相关基因及其应用。该基因核酸序列如SEQIDNo.1所示。本发明克隆了拟南芥中的SSPP基因，它编码一种受衰老抑制的蛋白磷酸酶（SenescenceSuppressedProteinPhosphatase,SSPP），序列及功能未经报道。我们构建了由CaMV35S启动子驱动该基因表达的双元表达载体，并采用花苞浸泡法转化模式植物拟南芥。得到的35S-SSPP转基因植株叶片衰老显著延缓，干旱抗性大幅度提高。说明该基因具有延迟叶片衰老和提高植物逆境抗性的功能，将该基因转入主要经济作物中，可能获得叶片衰老延缓、逆境抗性增强、产量和品质性状得到改善的转基因作物新品种，具有重要的应用价值。
-
公开(公告)号：CN100409379C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200610013055.1
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12%。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe3O4薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。
-
公开(公告)号：CN100387751C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510122237.8
申请日：2005-12-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法。该磁敏材料的通式为FexGe1-x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20%。锗靶上加15瓦的射频功率，在铁靶上加以5～15瓦的直流功率，预溅射20分钟左右。基片以20转/分钟的速率均匀旋转。本发明制备的铁锗颗粒薄膜材料为纳米晶结构，霍尔电阻灵敏度在-250℃到+200℃的温度范围内达到125VA/T，并且具有小的热漂移、零磁场偏移。本发明的材料制备简单，成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.015 seconds)
