公开(公告)号：CN111987183A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010842044.4

申请日：2020-08-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  延玲玲 ,  李宇翔 ,  李仁杰 ,  任慧志 ,  石标 ,  王鹏阳 ,  黄茜 ,  许盛之 ,  魏长春 ,  侯国付 ,  赵颖

IPC: H01L31/074 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提出一种基于双极性的SnOx晶硅太阳电池。本发明在晶硅太阳电池中借助一种技术手段，通过调控Sn和O元素的比例，即x值，同时引入了x≤1.8的双极性的SnOx作为空穴选择性接触材料和x≥1.9的SnOx作为电子选择性接触材料，简化工艺流程，同时也避免了高温扩散工艺或者高成本的制造工艺，降低成本；另一方面，无掺杂、宽带隙的载流子选择材料SnOx引起较低的光学损失，有利于提高电池的光学性能。

公开(公告)号：CN113921620A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111359180.9

申请日：2021-11-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  李兴亮 ,  李仁杰 ,  周佳凯 ,  张奇星 ,  任宁宇 ,  陈兵兵 ,  许盛之 ,  侯国付 ,  赵颖

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0725

Abstract: 一种折射率渐变特性的减反射膜的制备方法。本发明开发了一种折射率渐变特性的nc‑SiOx:H减反射膜，通过调整反应气体中CO2流量来调整nc‑SiOx:H中Si、O的比例，即x的值(0

公开(公告)号：CN113571649A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110754128.7

申请日：2021-07-05

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  张佳莉 ,  李仁杰 ,  王鹏阳 ,  石标 ,  赵颖

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明公开了一种掺杂ATMP‑K的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用。解决了氧化锡层光电性不足以及其与钙钛矿层界面稳定性差的问题，为氧化锡在钙钛矿太阳电池中的应用提供了一种简单的思路。本发明所述电子传输层的制备工艺如下：采用ATMP与KOH溶液混合制备成ATMP‑K混合溶液，再与SnO2前驱体溶液混合得到掺杂ATMP‑K的SnO2前驱体溶液。将掺杂前驱体溶液旋涂在导电衬底上，得到掺杂ATMP‑K的SnO2电子传输层。本发明所述SnO2电子传输层能够在低温下制备，制备工艺简单，成本低廉，有效提高载流子的利用率，增加钙钛矿太阳电池的开路电压，提升太阳能电池的光电转换效率。