公开(公告)号：CN101299446A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810053356.6

申请日：2008-05-30

Applicant: 南开大学 ,  孙国忠 ,  敖建平

Inventor： 孙国忠 ,  敖建平 ,  杨小锋 ,  周志强 ,  张超 ,  何青 ,  刘新路 ,  李宝璋

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种低成本硒化物前驱薄膜与快速硒硫化热处理制备薄膜太阳电池的方法，它可用于纳米硒化物涂料滚涂或电沉积法制备硒化物前驱薄膜，经过真空快速硒硫化热处理，制备出高效无镉薄膜太阳电池或光伏集成组件。本发明的薄膜电池吸收层带隙呈V型分布，快速硒硫化热处理使多孔疏松薄膜中CuSe/与In4Se3熔融、浸润、液相辅助CIGS薄膜晶体的反应生长和薄膜自身的致密化，反应溅射In2Se3或In2S3中和掉薄膜表层吸附的过量CuxSe，继续溅射微过量的In2S3生成n－高阻Cu(In1－yGay)3(SxSe1－x)5薄膜电池浅埋结，接着反应溅射沉积n型In(OH，S)/ZnS(O，OH)/ZnO(S)缓冲层与i层，溅射透明导电薄膜/与激光加工集成电极联接就完成薄膜太阳电池的制备。

公开(公告)号：CN108977860B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201810627346.2

申请日：2018-06-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 张照景 ,  敖建平 ,  毕金莲 ,  郭佳佳 ,  高青 ,  孙国忠 ,  周志强 ,  刘芳芳 ,  张毅 ,  孙云

IPC: C25D3/38 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23F1/18 ,  C25D5/38 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，该方法通过在Mo衬底上制备出Cu纳米颗粒，使Cu纳米颗粒作为形核点辅助沉积Cu薄膜，从而在Mo衬底表面沉积出表面平整且晶粒细小的Cu薄膜。该方法一方面可修饰Cu薄膜的表面形貌，提升Cu薄膜的薄膜质量；另一方面能够显著降低在Mo衬底上电沉积Cu薄膜对Mo衬底表面形貌的严格要求，并降低对电镀溶液成分和沉积参数的要求。该方法简单易行、操作简便，大大降低了通过电沉积方法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的沉积难度。

公开(公告)号：CN108977860A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810627346.2

申请日：2018-06-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 张照景 ,  敖建平 ,  毕金莲 ,  郭佳佳 ,  高青 ,  孙国忠 ,  周志强 ,  刘芳芳 ,  张毅 ,  孙云

IPC: C25D3/38 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23F1/18 ,  C25D5/38 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 一种通过电沉积法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的方法，该方法通过在Mo衬底上制备出Cu纳米颗粒，使Cu纳米颗粒作为形核点辅助沉积Cu薄膜，从而在Mo衬底表面沉积出表面平整且晶粒细小的Cu薄膜。该方法一方面可修饰Cu薄膜的表面形貌，提升Cu薄膜的薄膜质量；另一方面能够显著降低在Mo衬底上电沉积Cu薄膜对Mo衬底表面形貌的严格要求，并降低对电镀溶液成分和沉积参数的要求。该方法简单易行、操作简便，大大降低了通过电沉积方法在Mo衬底上沉积高质量Cu薄膜的沉积难度。

公开(公告)号：CN102051603B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201010518539.8

申请日：2010-10-26

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙国忠 ,  敖建平 ,  李宝璋 ,  张超 ,  何青 ,  周志强

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/30 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种等离子体辅助硒硫化处理装置，设置于真空室内，包括壳体、阴极板和阳极板，阴极板和阳极板交替叠放形成等离子体发生器，阴极板设有固定半导体薄膜基板的沟槽，阳极板表面均布小孔并设有输气管、独立内加热电极和阳极测温点基于该处理装置的工艺为：1)在半导体薄膜材料上按化学式配比预制金属层，然后放入阴极板的沟槽中；2)将其置于真空室内抽真空，打开电源加热阴极板和阳极板，启动等离子体发生器电源，并通入硒或硫、氢、氩混合气体。本发明的优点：硒原子的反应活性高，金属预制层的硒化反应完全，光电转换效率高；基片的加热温度低，不易变形；采用电子方式监控两电极间容抗的变化，了解转化的进展，减少工业化生产的废品率。

公开(公告)号：CN1257560C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200310107202.8

申请日：2003-12-05

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙云 ,  李长健 ,  刘唯一 ,  何清 ,  李凤岩 ,  周志强 ,  敖建平 ,  孙国忠

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L21/36 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，是在铜铟镓硒或/和硫光学吸收层薄膜的制备工艺中，先用真空磁控溅射、加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Mo衬底上分步沉积化学式配比量的Cu、In、Ga金属预制层，再在热处理真空室内进行光硒化或/和硫化反应，其特征在于：对沉积有铜铟镓金属预制层的电池基板双面同时加热，电池基板的背部一面用接触式热源加热，镀覆金属预制层的基板-面用光辐照加热，在其快速、均匀地升温到400～560℃区间时，对硒源或硫源进行接触式热源和光辐照的协同加热，促使铜铟镓金属预制层转变成化合物半导体光电薄膜材料。本发明方法克服了600℃高温硒化或硫化造成的玻璃软化，适合于工业化生产。