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公开(公告)号：CN107723789B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710889208.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量灰锡单晶薄膜的低温外延制备方法，具体步骤包括：(1)对(100)晶面的InSb衬底加热进行去氧化处理；(2)通过分子束外延的方法在InSb衬底上生长一层InSb缓冲层，生长温度为450℃；(3)在InSb缓冲层的表面沉积一层50nm厚的非晶Sb作为保护层，防止氧化；(4)在Ⅳ族分子束外延设备中，将InSb衬底加热至400℃去除非晶Sb；(5)通过分子束外延的生长方法，在10℃～15℃的条件下，生长灰锡薄膜，生长速率为0.025A/sec；最终得到20nm～100nm厚的灰锡单晶薄膜。本发明利用低温外延法制备的灰锡薄膜的相变温度由已知的13.2℃提高到了120℃。
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公开(公告)号：CN110044957A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910336860.5
申请日：2019-04-24
Applicant: 南京大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本申请提供一种测量电路、测量系统及热物性参数测量方法。该测量电路包括：第一放大电路、第二放大电路、差分放大电路、可调电阻器及电子乘法器。第一放大电路、第二放大电路的输出端中的至少一个通过电子乘法器与差分放大电路的输入端连接；可调电阻器用于在测量前调节两个输入端的基频电压差，以使测量前的基频电压差小于或等于第一预设阈值，电子乘法器用于在测量时调节与电子乘法器连接的输入端的基频电压，以使差分放大器的两个输入端的基频电压差小于或等于第二预设阈值，第二预设阈值小于第一预设阈值，差分放大电路用于测量基频电压及三次谐波电压，能够提高测量的三次谐波电压的精度，改善因基频电压导致热物性测量精度低的技术问题。
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公开(公告)号：CN107065058B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710266022.6
申请日：2017-04-21
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料具体为：在锑化镓的基质中嵌入锑化铒的纳米线阵列，纳米线阵列的方向与基质表面垂直或者平行，当锑化铒的体积比浓度为10％时，纳米线阵列的方向垂直于基质表面；当锑化铒的体积比浓度为15‑25％时，纳米线阵列的方向平行于基质表面。本发明通过分子束外延的方法，获得在半导体材料中嵌入具有半金属性质的纳米线结构的复合材料，这种材料可用作宽频的太赫兹和红外偏振器，并可与基于III－V族半导体材料的太赫兹和红外光电器件进行集成。
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公开(公告)号：CN107316802A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710495403.1
申请日：2017-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法，具体步骤包括：(1)提供(100)晶面的硅衬底；(2)在1350℃的高温下对硅衬底进行去氧化处理，去氧化时间为10分钟；(3)通过分子束外延的方法，在去氧化后的硅衬底之上生长一层20-50nm厚的硅缓冲层，生长温度为700℃；(4)将硅缓冲层降温到生长温度，该生长温度在300℃以下，然后生长GexSi1-x合金，通过改变Ge和Si的生长速率调节Ge的含量，也就是x值。本发明可以在硅片上直接低温生长晶格常数可调的高质量锗硅(GexSi1-x)薄膜材料，锗含量最高可达83％。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式，其操作更简单，成本更低。
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公开(公告)号：CN114975645B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210523511.6
申请日：2022-05-14
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂III‑V族半导体结构，包括依次层叠设置的半导体衬底、N型掺杂半导体层、稀土掺杂III‑V族半导体层和P型掺杂半导体层。本发明还公开了一种基于稀土掺杂III‑V族半导体结构的光电探测器结构，包括稀土掺杂III‑V族半导体结构，以及分别位于N型掺杂半导体层上表面的底部电极和位于P型掺杂半导体层上表面的顶部电极。稀土掺杂III‑V族半导体层中的稀土离子在III‑V族半导体禁带中引入带间能级，实现亚带隙吸收和与半导体基体之间的双向能量传递。基于稀土掺杂III‑V族半导体材料的光电探测器，可用作包括光通讯波段(1.31‑1.55μm)在内的室温可见‑近红外多波段探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115732582A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211591380.1
申请日：2022-12-12
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种超快光电导结构，包含半导体衬底和超晶格光电导层，其中超晶格光电导层的周期结构包括光吸收层和载流子扩散阻挡层。本发明还公开了一种光电导天线器件，由超快光电导结构以及天线结构组成。本发明通过外延方式精确调控光电导结构的组分、结构等，结合材料生长后的退火条件控制，对材料的载流子寿命、暗电阻和迁移率进行调制，在通信波段实现亚皮秒级的快速弛豫，可用于飞秒激光激发的太赫兹源和探测器。
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公开(公告)号：CN114975645A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210523511.6
申请日：2022-05-14
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂III‑V族半导体结构，包括依次层叠设置的半导体衬底、N型掺杂半导体层、稀土掺杂III‑V族半导体层和P型掺杂半导体层。本发明还公开了一种基于稀土掺杂III‑V族半导体结构的光电探测器结构，包括稀土掺杂III‑V族半导体结构，以及分别位于N型掺杂半导体层上表面的底部电极和位于P型掺杂半导体层上表面的顶部电极。稀土掺杂III‑V族半导体层中的稀土离子在III‑V族半导体禁带中引入带间能级，实现亚带隙吸收和与半导体基体之间的双向能量传递。基于稀土掺杂III‑V族半导体材料的光电探测器，可用作包括光通讯波段(1.31‑1.55μm)在内的室温可见‑近红外多波段探测。
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公开(公告)号：CN114914784A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210564951.6
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硅基带间级联激光器结构、激光器及其制备方法。该硅基带间级联激光器结构包括：自下而上依次为硅衬底、多层缓冲层以及带间级联超晶格层，其中，多层缓冲层是由硅锗半导体层和III‑V族半导体层组成。该硅基带间级联激光器通过Si1‑xGex（x=0‑1）、AlyGa1‑yAs（y=0‑1）、AlzGa1‑zSb（z=0‑1）以及InwGa1‑wAs（w=0‑1）等多层缓冲层的过渡，解决了III‑V族化合物与Si衬底的失配问题，实现了基于InAs的带间级联激光器结构在硅衬底上的直接外延集成，将可大规模应用的硅基外延激光器向更长波长的中红外范围拓展，且避免了传统的键合等异质集成方式工艺复杂，原生衬底昂贵等弊端。
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公开(公告)号：CN109979996B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201910237587.0
申请日：2019-03-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/47 , H01L21/285 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种半金属/半导体肖特基结及其制备方法和肖特基二极管。本发明提供的半金属/半导体肖特基结，包括半导体层和半金属层，所述半导体层和半金属层之间形成肖特基接触；其中，形成所述半金属层的化合物为稀土元素与VA族元素组成的化合物。本发明提供的半金属/半导体肖特基结中半导体层和半金属层的界面热稳定性良好，基于所述半金属/半导体肖特基结的肖特基二极管，理想因子约为1.05，噪声等效功率可降低至pW/Hz1/2甚至亚pW/Hz1/2量级，具有更灵敏的探测性能。
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公开(公告)号：CN113555457A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010338509.2
申请日：2020-04-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种Ge/Si衬底，其包括依次层叠设置的Si衬底、Si缓冲层和Ge薄膜，所述Ge薄膜通过外延法生长在所述Si缓冲层上，其中所述Ge薄膜的空穴迁移率大于1000cm2/Vs。本发明提供的Ge/Si衬底中，Ge薄膜表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，空穴载流子迁移率大于1000cm2/Vs，最高可达1300cm2/V·s，可以极大的推动Si基Ge光子技术的发展，另外本发明的Ge/Si衬底可以代替锗衬底，用于材料的外延生长及后续的器件集成和加工。本发明还提供了Ge/Si衬底的制备方法。
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