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公开(公告)号：CN109166788A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810992194.6
申请日：2018-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法。该方法具体步骤包括：步骤1，获取(100)晶面的硅衬底或者(111)晶面的硅衬底；步骤2，将硅衬底用氢氟酸处理后，在真空环境中进行表面处理；步骤3，通过分子束外延的方法，在处理后的硅衬底之上生长一层硅缓冲层；步骤4，调至合适的生长温度，然后在硅缓冲层上直接外延生长微米级别厚度的锗虚拟衬底。本发明的方法可以在硅片上直接外延锗虚拟衬底，其生长的锗虚拟衬底表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，可以代替锗衬底用于后续材料的生长。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式，制备工艺更简单，可以降低成本。
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公开(公告)号：CN107723789B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710889208.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量灰锡单晶薄膜的低温外延制备方法，具体步骤包括：(1)对(100)晶面的InSb衬底加热进行去氧化处理；(2)通过分子束外延的方法在InSb衬底上生长一层InSb缓冲层，生长温度为450℃；(3)在InSb缓冲层的表面沉积一层50nm厚的非晶Sb作为保护层，防止氧化；(4)在Ⅳ族分子束外延设备中，将InSb衬底加热至400℃去除非晶Sb；(5)通过分子束外延的生长方法，在10℃～15℃的条件下，生长灰锡薄膜，生长速率为0.025A/sec；最终得到20nm～100nm厚的灰锡单晶薄膜。本发明利用低温外延法制备的灰锡薄膜的相变温度由已知的13.2℃提高到了120℃。
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公开(公告)号：CN109166788B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201810992194.6
申请日：2018-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法。该方法具体步骤包括：步骤1，获取(100)晶面的硅衬底或者(111)晶面的硅衬底；步骤2，将硅衬底用氢氟酸处理后，在真空环境中进行表面处理；步骤3，通过分子束外延的方法，在处理后的硅衬底之上生长一层硅缓冲层；步骤4，调至合适的生长温度，然后在硅缓冲层上直接外延生长微米级别厚度的锗虚拟衬底。本发明的方法可以在硅片上直接外延锗虚拟衬底，其生长的锗虚拟衬底表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，可以代替锗衬底用于后续材料的生长。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式，制备工艺更简单，可以降低成本。
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公开(公告)号：CN107723789A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710889208.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量灰锡单晶薄膜的低温外延制备方法，具体步骤包括：(1)对(100)晶面的InSb衬底加热进行去氧化处理；(2)通过分子束外延的方法在InSb衬底上生长一层InSb缓冲层，生长温度为450℃；(3)在InSb缓冲层的表面沉积一层50nm厚的非晶Sb作为保护层，防止氧化；(4)在Ⅳ族分子束外延设备中，将InSb衬底加热至400℃去除非晶Sb；(5)通过分子束外延的生长方法，在10℃～15℃的条件下，生长灰锡薄膜，生长速率为0.025A/sec；最终得到20nm～100nm厚的灰锡单晶薄膜。本发明利用低温外延法制备的灰锡薄膜的相变温度由已知的13.2℃提高到了120℃。
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