公开(公告)号：CN113555457B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202010338509.2

申请日：2020-04-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 芦红 ,  魏炼 ,  苗艺 ,  李晨 ,  陈延峰

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种Ge/Si衬底，其包括依次层叠设置的Si衬底、Si缓冲层和Ge薄膜，所述Ge薄膜通过外延法生长在所述Si缓冲层上，其中所述Ge薄膜的空穴迁移率大于1000cm2/Vs。本发明提供的Ge/Si衬底中，Ge薄膜表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，空穴载流子迁移率大于1000cm2/Vs，最高可达1300cm2/V·s，可以极大的推动Si基Ge光子技术的发展，另外本发明的Ge/Si衬底可以代替锗衬底，用于材料的外延生长及后续的器件集成和加工。本发明还提供了Ge/Si衬底的制备方法。

公开(公告)号：CN109166788A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201810992194.6

申请日：2018-08-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 芦红 ,  苗艺 ,  魏炼 ,  叶佳佳 ,  宋欢欢 ,  陈延峰

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法。该方法具体步骤包括：步骤1，获取(100)晶面的硅衬底或者(111)晶面的硅衬底；步骤2，将硅衬底用氢氟酸处理后，在真空环境中进行表面处理；步骤3，通过分子束外延的方法，在处理后的硅衬底之上生长一层硅缓冲层；步骤4，调至合适的生长温度，然后在硅缓冲层上直接外延生长微米级别厚度的锗虚拟衬底。本发明的方法可以在硅片上直接外延锗虚拟衬底，其生长的锗虚拟衬底表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，可以代替锗衬底用于后续材料的生长。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式，制备工艺更简单，可以降低成本。

公开(公告)号：CN109166788B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201810992194.6

申请日：2018-08-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 芦红 ,  苗艺 ,  魏炼 ,  叶佳佳 ,  宋欢欢 ,  陈延峰

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法。该方法具体步骤包括：步骤1，获取(100)晶面的硅衬底或者(111)晶面的硅衬底；步骤2，将硅衬底用氢氟酸处理后，在真空环境中进行表面处理；步骤3，通过分子束外延的方法，在处理后的硅衬底之上生长一层硅缓冲层；步骤4，调至合适的生长温度，然后在硅缓冲层上直接外延生长微米级别厚度的锗虚拟衬底。本发明的方法可以在硅片上直接外延锗虚拟衬底，其生长的锗虚拟衬底表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，可以代替锗衬底用于后续材料的生长。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式，制备工艺更简单，可以降低成本。

公开(公告)号：CN113555457A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202010338509.2

申请日：2020-04-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 芦红 ,  魏炼 ,  苗艺 ,  李晨 ,  陈延峰

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种Ge/Si衬底，其包括依次层叠设置的Si衬底、Si缓冲层和Ge薄膜，所述Ge薄膜通过外延法生长在所述Si缓冲层上，其中所述Ge薄膜的空穴迁移率大于1000cm2/Vs。本发明提供的Ge/Si衬底中，Ge薄膜表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，空穴载流子迁移率大于1000cm2/Vs，最高可达1300cm2/V·s，可以极大的推动Si基Ge光子技术的发展，另外本发明的Ge/Si衬底可以代替锗衬底，用于材料的外延生长及后续的器件集成和加工。本发明还提供了Ge/Si衬底的制备方法。