公开(公告)号：CN114975645B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202210523511.6

申请日：2022-05-14

Applicant: 南京大学 ,  南京磊帮半导体科技有限公司

Inventor： 芦红 ,  程渊博 ,  姚金山 ,  张克冬 ,  李晨 ,  谢景龙

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/102

Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂III‑V族半导体结构，包括依次层叠设置的半导体衬底、N型掺杂半导体层、稀土掺杂III‑V族半导体层和P型掺杂半导体层。本发明还公开了一种基于稀土掺杂III‑V族半导体结构的光电探测器结构，包括稀土掺杂III‑V族半导体结构，以及分别位于N型掺杂半导体层上表面的底部电极和位于P型掺杂半导体层上表面的顶部电极。稀土掺杂III‑V族半导体层中的稀土离子在III‑V族半导体禁带中引入带间能级，实现亚带隙吸收和与半导体基体之间的双向能量传递。基于稀土掺杂III‑V族半导体材料的光电探测器，可用作包括光通讯波段(1.31‑1.55μm)在内的室温可见‑近红外多波段探测。

公开(公告)号：CN114975645A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210523511.6

申请日：2022-05-14

Applicant: 南京大学 ,  南京磊帮半导体科技有限公司

Inventor： 芦红 ,  程渊博 ,  姚金山 ,  张克冬 ,  李晨 ,  谢景龙

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/102

Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂III‑V族半导体结构，包括依次层叠设置的半导体衬底、N型掺杂半导体层、稀土掺杂III‑V族半导体层和P型掺杂半导体层。本发明还公开了一种基于稀土掺杂III‑V族半导体结构的光电探测器结构，包括稀土掺杂III‑V族半导体结构，以及分别位于N型掺杂半导体层上表面的底部电极和位于P型掺杂半导体层上表面的顶部电极。稀土掺杂III‑V族半导体层中的稀土离子在III‑V族半导体禁带中引入带间能级，实现亚带隙吸收和与半导体基体之间的双向能量传递。基于稀土掺杂III‑V族半导体材料的光电探测器，可用作包括光通讯波段(1.31‑1.55μm)在内的室温可见‑近红外多波段探测。