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公开(公告)号:CN114975645B
公开(公告)日:2024-03-19
申请号:CN202210523511.6
申请日:2022-05-14
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂III‑V族半导体结构,包括依次层叠设置的半导体衬底、N型掺杂半导体层、稀土掺杂III‑V族半导体层和P型掺杂半导体层。本发明还公开了一种基于稀土掺杂III‑V族半导体结构的光电探测器结构,包括稀土掺杂III‑V族半导体结构,以及分别位于N型掺杂半导体层上表面的底部电极和位于P型掺杂半导体层上表面的顶部电极。稀土掺杂III‑V族半导体层中的稀土离子在III‑V族半导体禁带中引入带间能级,实现亚带隙吸收和与半导体基体之间的双向能量传递。基于稀土掺杂III‑V族半导体材料的光电探测器,可用作包括光通讯波段(1.31‑1.55μm)在内的室温可见‑近红外多波段探测。
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公开(公告)号:CN114975645A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210523511.6
申请日:2022-05-14
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂III‑V族半导体结构,包括依次层叠设置的半导体衬底、N型掺杂半导体层、稀土掺杂III‑V族半导体层和P型掺杂半导体层。本发明还公开了一种基于稀土掺杂III‑V族半导体结构的光电探测器结构,包括稀土掺杂III‑V族半导体结构,以及分别位于N型掺杂半导体层上表面的底部电极和位于P型掺杂半导体层上表面的顶部电极。稀土掺杂III‑V族半导体层中的稀土离子在III‑V族半导体禁带中引入带间能级,实现亚带隙吸收和与半导体基体之间的双向能量传递。基于稀土掺杂III‑V族半导体材料的光电探测器,可用作包括光通讯波段(1.31‑1.55μm)在内的室温可见‑近红外多波段探测。
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