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公开(公告)号：CN113972292A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110333443.2
申请日：2021-03-29
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/30 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于InP基带隙可调的结构，包括依次层叠设置的上电极层、超晶格功能层、下电极层和InP衬底，其中超晶格功能层作为光电转换器件光的吸收或发射区，超晶格功能层为晶格常数大于和小于InP衬底的晶格常数的半导体层交替堆叠生长组成的超晶格。本发明还公开了基于此结构的光电转换器件以及此结构的分子束外延生长方法。由于超晶格内部的应变补偿的方法，将两种大失配的半导体材料集成在一起，且无需考虑由于失配应变产生的位错缺陷导致超晶格的质量变差和引起器件暗电流等因素。同时，通过改变短周期超晶格的周期长度可以改变应变补偿短周期超晶格的光学带隙，拓展了结构的光电转换响应波长范围，使得近红外波段的光电转换器件可在同一材料体系中实现宽的可调响应范围。
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公开(公告)号：CN114975645B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210523511.6
申请日：2022-05-14
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂III‑V族半导体结构，包括依次层叠设置的半导体衬底、N型掺杂半导体层、稀土掺杂III‑V族半导体层和P型掺杂半导体层。本发明还公开了一种基于稀土掺杂III‑V族半导体结构的光电探测器结构，包括稀土掺杂III‑V族半导体结构，以及分别位于N型掺杂半导体层上表面的底部电极和位于P型掺杂半导体层上表面的顶部电极。稀土掺杂III‑V族半导体层中的稀土离子在III‑V族半导体禁带中引入带间能级，实现亚带隙吸收和与半导体基体之间的双向能量传递。基于稀土掺杂III‑V族半导体材料的光电探测器，可用作包括光通讯波段(1.31‑1.55μm)在内的室温可见‑近红外多波段探测。
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公开(公告)号：CN115732582A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211591380.1
申请日：2022-12-12
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种超快光电导结构，包含半导体衬底和超晶格光电导层，其中超晶格光电导层的周期结构包括光吸收层和载流子扩散阻挡层。本发明还公开了一种光电导天线器件，由超快光电导结构以及天线结构组成。本发明通过外延方式精确调控光电导结构的组分、结构等，结合材料生长后的退火条件控制，对材料的载流子寿命、暗电阻和迁移率进行调制，在通信波段实现亚皮秒级的快速弛豫，可用于飞秒激光激发的太赫兹源和探测器。
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公开(公告)号：CN114975645A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210523511.6
申请日：2022-05-14
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂III‑V族半导体结构，包括依次层叠设置的半导体衬底、N型掺杂半导体层、稀土掺杂III‑V族半导体层和P型掺杂半导体层。本发明还公开了一种基于稀土掺杂III‑V族半导体结构的光电探测器结构，包括稀土掺杂III‑V族半导体结构，以及分别位于N型掺杂半导体层上表面的底部电极和位于P型掺杂半导体层上表面的顶部电极。稀土掺杂III‑V族半导体层中的稀土离子在III‑V族半导体禁带中引入带间能级，实现亚带隙吸收和与半导体基体之间的双向能量传递。基于稀土掺杂III‑V族半导体材料的光电探测器，可用作包括光通讯波段(1.31‑1.55μm)在内的室温可见‑近红外多波段探测。
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公开(公告)号：CN114914784A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210564951.6
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硅基带间级联激光器结构、激光器及其制备方法。该硅基带间级联激光器结构包括：自下而上依次为硅衬底、多层缓冲层以及带间级联超晶格层，其中，多层缓冲层是由硅锗半导体层和III‑V族半导体层组成。该硅基带间级联激光器通过Si1‑xGex（x=0‑1）、AlyGa1‑yAs（y=0‑1）、AlzGa1‑zSb（z=0‑1）以及InwGa1‑wAs（w=0‑1）等多层缓冲层的过渡，解决了III‑V族化合物与Si衬底的失配问题，实现了基于InAs的带间级联激光器结构在硅衬底上的直接外延集成，将可大规模应用的硅基外延激光器向更长波长的中红外范围拓展，且避免了传统的键合等异质集成方式工艺复杂，原生衬底昂贵等弊端。
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公开(公告)号：CN113972292B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110333443.2
申请日：2021-03-29
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/30 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于InP基带隙可调的结构，包括依次层叠设置的上电极层、超晶格功能层、下电极层和InP衬底，其中超晶格功能层作为光电转换器件光的吸收或发射区，超晶格功能层为晶格常数大于和小于InP衬底的晶格常数的半导体层交替堆叠生长组成的超晶格。本发明还公开了基于此结构的光电转换器件以及此结构的分子束外延生长方法。由于超晶格内部的应变补偿的方法，将两种大失配的半导体材料集成在一起，且无需考虑由于失配应变产生的位错缺陷导致超晶格的质量变差和引起器件暗电流等因素。同时，通过改变短周期超晶格的周期长度可以改变应变补偿短周期超晶格的光学带隙，拓展了结构的光电转换响应波长范围，使得近红外波段的光电转换器件可在同一材料体系中实现宽的可调响应范围。
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公开(公告)号：CN114914791A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210564930.4
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成激光光源和探测结构及其制备方法，包括带间级联激光器和光电探测器，带间级联激光器与光电探测器位于同一衬底上，且具有相同的外延结构。本发明还提供这种集成激光光源和探测结构的制备方法，用于将带间级联激光器与光电探测器集成为一体。本发明通过半导体制造工艺方法实现激光器与探测器的单片集成，有利于实现激光发射与探测系统的微型化，提高了器件的集成度，使得器件可靠性增强，成本降低，可广泛应用于气体探测和工业控制等领域。
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公开(公告)号：CN118818751A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410897566.2
申请日：2024-07-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种流体驱动多频谱兼容智能隐身器件及其制备方法，属于隐身技术领域，包括多个呈水平周期性排列的结构单元；所述结构单元包括从上到下依次设置的机械致变色层、可变形弹性体层和红外与雷达隐身层；所述红外与雷达隐身层具有液体通道凹槽；多个结构单元之间的液体通道凹槽相互连通；所述可变形弹性体层封装液体通道凹槽并能够变形；所述机械致变色层能够在机械应变下实现可见光波段的结构色变化；向液体通道凹槽内注入液体，实现动态红外和雷达隐身，同时通过可变形弹性体层传递机械应变引起机械致变色层的颜色变化。本发明具有调控范围广、响应时间快、可编程性、循环稳定性好等优点。
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公开(公告)号：CN101451883B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810243433.4
申请日：2008-12-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种用于机械转子单截面轴振分析的短时频谱阵列，称为短时二维全息谱阵列，它的制作包含下面步骤：(1)读取同步采集的来自转轴一截面两垂直方向的x信号序列和y信号序列；(2)按一定的时延D和短时窗长L，分别对x信号序列和y信号序列进行分割，依次分割出各自的一组短时信号序列；(3)用每一对时跨相同的两方向短时信号序列在频域合成一个短时二维全息谱；(4)将合成的所有短时二维全息谱沿时间轴排列，即按短时信号序列截取的时间次序排列。短时二维全息谱阵列，不仅能反映各轴振分量振动幅值随时间的动态变化，也能反映振动方向随时间动态变化的特点，是对机械转轴运行平稳性进行深度分析的工具。
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