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公开(公告)号:CN118818751A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202410897566.2
申请日:2024-07-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种流体驱动多频谱兼容智能隐身器件及其制备方法,属于隐身技术领域,包括多个呈水平周期性排列的结构单元;所述结构单元包括从上到下依次设置的机械致变色层、可变形弹性体层和红外与雷达隐身层;所述红外与雷达隐身层具有液体通道凹槽;多个结构单元之间的液体通道凹槽相互连通;所述可变形弹性体层封装液体通道凹槽并能够变形;所述机械致变色层能够在机械应变下实现可见光波段的结构色变化;向液体通道凹槽内注入液体,实现动态红外和雷达隐身,同时通过可变形弹性体层传递机械应变引起机械致变色层的颜色变化。本发明具有调控范围广、响应时间快、可编程性、循环稳定性好等优点。
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公开(公告)号:CN101451883B
公开(公告)日:2010-10-13
申请号:CN200810243433.4
申请日:2008-12-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种用于机械转子单截面轴振分析的短时频谱阵列,称为短时二维全息谱阵列,它的制作包含下面步骤:(1)读取同步采集的来自转轴一截面两垂直方向的x信号序列和y信号序列;(2)按一定的时延D和短时窗长L,分别对x信号序列和y信号序列进行分割,依次分割出各自的一组短时信号序列;(3)用每一对时跨相同的两方向短时信号序列在频域合成一个短时二维全息谱;(4)将合成的所有短时二维全息谱沿时间轴排列,即按短时信号序列截取的时间次序排列。短时二维全息谱阵列,不仅能反映各轴振分量振动幅值随时间的动态变化,也能反映振动方向随时间动态变化的特点,是对机械转轴运行平稳性进行深度分析的工具。
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公开(公告)号:CN101451883A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200810243433.4
申请日:2008-12-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种用于机械转子单截面轴振分析的短时频谱阵列,称为短时二维全息谱阵列,它的制作包含下面步骤:(1)读取同步采集的来自转轴一截面两垂直方向的x信号序列和y信号序列;(2)按一定的时延D和短时窗长L,分别对x信号序列和y信号序列进行分割,依次分割出各自的一组短时信号序列;(3)用每一对时跨相同的两方向短时信号序列在频域合成一个短时二维全息谱;(4)将合成的所有短时二维全息谱沿时间轴排列,即按短时信号序列截取的时间次序排列。短时二维全息谱阵列,不仅能反映各轴振分量振动幅值随时间的动态变化,也能反映振动方向随时间动态变化的特点,是对机械转轴运行平稳性进行深度分析的工具。
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公开(公告)号:CN114307941B
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202111208776.9
申请日:2021-10-18
Applicant: 南京大学
IPC: B01J20/02 , B01J20/32 , C02F1/28 , C02F1/70 , C02F1/72 , C02F1/30 , B01J31/02 , C02F101/14 , C02F101/36
Abstract: 本发明公开了一种胺化表面缺陷闪锌矿材料、制备方法及其在降解全氟化合物中的应用,属于持久性污染物降解领域。本发明通过在闪锌矿的合成过程中加入阳离子表面活性剂而对闪锌矿进行表面胺化并诱导形成表面晶体缺陷,得到一种新型的胺化表面缺陷闪锌矿材料,该材料表现出对全氟化合物(PFCs)极强的吸附性和极强的光还原性,应用在全氟污染水体中,能够大大促进PFCs降解和脱氟,解决现有降解全氟化合物技术存在的降解效率低、反应条件苛刻等问题。
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公开(公告)号:CN114307941A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202111208776.9
申请日:2021-10-18
Applicant: 南京大学
IPC: B01J20/02 , B01J20/32 , C02F1/28 , C02F1/70 , C02F1/72 , C02F1/30 , B01J31/02 , C02F101/14 , C02F101/36
Abstract: 本发明公开了一种胺化表面缺陷闪锌矿材料、制备方法及其在降解全氟化合物中的应用,属于持久性污染物降解领域。本发明通过在闪锌矿的合成过程中加入阳离子表面活性剂而对闪锌矿进行表面胺化并诱导形成表面晶体缺陷,得到一种新型的胺化表面缺陷闪锌矿材料,该材料表现出对全氟化合物(PFCs)极强的吸附性和极强的光还原性,应用在全氟污染水体中,能够大大促进PFCs降解和脱氟,解决现有降解全氟化合物技术存在的降解效率低、反应条件苛刻等问题。
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公开(公告)号:CN113972292A
公开(公告)日:2022-01-25
申请号:CN202110333443.2
申请日:2021-03-29
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/30 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于InP基带隙可调的结构,包括依次层叠设置的上电极层、超晶格功能层、下电极层和InP衬底,其中超晶格功能层作为光电转换器件光的吸收或发射区,超晶格功能层为晶格常数大于和小于InP衬底的晶格常数的半导体层交替堆叠生长组成的超晶格。本发明还公开了基于此结构的光电转换器件以及此结构的分子束外延生长方法。由于超晶格内部的应变补偿的方法,将两种大失配的半导体材料集成在一起,且无需考虑由于失配应变产生的位错缺陷导致超晶格的质量变差和引起器件暗电流等因素。同时,通过改变短周期超晶格的周期长度可以改变应变补偿短周期超晶格的光学带隙,拓展了结构的光电转换响应波长范围,使得近红外波段的光电转换器件可在同一材料体系中实现宽的可调响应范围。
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公开(公告)号:CN101368870A
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200810156584.6
申请日:2008-10-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种用于机械转子单截面轴振分析的幅值频谱,它的制作由这些步骤组成:(1)读入同步采集的转轴一截面两垂直方向的位移信号序列x和y;(2)分别对两信号序列进行快速离散傅立叶变换;(3)基于两信号离散傅立叶变换结果求取各自傅立叶级数;(4)从获取的两傅立叶级数中,将每个频率下的来自x信号的正弦波谐波分量和来自y信号的正弦波谐波分量合成,得到一个轴心轨迹椭圆,又称为李萨育图形;(5)计算各频率下所合成椭圆的长半轴的大小,即各频率下截面上的轴振幅值的大小;(6)以频率或其阶次为横轴,以轴振幅值为纵轴,绘制出幅值频谱。每个轴振幅值代表相应频率下截面轴振实际大小,不受传感器安装方位影响。
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公开(公告)号:CN119944320A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202510108725.0
申请日:2025-01-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种液态金属层封装的蜂窝结构微波‑红外隐身调制系统,属于微波‑红外兼容伪装技术领域,包括蜂窝结构和液态金属层,蜂窝结构包括蜂窝底和周期性排列的蜂窝芯,蜂窝芯设置在蜂窝底上,液态金属层覆盖在蜂窝芯上,蜂窝底和蜂窝芯材质相同,均由弹性体基质、吸波材料和固化剂混合制备而成,液态金属层由液态金属、弹性体基质和固化剂混合制备而成。本发明还提供了上述微波‑红外隐身调制系统的制备方法。本发明可通过调节电磁参数、蜂窝结构参数、液态金属浓度和形貌变化,实现反射率和红外发射率的调节。本发明液态金属封装的蜂窝结构还具备宽频吸波、低红外发射率、曲面共形能力以及良好的柔韧性和散热性能。
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公开(公告)号:CN114975645B
公开(公告)日:2024-03-19
申请号:CN202210523511.6
申请日:2022-05-14
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂III‑V族半导体结构,包括依次层叠设置的半导体衬底、N型掺杂半导体层、稀土掺杂III‑V族半导体层和P型掺杂半导体层。本发明还公开了一种基于稀土掺杂III‑V族半导体结构的光电探测器结构,包括稀土掺杂III‑V族半导体结构,以及分别位于N型掺杂半导体层上表面的底部电极和位于P型掺杂半导体层上表面的顶部电极。稀土掺杂III‑V族半导体层中的稀土离子在III‑V族半导体禁带中引入带间能级,实现亚带隙吸收和与半导体基体之间的双向能量传递。基于稀土掺杂III‑V族半导体材料的光电探测器,可用作包括光通讯波段(1.31‑1.55μm)在内的室温可见‑近红外多波段探测。
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