公开(公告)号：CN109979996B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201910237587.0

申请日：2019-03-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 芦红 ,  丁元丰 ,  张克冬

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/285 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种半金属/半导体肖特基结及其制备方法和肖特基二极管。本发明提供的半金属/半导体肖特基结，包括半导体层和半金属层，所述半导体层和半金属层之间形成肖特基接触；其中，形成所述半金属层的化合物为稀土元素与VA族元素组成的化合物。本发明提供的半金属/半导体肖特基结中半导体层和半金属层的界面热稳定性良好，基于所述半金属/半导体肖特基结的肖特基二极管，理想因子约为1.05，噪声等效功率可降低至pW/Hz1/2甚至亚pW/Hz1/2量级，具有更灵敏的探测性能。

公开(公告)号：CN109979996A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201910237587.0

申请日：2019-03-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 芦红 ,  丁元丰 ,  张克冬

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/285 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种半金属/半导体肖特基结及其制备方法和肖特基二极管。本发明提供的半金属/半导体肖特基结，包括半导体层和半金属层，所述半导体层和半金属层之间形成肖特基接触；其中，形成所述半金属层的化合物为稀土元素与VA族元素组成的化合物。本发明提供的半金属/半导体肖特基结中半导体层和半金属层的界面热稳定性良好，基于所述半金属/半导体肖特基结的肖特基二极管，理想因子约为1.05，噪声等效功率可降低至pW/Hz1/2甚至亚pW/Hz1/2量级，具有更灵敏的探测性能。

公开(公告)号：CN115347114A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210983344.3

申请日：2022-08-16

Applicant: 南京大学 ,  南京磊帮半导体科技有限公司

Inventor： 芦红 ,  李秉欣 ,  丁元丰 ,  谢景龙

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种高阻值半导体结构及其制备方法。该结构包括：自下而上依次为衬底、高阻值缓冲层、拓扑材料层，高阻值缓冲层为III‑V族半导体层，其中，高阻值缓冲层的厚度为5‑50 nm。本发明还公开了一种基于高阻值半导体结构的自旋电子器件结构。高阻值半导体结构通过在拓扑材料层和衬底间引入高阻值缓冲层，在保证拓扑材料层质量的同时，极大地提高了拓扑材料层的外延成功率和可控性，并且可以极大地减小输运实验和器件应用中衬底的分流效应。