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公开(公告)号：CN115732582A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211591380.1
申请日：2022-12-12
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种超快光电导结构，包含半导体衬底和超晶格光电导层，其中超晶格光电导层的周期结构包括光吸收层和载流子扩散阻挡层。本发明还公开了一种光电导天线器件，由超快光电导结构以及天线结构组成。本发明通过外延方式精确调控光电导结构的组分、结构等，结合材料生长后的退火条件控制，对材料的载流子寿命、暗电阻和迁移率进行调制，在通信波段实现亚皮秒级的快速弛豫，可用于飞秒激光激发的太赫兹源和探测器。
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