-
公开(公告)号：CN111429495B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202010302960.9
申请日：2020-04-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种新型非刚性图像配准方法，包括以下步骤：构建浮动图像与固定图像之间的位移场的二阶有界广义形变函数，将位移场的二阶广义形变函数作为变分模型的正则项；按照待配准图像之间的灰度分布特点，采用不同的数据项：当待配准图像之间的灰度分布接近，不存在局部灰度偏移时，采用平方差之和(sum of squared difference，SSD)作为模型的数据项，建立BGDSSD配准模型；当待配准图像之间存在局部灰度偏移时，采用局部相关系数(local correlation coefficient，LCC)作为模型的数据项，建立BGDLCC配准模型；利用自适应原始‑对偶算法求解配准模型，得到配准结果。本发明能够在满足有界形变的前提下得到更光滑的位移场，从而得到更有效的配准结果。
-
公开(公告)号：CN115732582A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211591380.1
申请日：2022-12-12
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种超快光电导结构，包含半导体衬底和超晶格光电导层，其中超晶格光电导层的周期结构包括光吸收层和载流子扩散阻挡层。本发明还公开了一种光电导天线器件，由超快光电导结构以及天线结构组成。本发明通过外延方式精确调控光电导结构的组分、结构等，结合材料生长后的退火条件控制，对材料的载流子寿命、暗电阻和迁移率进行调制，在通信波段实现亚皮秒级的快速弛豫，可用于飞秒激光激发的太赫兹源和探测器。
-
公开(公告)号：CN114975645A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210523511.6
申请日：2022-05-14
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂III‑V族半导体结构，包括依次层叠设置的半导体衬底、N型掺杂半导体层、稀土掺杂III‑V族半导体层和P型掺杂半导体层。本发明还公开了一种基于稀土掺杂III‑V族半导体结构的光电探测器结构，包括稀土掺杂III‑V族半导体结构，以及分别位于N型掺杂半导体层上表面的底部电极和位于P型掺杂半导体层上表面的顶部电极。稀土掺杂III‑V族半导体层中的稀土离子在III‑V族半导体禁带中引入带间能级，实现亚带隙吸收和与半导体基体之间的双向能量传递。基于稀土掺杂III‑V族半导体材料的光电探测器，可用作包括光通讯波段(1.31‑1.55μm)在内的室温可见‑近红外多波段探测。
-
公开(公告)号：CN114914784A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210564951.6
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学 , 南京磊帮半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硅基带间级联激光器结构、激光器及其制备方法。该硅基带间级联激光器结构包括：自下而上依次为硅衬底、多层缓冲层以及带间级联超晶格层，其中，多层缓冲层是由硅锗半导体层和III‑V族半导体层组成。该硅基带间级联激光器通过Si1‑xGex（x=0‑1）、AlyGa1‑yAs（y=0‑1）、AlzGa1‑zSb（z=0‑1）以及InwGa1‑wAs（w=0‑1）等多层缓冲层的过渡，解决了III‑V族化合物与Si衬底的失配问题，实现了基于InAs的带间级联激光器结构在硅衬底上的直接外延集成，将可大规模应用的硅基外延激光器向更长波长的中红外范围拓展，且避免了传统的键合等异质集成方式工艺复杂，原生衬底昂贵等弊端。
-
公开(公告)号：CN112551778B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011308954.0
申请日：2020-11-20
Applicant: 南京大学
IPC: C02F9/08 , C02F101/36
Abstract: 本发明公开了一种高效处理全氟化合物污染水体的方法，属于持久性污染物降解领域。本发明利用在水中呈正电性或电中性的吲哚衍生物，增强与阴离子的PFCs之间的结合作用，从而提高其产生的水合电子与PFCs的反应效率，促进PFCs的降解和脱氟，不仅解决了现有的降解PFCs方法存在降解效率低、反应条件苛刻、需要添加其他外源物质等问题，而且对环境不会造成二次污染，具有较高的应用价值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113555457A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010338509.2
申请日：2020-04-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种Ge/Si衬底，其包括依次层叠设置的Si衬底、Si缓冲层和Ge薄膜，所述Ge薄膜通过外延法生长在所述Si缓冲层上，其中所述Ge薄膜的空穴迁移率大于1000cm2/Vs。本发明提供的Ge/Si衬底中，Ge薄膜表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，空穴载流子迁移率大于1000cm2/Vs，最高可达1300cm2/V·s，可以极大的推动Si基Ge光子技术的发展，另外本发明的Ge/Si衬底可以代替锗衬底，用于材料的外延生长及后续的器件集成和加工。本发明还提供了Ge/Si衬底的制备方法。
-
公开(公告)号：CN111429495A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010302960.9
申请日：2020-04-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种新型非刚性图像配准方法，包括以下步骤：构建浮动图像与固定图像之间的位移场的二阶有界广义形变函数，将位移场的二阶广义形变函数作为变分模型的正则项；按照待配准图像之间的灰度分布特点，采用不同的数据项：当待配准图像之间的灰度分布接近，不存在局部灰度偏移时，采用平方差之和(sum of squared difference，SSD)作为模型的数据项，建立BGDSSD配准模型；当待配准图像之间存在局部灰度偏移时，采用局部相关系数(local correlation coefficient，LCC)作为模型的数据项，建立BGDLCC配准模型；利用自适应原始-对偶算法求解配准模型，得到配准结果。本发明能够在满足有界形变的前提下得到更光滑的位移场，从而得到更有效的配准结果。
-
公开(公告)号：CN103337250A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310276651.9
申请日：2013-07-03
Applicant: 南京大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。本发明借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了104以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。
-
公开(公告)号：CN116598796A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310646214.5
申请日：2023-06-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明公开了一种基于可拉伸导体的气动宽频可调吸波材料及其制备方法，属于微波吸收材料技术领域，气动宽频可调吸波材料包括底层金属基板和多个呈矩阵式排布的吸收单元；吸收单元包括中间层介质板和位于顶层的可拉伸导体；介质板具有充气凹槽；可拉伸导体由介电弹性体和电阻层组成；介电弹性体附着于介质板的上表层，覆盖充气凹槽；电阻层的材料为二维纳米材料或二维纳米材料与低维纳米材料的复合材料；电阻层附着于介电弹性体的上表层，电阻层的初始形貌为不规则微米级褶皱图案；向充气凹槽内充气时，可拉伸导体将向上鼓起形成三维空间形状。本发明具有可开关性、大范围调幅调频、宽频带吸收、宽入射角度极化不敏感、系统功耗低等优点。
-
公开(公告)号：CN120024095A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510108722.7
申请日：2025-01-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种基于梯度阻抗渐变式的宽频吸波隔热材料，包括若干呈矩阵式排布的吸收单元，每个吸收单元包括隔热层、柔性吸波基底层和分布在柔性吸波基底层上的梯度渐变式结构，梯度渐变式结构包括若干个吸波机构，每个吸波机构包括至少一个柔性吸波层，同一吸波机构的柔性吸波层电磁参数相同，不同吸波机构的柔性吸波层，其电磁参数由下至上递减；分布在隔热层上的柔性吸波层由下至上尺寸递减。本发明还提供了上述宽频吸波隔热材料的制备方法。本发明能够通过调节电磁参数和梯度结构的尺寸大小和厚度，实现对C、X和Ku波段反射率的调控。本发明具有宽频可调、入射角极化不敏感、红外隔热、长期稳定以及承载能力强的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.031 seconds)
