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公开(公告)号：CN108649074A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810354086.6
申请日：2018-04-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于显示器件领域，公开了一种AZO透明栅极薄膜晶体管及其制备方法。将基底清洗，烘干预处理后通过脉冲激光沉积制备AZO栅极；在AZO栅极上使用射频磁控溅射沉积制备Al2O3栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；在300～350℃的温度下，对器件进行热退火处理；使用直流溅射沉积Al源漏电极，得到AZO透明栅极薄膜晶体管。本发明通过激光脉冲沉积制备AZO栅极，在降低薄膜电阻率的同时且兼有优良的透明度，极大地提高了TFT的器件性能。
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公开(公告)号：CN107955459A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201711175602.0
申请日：2017-11-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于印刷电子领域，公开了一种喷墨打印墨水及由其制备金属氧化物薄膜的方法。所述喷墨打印墨水由溶剂乙二醇、0.3～5wt.％的聚丙烯酰胺和0.1～0.6M的八水合氯氧化锆组成。将衬底经预处理后，设定喷墨打印机基板温度为25～30℃，喷头电压30～40V、温度55～65℃，墨滴间距为30～45μm在衬底上进行喷墨打印，打印完成后，将基板升温至40～60℃，静置10～15min，待液膜完全凝胶后，在250～500℃温度下加热处理得到氧化锆薄膜。本发明通过添加含有极性基团的水溶性聚合物聚丙烯酰胺，对金属离子具有螯合作用，并使体系在升温后快速凝胶化，限制溶质溶剂迁移，抑制咖啡环效应。
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公开(公告)号：CN109887991A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910135861.3
申请日：2019-02-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管包括依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、第一层有源层、第二层有源层和源漏电极；其中第一层有源层为硅的质量百分含量为0～3％的硅掺杂氧化锡，第二层有源层为硅的质量百分含量为5～10％的硅掺杂氧化锡。本发明采用硅掺杂氧化锡半导体材料作为有源层材料，通过搭配不同硅掺杂含量氧化锡有源层材料，制备叠层有源层结构，调控器件沟道中的载流子，获得良好的器件性能。
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公开(公告)号：CN109524469A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811219278.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于晶体管技术领域，公开了一种基于少层氧化亚锡的场效应晶体管及其制备方法。将尺寸大于200μm的大尺寸氧化亚锡晶体均匀洒在胶带上，通过胶带反复撕揭的机械剥离法剥离少层氧化亚锡晶体，然后转移到干净的硅片衬体上；在硅片衬体上旋涂一层电子束光刻胶，然后通过电子束光刻的方法得到源、漏电极图形，通过电子束蒸镀源、漏电极，得到基于少层氧化亚锡的场效应晶体管。本发明将少层氧化亚锡作为半导体有源层应用于场效应晶体管，并采用电子束光刻技术制备源、漏电极，具有操作可控性强，实验精度高的优点，有源层与源、漏电极之间的接触会很致密，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN109402735A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811062169.4
申请日：2018-09-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，具体涉及一种少层单晶氧化亚锡及其制备方法与应用。所述少层单晶氧化亚锡的制备方法包括以下步骤：以晶粒尺寸大于100μm的三维单晶氧化亚锡为原料，将其均匀洒在胶带的一部分上；将胶带中洒有所述三维单晶氧化亚锡的部分与空白部分对折挤压，然后撕开，重复所述对折挤压和撕开操作直至得到所述少层单晶氧化亚锡。所述少层单晶氧化亚锡可用于制备场效应晶体管。本发明采用的方法实验操作简单，所需的药品以及实验仪器都是普通常见的，不需要作特殊处理。并且所制得的少层单晶SnO不易受到污染，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109390411A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811146879.5
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/22 , H01L29/221 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种叠层有源层薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层有源层薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、Al2O3:Nd栅极绝缘层、AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成。本发明采用射频磁控溅射沉积制备得到了AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层，构成AZO/Al2O3有源层，AZO薄膜含有的元素为Al、Zn、O，这三种元素资源丰富，且都无毒无害，可以很好的响应当下提倡的绿色环保要求，与此同时可实现大面积的生产，且制备过程不需要加热处理。
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公开(公告)号：CN109346456A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811019125.3
申请日：2018-09-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于薄膜电极材料领域，公开了一种显示用电子器件铜互连布线电极及其制备方法。所述铜互连布线电极包括衬底及衬底上的铜合金薄膜层，所述铜合金薄膜的材料成分由Cu、Cr、Zr和Pr组成。以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在衬底上沉积铜合金薄膜层，得到显示用电子器件铜互连布线电极。本发明的制备方法简单，所制备的导电电极具有结合强度高，电阻率低的特点。
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公开(公告)号：CN108288643A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810077682.4
申请日：2018-01-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于电子器件的技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管。所述栅极，由依次叠设的铜合金层和三氧化二铝层组成，且三氧化二铝层靠近薄膜晶体管中栅极绝缘层；所述铜合金层包含铬和锆。方法：(1)在衬底上沉积铜合金薄膜，作为栅极主体层；(2)在铜合金薄膜上沉积三氧化二铝薄膜。氧化物薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、铜合金层、三氧化二铝层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极。本发明的氧化物薄膜晶体管栅极具有成本低廉，结合强度高，电阻率低，电学稳定性好，工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN109553126B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910002046.X
申请日：2019-01-02
Applicant: 华南理工大学
IPC: C01G19/02
Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种热蒸发制备二氧化锡晶体的方法。以SnO作为源材料，放置于管式炉中心加热区，将洗净的表面掺二氧化硅的硅片作为衬体，放置在距源材料12～20cm处；将管式炉内抽真空，然后通入Ar气；加热管式炉中心加热区温度为600～1200℃进行热蒸发沉积，在衬体上得到二氧化锡晶体。本发明的制备方法简单，所需的药品以及实验仪器都是普通常见的，不需要作特殊处理。并且所制得的方形二氧化锡晶体不易受到污染，形状规则。
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公开(公告)号：CN109524469B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811219278.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于晶体管技术领域，公开了一种基于少层氧化亚锡的场效应晶体管及其制备方法。将尺寸大于200μm的大尺寸氧化亚锡晶体均匀洒在胶带上，通过胶带反复撕揭的机械剥离法剥离少层氧化亚锡晶体，然后转移到干净的硅片衬体上；在硅片衬体上旋涂一层电子束光刻胶，然后通过电子束光刻的方法得到源、漏电极图形，通过电子束蒸镀源、漏电极，得到基于少层氧化亚锡的场效应晶体管。本发明将少层氧化亚锡作为半导体有源层应用于场效应晶体管，并采用电子束光刻技术制备源、漏电极，具有操作可控性强，实验精度高的优点，有源层与源、漏电极之间的接触会很致密，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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