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公开(公告)号：CN115201515B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210743282.9
申请日：2022-06-27
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提出一种单质量三轴MEMS加速度计敏感结构，实现三个轴向加速度的检测。通过结构对称性设计、检测差分设计、“工”字型弹性梁设计、交叉轴解耦设计显著降低交叉轴耦合。将检测梳齿锚区位置设计在结构轴线两侧附近，降低了温度变化过程中检测锚区在垂直于结构轴线方向上的位移，降低了环境温度变化时热应力对检测电容间隙变化的影响，提高加速度计输出特性的温度稳定性。
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公开(公告)号：CN113916255B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202111015153.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 用于辐照试验的MEMS惯性器件精确定位结构制作方法，先制作衬底，然后制作敏感结构，最后制作盖板，盖板上采用氢氧化钾湿法腐蚀硅片的方式形成辐照窗口，得到辐照屏蔽结构，该辐照屏蔽结构的位置需要正对着要进行辐照试验的敏感结构。本发明能够实现MEMS惯性器件微机械结构的精确定位，并通过硅片自身厚度差异实现不同剂量辐照实验。
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公开(公告)号：CN111122904B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201911330733.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种三明治加速度计微结构制作方法，涉及MEMS芯片制造领域，包括以下内容：上、下电极圆片采用硅衬底上薄层玻璃的晶片，首先上下电极圆片在玻璃面进行通孔光刻，再生长铬金薄膜，光刻腐蚀制造出上下电极极板，结构采用单晶硅晶片，利用湿法腐蚀工艺制作结构层，三层晶片通过阳极键合工艺键合在一起，在上极板背面生长铬金薄膜，最后切割上电极圆片露出焊盘，切割三层圆片得到三明治加速度计芯片。本方法充分利用硅玻璃键合的特点，简单易操作，对键合表面的要求低，本发明加工出的三明治加速度计近似全硅器件，热失配问题小、寄生电容小，本发明能使芯片的质量和成品率得到很大的提高。
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公开(公告)号：CN113916255A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111015153.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 用于辐照试验的MEMS惯性器件精确定位结构制作方法，先制作衬底，然后制作敏感结构，最后制作盖板，盖板上采用氢氧化钾湿法腐蚀硅片的方式形成辐照窗口，得到辐照屏蔽结构，该辐照屏蔽结构的位置需要正对着要进行辐照试验的敏感结构。本发明能够实现MEMS惯性器件微机械结构的精确定位，并通过硅片自身厚度差异实现不同剂量辐照实验。
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公开(公告)号：CN109217043B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810988100.8
申请日：2018-08-28
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01R24/28 , H01R13/502 , H01R13/6591
Abstract: 一种具有屏蔽功能的品字插头，涉及航空航天品字插头领域；包括品字插头部件和屏蔽电缆部件；品字插头部件包括内模、插头屏蔽层、外模、焊杯组件和焊杯固定壳；品字插头部件套装在屏蔽电缆部件的头端外壁；屏蔽电缆部件包括屏蔽电缆和线芯组；屏蔽电缆为绳状结构；线芯组伸出屏蔽电缆的轴向头端；线芯组包括3根线芯，3根线芯呈三头插头式分布；屏蔽电缆的外壁包裹一层屏蔽层；本发明能够有效抑制设备使用时的辐射发射，提升电磁屏蔽性能，可作为各类电子设备的供电插头。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111122904A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911330733.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种三明治加速度计微结构制作方法，涉及MEMS芯片制造领域，包括以下内容：上、下电极圆片采用硅衬底上薄层玻璃的晶片，首先上下电极圆片在玻璃面进行通孔光刻，再生长铬金薄膜，光刻腐蚀制造出上下电极极板，结构采用单晶硅晶片，利用湿法腐蚀工艺制作结构层，三层晶片通过阳极键合工艺键合在一起，在上极板背面生长铬金薄膜，最后切割上电极圆片露出焊盘，切割三层圆片得到三明治加速度计芯片。本方法充分利用硅玻璃键合的特点，简单易操作，对键合表面的要求低，本发明加工出的三明治加速度计近似全硅器件，热失配问题小、寄生电容小，本发明能使芯片的质量和成品率得到很大的提高。
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公开(公告)号：CN111024984A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911329259.X
申请日：2019-12-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/08
Abstract: 本发明公开了一种全硅三明治微加速度计制作方法，该方法包括如下步骤：在上极板硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，光刻腐蚀出多个上极板单元；在下极板硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，光刻腐蚀出多个下极板单元；在结构硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，双面光刻湿法腐蚀出多个结构单元；将结构硅晶片的结构单元、上极板硅晶片中与结构单元相对应的上极板单元和下极板硅晶片中与结构单元相对应的下极板单元在设定气压的键合设备内键合。本发明可以加工出密封性好、尺寸精度满足要求的敏感芯片，能减少焊盘的折损率，本发明能使芯片的质量和成品率得到很大的提高。
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公开(公告)号：CN108281349B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201810093853.2
申请日：2018-01-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，涉及硅微机械加工技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、在待刻蚀晶圆上表面涂覆光刻胶；步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤；步骤(三)、在光刻胶的上表面进行曝光显影，形成预先设计图形的光刻胶掩膜；步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜的外表面进行轰击处理；步骤(五)、在光刻胶掩膜的上表面，采用氧等离子体对光刻胶掩膜进行边角削除；得到最终图形成型的光刻胶掩膜；步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜，对待刻蚀晶圆进行深硅刻蚀；本发明使光刻胶掩膜具有更强的抗刻蚀能力、更高的图形符合度，有利于实现高陡直度深硅刻蚀结构。
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公开(公告)号：CN107706541B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201710627163.6
申请日：2017-07-28
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 一种超音速弹载组合式全向遥测天线，涉及弹载遥测天线领域；包括弹体和四个象限天线，四个象限天线分别为第一象限天线、第二象限天线、第三象限天线和第四象限天线；其中，弹体外壁为锥形桶状结构；四个象限天线对称固定安装在弹体的外壁，相邻两个象限天线的夹角为90°。四个象限天线位于垂直于弹体的同一平面上，且从弹尾向弹头方向，第一象限天线、第二象限天线、第三象限天线和第四象限天线沿顺时针排列；4个象限天线固定安装在弹体的表面的凹槽内，且天线罩的上表面与弹体光滑过渡；本发明避免了由于多天线同频工作在大尺寸载体上会出现干涉情况，避免了在交叠区域导致信号的丢失；降低天线剖面、弹体表面共形等结构要求。
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公开(公告)号：CN105293428B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510679727.1
申请日：2015-10-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件的全硅化圆片级真空封装方法及封装器件。采用平面电极引出方案，仅采用单个密封金属环即实现了器件的真空密封。采用平面电极的电信号引出方式有效的避免了全硅圆片封装工艺中常见的引入较大寄生电容的问题。本发明采用硅引线实现电互连，因此整体封装工艺具有更高的工艺兼容温度，从而可以在引线上制备更高密度更高质量的绝缘介质层，从而提高了器件的加工成品率和长期使用的可靠性。
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