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公开(公告)号：CN114572974A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011384432.9
申请日：2020-12-01
IPC: C01B32/194
Abstract: 公开一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成小分子聚合物层，得到小分子聚合物层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；在所述小分子聚合物层上形成有机辅助支撑层；在所述有机辅助支撑层表面粘附热释放胶带层；除去所述金属基底，得到热释放胶带层/有机辅助支撑层/小分子聚合物层/石墨烯薄膜复合体；将所述热释放胶带层/有机辅助支撑层/小分子聚合物层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；加热去除所述热释放胶带层；及用有机溶剂除去所述有机辅助支撑层和所述小分子聚合物层。本发明的转移方法，可以避免除去有机辅助支撑层在石墨烯薄膜表面的残留，提高石墨烯薄膜表面的洁净度。
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公开(公告)号：CN112850696A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110147885.8
申请日：2021-02-03
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜的转移方法、石墨烯薄膜及石墨烯复合结构，该转移方法包括：提供第一石墨烯复合结构，所述第一石墨烯复合结构包括依次设置的基底层、石墨烯层、缓冲层和聚合物层；去除所述第一石墨烯复合结构的基底层，得到第二石墨烯复合结构；将所述第二石墨烯复合结构转移至目标基底；以及去除所述缓冲层和所述聚合物层；其中，所述缓冲层包含冰片，所述聚合物层用于为脱离所述基底的所述石墨烯层提供支撑。本发明一实施方式的方法，相较于现有技术，可提高转移后石墨烯薄膜的完整度、洁净度。
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公开(公告)号：CN119069381A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310632341.X
申请日：2023-05-30
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明一种石墨烯晶圆的转移方法，包括：在直接生长于生长基底上的石墨烯晶圆表面形成封装层；在所述封装层上旋涂粘合胶形成粘合胶层，再贴合具有粘性的支撑衬底，得到支撑衬底/封装层/石墨烯晶圆/生长基底复合结构；将支撑衬底/封装层/石墨烯晶圆与所述生长基底分离，得到支撑衬底/封装层/石墨烯晶圆复合结构；将所述支撑衬底/封装层/石墨烯晶圆复合结构贴合至目标衬底；热处理分离所述支撑衬底与所述封装层，得到封装层/石墨烯晶圆/目标衬底复合结构；其中，所述封装层为三氧化二锑层。本发明用封装材料转移石墨烯晶圆的方法，实现石墨烯晶圆的无损、洁净、大面积转移和封装。
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公开(公告)号：CN118201451A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211599931.9
申请日：2022-12-12
Abstract: 本发明公开了一种单晶石墨烯晶圆薄膜的转移方法。本发明的转移方法能够实现石墨烯晶圆的无损转移，完整度大于>90％。本发明的转移方法兼容石墨烯的层层转移，可实现1‑100层的均匀石墨烯晶圆的转移。此外，此转移方法操作简便快速，可在15分钟内轻松完成。
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公开(公告)号：CN116789127A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310890378.2
申请日：2023-07-19
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面旋涂高分子薄膜；在高分子薄膜上贴合热释放胶带TRT，形成TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜/金属基底复合结构；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜与金属基底分离；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜贴合至目标衬底；加热释放热释放胶带TRT，得到高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构，将去除TRT后的高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构继续保持在热台上；用水洗涤去除高分子薄膜，得到石墨烯薄膜/目标衬底复合结构。对石墨烯薄膜的损坏程度更小，可以得到完整度更高的石墨烯薄膜，且操作简便、原料环保，有利于工业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118461126A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310141962.8
申请日：2023-02-08
Abstract: 本发明公开了一种超洁净石墨烯单晶晶圆的制备方法，通过将两片铜晶圆面对面堆叠放置，构筑限域反应体系，结合CVD体系的温度与压强控制，抑制石墨烯生长过程中气相反应的发生与无定形碳产物的形成，从而实现超洁净石墨烯晶圆的可控制备。同时，本发明操作简单，与目前石墨烯晶圆的CVD生长工艺相兼容，可通过多片批次生长的方式实现超洁净石墨烯单晶晶圆的批量制备，可以为石墨烯单晶晶圆材料的品质提升与高端器件应用提供技术与材料支撑。
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公开(公告)号：CN117163951A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311133385.4
申请日：2023-09-04
IPC: C01B32/194 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种石墨烯转移封装方法及该方法得到的石墨烯封装结构。本发明的方法包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成有机胶层；在所述有机胶层表面贴合粘性支撑衬底；将粘性支撑衬底/有机胶层/石墨烯薄膜从金属基底剥离后转至目标衬底贴合；去除粘性支撑衬底，得到有机胶层/石墨烯薄膜/目标衬底。本发明的方法避免了聚合物转移媒介除去过程中的有机溶剂的使用和有机废液处理的问题，最大程度上保留了石墨烯的质量，提高了转移后石墨烯的完整度，易于获得高质量、均一的石墨烯薄膜。此外，保留聚合物转移媒介会对石墨烯薄膜提供持续的保护，免受环境中的水、氧气和其他杂质的影响，能对石墨烯薄膜进行有效封装，且可以适应大面积工业化规模转移。
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公开(公告)号：CN114717654B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210359580.8
申请日：2022-04-06
Abstract: 本发明提供一种控制二维材料晶界角度的方法及其应用，该方法包括：S1，提供具备特定晶面取向的衬底；及S2，在所述衬底上化学气相沉积生长二维材料；其中，所述衬底诱导二维材料出现大于等于2种不同晶体取向，所述二维材料的晶界角度由所述衬底的晶面取向决定。本发明的控制二维材料晶界角度的方法，通过衬底诱导二维材料出现大于等于2种不同晶体取向；具有不同取向的二维材料拼接形成具有特定晶界角度的二维材料晶界，二维材料晶界的晶界角度取决于衬底的晶面取向。本发明实现了自下而上制备具有特定晶界角度的二维材料，为相关应用和物性研究提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN116812924A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210276554.9
申请日：2022-03-21
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶圆的转移方法，包括：在直接生长于生长基底上的石墨烯晶圆表面形成转移媒介层，所述转移媒介层包含设置于所述石墨烯晶圆表面的有机小分子化合物层和设置在所述有机小分子化合物层表面的聚甲基丙烯酸甲酯层；在所述转移媒介层上贴合带有粘性的支撑衬底，得到支撑衬底/转移媒介层/石墨烯晶圆/生长基底复合结构；将所述支撑衬底/转移媒介层/石墨烯晶圆与生长基底分离；将支撑衬底/转移媒介层/石墨烯晶圆复合结构贴合至目标衬底；热处理使所述转移媒介层中的所述有机小分子化合物挥发；及将所述转移媒介层与所述石墨烯晶圆分离。本发明的方法不使用有机溶剂来转移媒介层，可以减少石墨烯晶圆表面残留污染物，提升洁净度。
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公开(公告)号：CN116692844A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310862702.X
申请日：2023-07-13
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的无损转移方法。在石墨烯薄膜/金属基底上依次旋涂高分子复合薄膜并贴合热释放胶带TRT，通过机械剥离的方法将石墨烯薄膜与金属基底分离，将其贴合至目标衬底；低温冷却后直接将热释放胶带TRT和高分子复合薄膜撕除，实现了石墨烯薄膜的转移。步骤简单，溶剂只采用水，不涉及有机溶剂，安全环保，得到的石墨烯结构完整，有利于工业化生产。
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