导热粉体压片方法及得到的片材
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119144301A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411461564.5

    申请日:2024-10-18

    Abstract: 本发明公开一种导热粉体压片方法及该方法得到的片材。本发明的压片方法包括:将适量粘结剂和润滑剂分散于分散剂中形成均混合溶剂混合溶液;将导热粉体和所述混合溶剂混合溶液混合后压片。本发明的导热粉体压片方法,通过添加混合试剂(粘结剂和润滑剂),相比于仅添加粘结剂,显著改善了粉体颗粒间的摩擦性能,便于压片后的样片更易取出,同时显著提升了粉体的压片成型过程中,样片的一致性和均匀性。解决了导热粉体在压片时颗粒间流动性差、容易散开、分层开裂以及粘冲崩解的关键问题,也避免了单独加粘结剂时可能出现的分布不均匀和脱模困难的现象。

    石墨烯/导热粉体复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN120005576A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202311516611.7

    申请日:2023-11-14

    Abstract: 本发明公开一种石墨烯/导热粉体复合材料及其制备方法。其中,所述制备方法在于通过流化床化学气相沉积法在导热粉体表面直接生长石墨烯得到石墨烯包覆导热粉体复合材料。本发明通过流化床化学气相沉积法在导热粉体表面生长石墨烯提高了石墨烯在导热粉体中的分散性,形成的石墨烯均匀性好,同时石墨烯和导热粉体能够紧密结合,从而提高了复合材料的导热性能和机械性能。同时,本发明的制备方法简便易行,可以实现复合材料的连续化批量化生产。

    石墨烯薄膜及其转移方法

    公开(公告)号:CN114804079A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202110073600.0

    申请日:2021-01-20

    Abstract: 本发明公开一种石墨烯薄膜的转移方法,包括:在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成辅助转移层,得到辅助转移层/石墨烯薄膜/金属基底复合体;除去所述金属基底,得到辅助转移层/石墨烯薄膜复合体;将所述辅助转移层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合;以及用有机溶剂除去所述辅助转移层;其中所述辅助转移层为聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层。该方法利用聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层转移石墨烯薄膜,由于PPC或PCL与石墨烯表面相互作用弱且易溶于多种有机溶剂,可容易地将其从薄膜表面去除而不留下残留,因而可提高薄膜表面的洁净度。同时通过转移可获得多褶皱石墨烯薄膜,褶皱密度可达每100μm2内50‑60条。

    石墨烯薄膜的转移方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114572974A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202011384432.9

    申请日:2020-12-01

    Abstract: 公开一种石墨烯薄膜的转移方法,包括:在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成小分子聚合物层,得到小分子聚合物层/石墨烯薄膜/金属基底复合体;在所述小分子聚合物层上形成有机辅助支撑层;在所述有机辅助支撑层表面粘附热释放胶带层;除去所述金属基底,得到热释放胶带层/有机辅助支撑层/小分子聚合物层/石墨烯薄膜复合体;将所述热释放胶带层/有机辅助支撑层/小分子聚合物层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合;加热去除所述热释放胶带层;及用有机溶剂除去所述有机辅助支撑层和所述小分子聚合物层。本发明的转移方法,可以避免除去有机辅助支撑层在石墨烯薄膜表面的残留,提高石墨烯薄膜表面的洁净度。

    石墨烯薄膜及其转移方法

    公开(公告)号:CN114804079B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202110073600.0

    申请日:2021-01-20

    Abstract: 本发明公开一种石墨烯薄膜的转移方法,包括:在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成辅助转移层,得到辅助转移层/石墨烯薄膜/金属基底复合体;除去所述金属基底,得到辅助转移层/石墨烯薄膜复合体;将所述辅助转移层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合;以及用有机溶剂除去所述辅助转移层;其中所述辅助转移层为聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层。该方法利用聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层转移石墨烯薄膜,由于PPC或PCL与石墨烯表面相互作用弱且易溶于多种有机溶剂,可容易地将其从薄膜表面去除而不留下残留,因而可提高薄膜表面的洁净度。同时通过转移可获得多褶皱石墨烯薄膜,褶皱密度可达每100μm2内50‑60条。

    石墨烯薄膜的转移方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117049525A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202210487750.0

    申请日:2022-05-06

    Abstract: 本发明公开了一种将金属铜箔表面生长的高品质石墨烯薄膜无损洁净地转移至多种功能衬底的普适性方法。该方法无需使用丙酮等有机溶剂去除转移媒介,实现石墨烯薄膜的高效洁净的无损转移。该方法通过调控石墨烯与目标衬底间的界面结合力,使转移媒介层与石墨烯薄膜的结合力小于转移媒介层与剥离膜之间的结合力,实现从石墨烯薄膜表面直接剥离转移媒介层。无需丙酮等有机试剂的参与,即可成功实现石墨烯薄膜的无损洁净转移。该方法获得的石墨烯薄膜完整度高达99%,洁净度高,且整个转移过程无需使用有机溶液,工艺简单、环保,有望用于大规模生产。

Patent Agency Ranking