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公开(公告)号：CN103594498B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310642530.1
申请日：2013-12-03
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L29/43 , H01L29/45 , H01L29/786
Abstract: 本发明基于薄膜光学中诱导透射滤光片的原理，提出一种氧化物-金属-氧化物三明治结构的透明导电薄膜用于铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)电极(包括源极、漏极和栅极)。透明导电薄膜的氧化物层采用铟镓锌氧化物(IGZO)和锰氧化物复合层，金属层采用金属铜(Cu)；锰氧化物在金属铜层和铟镓锌氧化物层之间，增加铜层和铟镓锌氧化物层的粘附性并阻止铜向铟镓锌氧化物层扩散。本发明中提出的透明导电薄膜用作IGZO TFT的源极、漏极和栅极时，透明导电薄膜能够与IGZO TFT的有源层形成接触电阻低的欧姆接触，并且使IGZO TFT具有良好的透光性和电特性。
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公开(公告)号：CN105140216A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510455022.1
申请日：2015-07-29
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L23/544 , H01L27/12 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种带有附加层的TFT LCD结构生成方法及不良检测设备，其方法包括：在玻璃基板上通过沉积、光刻和刻蚀后形成栅极扫描线，并在它上面沉积一层SiNx保护膜层；在SiNx保护膜层上形成一层带有颜色的附加层；在附加层上沉积一层和SiNx保护膜层相同的SiNx薄膜作为保护层；在SiNx薄膜沉积信号线、a-Si TFT和SiNx层；将暴露在光刻胶外面的附加层以及SiNx薄膜刻蚀掉，保留SiNx保护膜层，再利用现有工艺方式进行钝化层PVX和像素电极层ITO处理，形成TFT LCD结构。本发明通过形成一层用于指示不良位置的带有颜色的附加层，在第二层完成形成沟道图形的时候，就可以提前发现不良。
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公开(公告)号：CN103594498A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310642530.1
申请日：2013-12-03
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L29/43 , H01L29/45 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908
Abstract: 本发明基于薄膜光学中诱导透射滤光片的原理，提出一种氧化物-金属-氧化物三明治结构的透明导电薄膜用于铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZOTFT)电极(包括源极、漏极和栅极)。透明导电薄膜的氧化物层采用铟镓锌氧化物(IGZO)和锰氧化物复合层，金属层采用金属铜(Cu)；锰氧化物在金属铜层和铟镓锌氧化物层之间，增加铜层和铟镓锌氧化物层的粘附性并阻止铜向铟镓锌氧化物层扩散。本发明中提出的透明导电薄膜用作IGZOTFT的源极、漏极和栅极时，透明导电薄膜能够与IGZOTFT的有源层形成接触电阻低的欧姆接触，并且使IGZOTFT具有良好的透光性和电特性。
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公开(公告)号：CN100507608C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710177833.5
申请日：2007-11-21
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种旋转监控片的光学薄膜自动监控系统，涉及一种薄膜产品制备过程中的监控设备。本发明包括：光源发射系统、驱动电机、工件架、晶控仪探头、监控片旋转机构、信号接收系统、信号转换系统、晶控仪、计算机、真空室和监控片。监控片旋转机构和晶控仪探头设置在真空室内，光源发射系统发出光信号，入射到真空室内，在监控片上形成光斑，由信号接收系统接收后，经过信号转换和计算机处理，监控薄膜厚度，控制材料的蒸发速率。本发明采用把监控片旋转机构设计成内环和外环，中间采用细钢丝连接，这样的结构避免了监控片旋转时对晶控仪探头的遮挡，实现了旋转监控片状态下的光控系统和晶控仪对镀膜过程的联动控制。
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公开(公告)号：CN117236019A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311203671.3
申请日：2023-09-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京理工大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供一种无机膜及其水汽渗透仿真方法和显示面板，该仿真方法包括：建立理想层压无机膜模型；所述理想层压无机膜模型包括N个子层；采用菲克第二定律求解所述理想层压无机膜模型在不同时刻，不同位置的水汽浓度，获得无机膜水汽渗透仿真模型。该仿真方法，通过建立理想层压无机膜模型，并采用菲克第二定律求解理想层压无机膜模型在不同时刻，不同位置的水汽浓度，可以获得无机膜水汽渗透仿真模型，利用该无机膜水汽渗透仿真模型可以分析并预测各种不同应用中的无机膜的水汽渗透能力，从而可以缩短各种不同应用中无机膜的开发时间，如缩短信赖性测试时间，节约成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114105183A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111245335.6
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01G9/02 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C26/00 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/09 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌纳米棒阵列的制备方法及一种紫外探测器，属于氧化锌纳米棒制备技术领域。将制备有氧化锌薄膜种子层的衬底置于水热液中进行水热反应，反应温度为70℃～150℃，反应时间为0.5h～48h；反应结束后，清洗，干燥，在氧化锌薄膜种子层上得到氧化锌纳米棒阵列；所述水热液的制备为：将锌盐和碱性物质溶解于溶剂中，加入PEI水溶液，搅拌均匀，得到水热液。紫外探测器由所述方法制得的氧化锌纳米棒阵列和电极组成，所述电极设置在氧化锌纳米棒阵列之上。所述氧化锌纳米棒阵列的缺陷态少，且氧化锌纳米棒阵列的表面对羟基和羧基的吸附少；所述紫外探测器暗电流低，信噪比大，响应率高和响应速度快。
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公开(公告)号：CN108766890B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201810331340.0
申请日：2018-04-13
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L21/477 , H01L21/02 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供了一种低温制备金属氧化物薄膜晶体管的方法，该方法在低温制备In2O3薄膜的过程中，通过NH3等离子处理预退火后的In2O3薄膜，实现制备温度的进一步降低，实现在130℃大气退火4小时的条件下制备得到性能良好的In2O3薄膜。本发明所述方案具有成本低，工艺简单，产品性能好，制备环境环保，应用前景广阔等优点。大大提高了TFT与柔性基板的兼容性。
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公开(公告)号：CN107154405A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710322780.5
申请日：2017-05-09
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了金属自容触控基板的过孔刻蚀方法，在不增加额外工艺过程的前提下，通过变更掩膜结构或者变更TFT(薄膜场效应晶体管)结构，改善金属自容触控基板触控过孔搭接不良的问题。方案一是通过改变掩膜板的结构，即在掩膜版上用于加工触控过孔的图形与触控绑定金属之间设置设定厚度的光刻胶，使栅线过孔和触控过孔同时被刻蚀成型，从而避免两种类型过孔过大的厚度差异会造成过孔成型不良。另一种方案是通过在触控绑定金属底层放置数据线金属缓冲层，改善现有触控过孔过刻导致搭接不良的现象。
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公开(公告)号：CN104614889A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510018677.2
申请日：2015-01-14
Applicant: 北京理工大学
IPC: G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133723 , G02F1/1303 , G02F1/133784
Abstract: 本发明公开了一种利用疏水、亲水表面进行PI高厚度自组装涂覆的方法，通过在面板的非显示区域制造粗糙结构或利用高表面能物质进行表面修饰提高非显示区域的疏水性，并采用将面板沉浸在溶液槽或利用喷嘴刮涂的方式涂覆PI液，本发明的有益效果在于，通过在非显示区域制造疏水结构，而显示区域保持亲水结构从而实现PI液的自组装涂覆，并且本发明采用沉浸式或刮涂式的方法进行PI液涂覆，与传统的使用转印版涂覆PI液的方法相比，不会受到转印版的限制，节省了成本，而且可以实现高厚度PI的涂覆，可有效的提升产线良率。
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公开(公告)号：CN118738098A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310324517.5
申请日：2023-03-29
Applicant: 北京理工大学 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L21/34 , H01L29/786 , H01L21/477 , H01L27/12
Abstract: 本公开提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板，属于显示技术领域，其中，薄膜晶体管的制备方法对半导体材料进行图案化形成有源层的步骤；其中，制备方法还包括：对待形成有源层的半导体材料进行超声退火的步骤。
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