公开(公告)号：CN103594498B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201310642530.1

申请日：2013-12-03

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 喻志农 ,  李旭远 ,  张世玉 ,  蒋玉蓉 ,  薛唯

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明基于薄膜光学中诱导透射滤光片的原理，提出一种氧化物-金属-氧化物三明治结构的透明导电薄膜用于铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)电极(包括源极、漏极和栅极)。透明导电薄膜的氧化物层采用铟镓锌氧化物(IGZO)和锰氧化物复合层，金属层采用金属铜(Cu)；锰氧化物在金属铜层和铟镓锌氧化物层之间，增加铜层和铟镓锌氧化物层的粘附性并阻止铜向铟镓锌氧化物层扩散。本发明中提出的透明导电薄膜用作IGZO TFT的源极、漏极和栅极时，透明导电薄膜能够与IGZO TFT的有源层形成接触电阻低的欧姆接触，并且使IGZO TFT具有良好的透光性和电特性。

公开(公告)号：CN103594498A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310642530.1

申请日：2013-12-03

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 喻志农 ,  李旭远 ,  张世玉 ,  蒋玉蓉 ,  薛唯

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明基于薄膜光学中诱导透射滤光片的原理，提出一种氧化物-金属-氧化物三明治结构的透明导电薄膜用于铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZOTFT)电极(包括源极、漏极和栅极)。透明导电薄膜的氧化物层采用铟镓锌氧化物(IGZO)和锰氧化物复合层，金属层采用金属铜(Cu)；锰氧化物在金属铜层和铟镓锌氧化物层之间，增加铜层和铟镓锌氧化物层的粘附性并阻止铜向铟镓锌氧化物层扩散。本发明中提出的透明导电薄膜用作IGZOTFT的源极、漏极和栅极时，透明导电薄膜能够与IGZOTFT的有源层形成接触电阻低的欧姆接触，并且使IGZOTFT具有良好的透光性和电特性。