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公开(公告)号：CN116087150A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310189475.9
申请日：2023-03-02
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 公开了一种基于沙氏成像的双视场气溶胶探测光学系统和方法，基于沙氏成像的双视场气溶胶探测光学系统中，激光器朝待测气溶胶发射激光以形成发射光路，第一接收透镜接收后向散射信号形成第一光学信号，第一平面工业相机采集来自第一接收透镜的第一光学信号以生成带有相应距离和强度的第一光学信息，第二接收透镜接收后向散射信号形成第二光学信号，第二平面工业相机采集来自第二接收透镜的第二光学信号以生成相应距离和强度的第二光学信息，信号处理系统连接第一平面工业相机和第二平面工业相机以采集第一光学信息和第二光学信息，基于第一光学信息和第二光学信息生成强度廓线信息。
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公开(公告)号：CN113538512A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110750336.X
申请日：2021-07-02
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种光电信息处理方法，特别涉及一种基于多层旋转记忆模型的光电信息处理方法，属于计算机视觉领域。本发明建立一种多层旋转记忆模型，并将其用于相关滤波跟踪框架中，使得所公开方法在跟踪过程中具有记忆先前出现的场景的功能，从而可以在当前目标发生姿态突变、短暂消失后重现以或发生遮挡等问题时依然能持续稳定的跟踪，有效提升了鲁棒性。
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公开(公告)号：CN106887386A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611226821.2
申请日：2016-12-27
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268
Abstract: 本发明主要属于半导体基板加工工艺领域，具体涉及准分子激光退火制备桥式沟道多晶硅薄膜的方法。利用图案化使薄膜形成桥式结构，利用准分子激光退火使非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。此方法形成的多晶硅薄膜用做多晶硅薄膜晶体管的有源层，可有效降低晶体管关态漏电流，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN107154405B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710322780.5
申请日：2017-05-09
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了金属自容触控基板的过孔刻蚀方法，在不增加额外工艺过程的前提下，通过变更掩膜结构或者变更TFT(薄膜场效应晶体管)结构，改善金属自容触控基板触控过孔搭接不良的问题。方案一是通过改变掩膜板的结构，即在掩膜版上用于加工触控过孔的图形与触控绑定金属之间设置设定厚度的光刻胶，使栅线过孔和触控过孔同时被刻蚀成型，从而避免两种类型过孔过大的厚度差异会造成过孔成型不良。另一种方案是通过在触控绑定金属底层放置数据线金属缓冲层，改善现有触控过孔过刻导致搭接不良的现象。
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公开(公告)号：CN103594498B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310642530.1
申请日：2013-12-03
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L29/43 , H01L29/45 , H01L29/786
Abstract: 本发明基于薄膜光学中诱导透射滤光片的原理，提出一种氧化物-金属-氧化物三明治结构的透明导电薄膜用于铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)电极(包括源极、漏极和栅极)。透明导电薄膜的氧化物层采用铟镓锌氧化物(IGZO)和锰氧化物复合层，金属层采用金属铜(Cu)；锰氧化物在金属铜层和铟镓锌氧化物层之间，增加铜层和铟镓锌氧化物层的粘附性并阻止铜向铟镓锌氧化物层扩散。本发明中提出的透明导电薄膜用作IGZO TFT的源极、漏极和栅极时，透明导电薄膜能够与IGZO TFT的有源层形成接触电阻低的欧姆接触，并且使IGZO TFT具有良好的透光性和电特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103594498A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310642530.1
申请日：2013-12-03
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L29/43 , H01L29/45 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908
Abstract: 本发明基于薄膜光学中诱导透射滤光片的原理，提出一种氧化物-金属-氧化物三明治结构的透明导电薄膜用于铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZOTFT)电极(包括源极、漏极和栅极)。透明导电薄膜的氧化物层采用铟镓锌氧化物(IGZO)和锰氧化物复合层，金属层采用金属铜(Cu)；锰氧化物在金属铜层和铟镓锌氧化物层之间，增加铜层和铟镓锌氧化物层的粘附性并阻止铜向铟镓锌氧化物层扩散。本发明中提出的透明导电薄膜用作IGZOTFT的源极、漏极和栅极时，透明导电薄膜能够与IGZOTFT的有源层形成接触电阻低的欧姆接触，并且使IGZOTFT具有良好的透光性和电特性。
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公开(公告)号：CN113538512B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202110750336.X
申请日：2021-07-02
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种光电信息处理方法，特别涉及一种基于多层旋转记忆模型的光电信息处理方法，属于计算机视觉领域。本发明建立一种多层旋转记忆模型，并将其用于相关滤波跟踪框架中，使得所公开方法在跟踪过程中具有记忆先前出现的场景的功能，从而可以在当前目标发生姿态突变、短暂消失后重现以或发生遮挡等问题时依然能持续稳定的跟踪，有效提升了鲁棒性。
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公开(公告)号：CN108198184B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810019388.8
申请日：2018-01-09
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供一种造影图像中血管分割的方法和系统，包括：将盈片图像中的每个像素坐标作为基准坐标，从蒙片图像中选取一个与该基准坐标匹配的像素坐标，作为对比坐标；分别在盈片图像和蒙片图像中提取相同大小的子图像，构成一个图像对；将所有图像对输入至双通道卷积神经网络，输出第一血管分割图像；根据预设规则对每个参考图像提取多个不同尺度的图像，将所有不同尺度的图像输入至多尺度卷积神经网络，输出第二血管分割图像，对所述第二血管分割图像进行显示。本发明通过双通道卷积神经网络和多尺度卷积神经网络进行两次分类，使得最终的显示图像中血管边界清楚、细节明显，同时整个过程实现了全自动交互，效率极高。
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公开(公告)号：CN106896454B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710231819.2
申请日：2017-04-11
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明具体涉及一种基于方形小孔阵列与微透镜阵列的光学图像耦合方法，属于光电技术领域。该方法利用微透镜阵列对近距离物面成像，利用两级小孔阵列实现对非对应成像区域光的遮挡和吸收，再通过一层微透镜阵列得到完整的正立像，并经光电探测器阵列进行光电转换，获得模拟/数字图像信号。最终，实现大面阵、低失真的微距光学图像耦合。
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公开(公告)号：CN107888221A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710929585.9
申请日：2017-10-09
Applicant: 北京理工大学
CPC classification number: H04B13/005 , H01Q1/12 , H04B1/40
Abstract: 本发明具体涉及一种基于人体的天线系统设计方法，属于人体通信技术领域。该方法将人体作为天线工作于≤50MHz低频频段，用来进行信号发射和接收。当人体天线作为发射天线时主要由信号发射模块、阻抗匹配模块、可穿戴电极、人体等构成；当人体天线作为接收天线时主要由人体、可穿戴电极、阻抗匹配模块、信号接收模块等部分构成。对比现有技术，本发明解决了低频天线尺寸大的问题，并具有抗干扰、保密性强、便携性和小型化的优点。
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