公开(公告)号：CN104614889B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201510018677.2

申请日：2015-01-14

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 喻志农 ,  郭建 ,  张潇龙 ,  薛唯

IPC: G02F1/1333

Abstract: 本发明公开了一种利用疏水、亲水表面进行PI高厚度自组装涂覆的方法，通过在面板的非显示区域制造粗糙结构或利用高表面能物质进行表面修饰提高非显示区域的疏水性，并采用将面板沉浸在溶液槽或利用喷嘴刮涂的方式涂覆PI液，本发明的有益效果在于，通过在非显示区域制造疏水结构，而显示区域保持亲水结构从而实现PI液的自组装涂覆，并且本发明采用沉浸式或刮涂式的方法进行PI液涂覆，与传统的使用转印版涂覆PI液的方法相比，不会受到转印版的限制，节省了成本，而且可以实现高厚度PI的涂覆，可有效的提升产线良率。

公开(公告)号：CN104614889A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510018677.2

申请日：2015-01-14

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 喻志农 ,  郭建 ,  张潇龙 ,  薛唯

IPC: G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/133723 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/133784

Abstract: 本发明公开了一种利用疏水、亲水表面进行PI高厚度自组装涂覆的方法，通过在面板的非显示区域制造粗糙结构或利用高表面能物质进行表面修饰提高非显示区域的疏水性，并采用将面板沉浸在溶液槽或利用喷嘴刮涂的方式涂覆PI液，本发明的有益效果在于，通过在非显示区域制造疏水结构，而显示区域保持亲水结构从而实现PI液的自组装涂覆，并且本发明采用沉浸式或刮涂式的方法进行PI液涂覆，与传统的使用转印版涂覆PI液的方法相比，不会受到转印版的限制，节省了成本，而且可以实现高厚度PI的涂覆，可有效的提升产线良率。

公开(公告)号：CN104699337A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510024672.0

申请日：2015-01-19

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 喻志农 ,  郭建 ,  张潇龙 ,  薛唯

IPC: G06F3/044

CPC classification number: G06F3/041 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明公开了一种On-cell消隐结构，通过在CF上表面制备一层倒梯形或者类似的顶部宽底部窄的有机树脂结构与ITO膜层搭接，利用有机树脂的折射率为1.5，与底层玻璃的原理，达到ITO膜层不可见的目的，通过在本发明的消隐结构中，玻璃所有位置均有高折射率的ITO膜层存在，使得整理透过率均一化，可以达到ITO膜层不可见的效果，本发明中，并未额外增加曝光、沉积等工艺次数，可以实现产能影响的最小化。

公开(公告)号：CN105140216A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510455022.1

申请日：2015-07-29

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 喻志农 ,  郭建 ,  张潇龙 ,  薛唯

IPC: H01L23/544 ,  H01L27/12 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种带有附加层的TFT LCD结构生成方法及不良检测设备，其方法包括：在玻璃基板上通过沉积、光刻和刻蚀后形成栅极扫描线，并在它上面沉积一层SiNx保护膜层；在SiNx保护膜层上形成一层带有颜色的附加层；在附加层上沉积一层和SiNx保护膜层相同的SiNx薄膜作为保护层；在SiNx薄膜沉积信号线、a-Si TFT和SiNx层；将暴露在光刻胶外面的附加层以及SiNx薄膜刻蚀掉，保留SiNx保护膜层，再利用现有工艺方式进行钝化层PVX和像素电极层ITO处理，形成TFT LCD结构。本发明通过形成一层用于指示不良位置的带有颜色的附加层，在第二层完成形成沟道图形的时候，就可以提前发现不良。