公开(公告)号：CN108766890A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810331340.0

申请日：2018-04-13

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 喻志农 ,  栗旭阳 ,  程锦 ,  陈永华 ,  郭建

IPC: H01L21/477 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供了一种低温制备金属氧化物薄膜晶体管的方法，该方法在低温制备In2O3薄膜的过程中，通过NH3等离子处理预退火后的In2O3薄膜，实现制备温度的进一步降低，实现在130℃大气退火4小时的条件下制备得到性能良好的In2O3薄膜。本发明所述方案具有成本低，工艺简单，产品性能好，制备环境环保，应用前景广阔等优点。大大提高了TFT与柔性基板的兼容性。

公开(公告)号：CN108766890B

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201810331340.0

申请日：2018-04-13

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 喻志农 ,  栗旭阳 ,  程锦 ,  陈永华 ,  郭建

IPC: H01L21/477 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供了一种低温制备金属氧化物薄膜晶体管的方法，该方法在低温制备In2O3薄膜的过程中，通过NH3等离子处理预退火后的In2O3薄膜，实现制备温度的进一步降低，实现在130℃大气退火4小时的条件下制备得到性能良好的In2O3薄膜。本发明所述方案具有成本低，工艺简单，产品性能好，制备环境环保，应用前景广阔等优点。大大提高了TFT与柔性基板的兼容性。