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公开(公告)号：CN115356616A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210901130.7
申请日：2022-07-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种高速高精度模数转换器片间同步性能检测系统及方法，核心在于FPGA模块接收上位机的采集控制信号，控制四片ADC同时采集同步输入的模拟正弦信号，波形数据上传上位机进行FFT及相位计算，记录信噪比参数值及其与校准ADC之间的相位差并使之与芯片编号对应，待整批次芯片测试完后，对二维数据点集合聚类分析，确定二维数据点集合的最终聚类中心K1与K2，再根据工程实际需求确定相位差距离值D和SNR最小值，计算筛选出与最终聚类中心K1距离小于D且SNR高于最小值要求的二维数据点,通过二维数据点与芯片编号一一对应的关系从整个批次中进行分拣，最终获得两个子批次，每个子批次内的芯片同步性能及SNR指标均能满足指定的工程实际需求，至此完成检测。
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公开(公告)号：CN107025331B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710119527.X
申请日：2017-03-02
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Inventor： 赵元富 , 郑宏超 , 李哲 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 陈茂鑫 , 喻贤坤 , 姜柯 , 于春青 , 王汉宁 , 刘琳 , 毕潇 , 杜守刚 , 王煌伟 , 赵旭 , 穆里隆 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种存储单元单粒子翻转功能传播率的计算方法及装置。该方法包括：获取仿真输入向量的仿真时间，并统计数字集成电路中预选单一种类的存储单元的数量；统计每个存储单元的单粒子翻转有效生存时间；根据所述单粒子翻转有效生存时间和所述仿真时间，计算每个存储单元的单粒子翻转功能传播率，所述单粒子翻转功能传播率为发生单粒子翻转的存储单元被捕获且传播的概率；利用每个存储单元的单粒子翻转功能传播率和所述数量，计算所述预选单一种类的存储单元的单粒子翻转功能传播率。本发明实现了区分和模拟单粒子翻转效应在不同种类存储单元中的产生、捕获、掩蔽及传导过程，提高集成电路级单粒子翻转效应的仿真准确度的目的。
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公开(公告)号：CN107085178A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710104221.7
申请日：2017-02-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Inventor： 赵元富 , 于春青 , 蔡一茂 , 范隆 , 郑宏超 , 陈茂鑫 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 王煌伟 , 杜守刚 , 李哲 , 毕潇 , 姜柯 , 赵旭 , 穆里隆 , 关龙舟 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 喻贤坤 , 庄伟 , 刘亚丽 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC: G01R31/311 , G01J11/00
Abstract: 一种获取器件功能模块单粒子本征错误截面的方法，首先对器件功能模块进行划分，然后直接利用脉冲激光试验获取结构规则功能模块的本征错误截面，编制测试程序，获取每种测试程序下器件的应用错误截面以及各个功能模块的占空因子，根据各种测试程序下器件的应用错误截面公式进行方程组联立求解，得到各个结构不规则功能模块的本征错误截面。本发明方法能够获取集成电路中所有功能模块的本征错误截面，以直观反应每个功能模块的单粒子敏感性。
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公开(公告)号：CN119696571A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411668054.5
申请日：2024-11-21
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03L7/087 , H03K19/173
Abstract: 本发明属于电子器件领域，具体涉及了一种抗SET加固的鉴频鉴相器，旨在解决现有的SET注入会改变PFD的输出逻辑状态，后级电路得到错误的相位差指示信号的问题。本发明包括：第一级单元的输出UP信号和输出DOWN信号作为输入控制逻辑的输入，输入控制逻辑输出四个指示信号；第一输出控制逻辑的输入为四个指示信号，输出为第一导通控制信号；第二级单元分别对UP信号和DOWN信号进行上升沿采样，输出两个指示信号；相位选择器的输入为参考时钟信号、反馈时钟信号和两个指示信号，其输出为第二输出控制逻辑的输入，第二输出控制逻辑输出第二导通控制信号。本发明在SET注入时不改变输出逻辑状态，后级得到正确的相位差指示信号。
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公开(公告)号：CN117081559A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311026502.7
申请日：2023-08-15
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K17/687 , H03K19/003
Abstract: 本发明一种具有冷备份功能的低导通电阻高平坦度CMOS开关电路，该CMOS开关电路包括CMOS开关模块、衬底电位控制模块和开关控制模块，该开关电路通过对各模块的电路设计，具有在电源断开后输出为高阻，不存在输入端口对电源、地或后级电路的漏电通路；本发明CMOS开关电路的开关管采用衬底电压跟随输入电压的结构，减小了开关管|VBS|的电压，使开关管阈值电压降低，CMOS开关导通时，通道导通电阻小且导通电阻平坦度高；本发明在CMOS开关的基础上增加断电防护功能，在电源电压断开时，输入电压无到电源、地和输出的通路，不会对系统的其他电路和器件造成损伤，提高了系统的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116346056A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310191087.4
申请日：2023-02-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种适用于多通道流水线ADC的高速低功耗差分运算放大器，包括：第一级放大器、交叉耦合负阻结构、第二级放大器、密勒补偿电路、共模反馈模块；其中，所述第一级放大器的信号输出端分别连接所述第二级放大器的输入端和所述交叉耦合负阻结构；所述密勒补偿电路分别设置于所述第二级放大器的输入端和输出端之间、所述第二级放大器的输出端与所述第一级放大器的共栅管输出端之间连接；所述共模反馈模块分别与第一级放大器的输出端、第二级放大器的输出端相连接。本发明优化了在多通道流水线模数转换器中差分放大器的性能，提高了整体转换器性能并降低功耗。
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公开(公告)号：CN116260464A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310181770.X
申请日：2023-02-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种输出失调自校准的高增益低功耗比较器，它包括采样开关、预放大器、输出失调自校准单元和输出动态锁存器。本发明在传统比较器的基础上加入了输出失调自校准单元，主要由六个开关(SW5、SW6、SW7、SW8、SW9、SW10)、两个失调存储电容(C1、C2)和两个NMOS晶体管(M9、M10)组成。本发明可以提高比较器增益，在不明显增加功耗的情况下有效降低比较器失调误差，保证转换速度，节省芯片面积，能够满足高精度低功耗模数转换器的设计需求。
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公开(公告)号：CN116242496A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310218456.4
申请日：2023-03-01
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新型的精度可调的温度传感器电路，上电完成后，感温电路开始工作，产生与温度相关的电压VREF和VT，跟随器电路保证电压V1的温度特性与VT一致，实现电平移位。比较器电路在时钟控制下比较VREF和V2的电压值，输出对应的高低信号，此信号经过锁存器锁定后，产生串行信号VA，串行信号VA经过串并转换电路产生10位控制信号反馈到电压控制网络以调整V2的输出值，通过逐次逼近调整，直到VREF和V2基本一致，系统达到稳定，最后通过数字信号VOUT[9:0]读出温度值。采用此架构功耗低，芯片面积小，省略了常规的ADC电路，易于集成，具备较高的测量精度以及较小的芯片面积和功耗，非常适用大规模混合集成电路进行温度监控。
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公开(公告)号：CN107085178B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201710104221.7
申请日：2017-02-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Inventor： 赵元富 , 于春青 , 蔡一茂 , 范隆 , 郑宏超 , 陈茂鑫 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 王煌伟 , 杜守刚 , 李哲 , 毕潇 , 姜柯 , 赵旭 , 穆里隆 , 关龙舟 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 喻贤坤 , 庄伟 , 刘亚丽 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC: G01R31/311 , G01J11/00
Abstract: 一种获取器件功能模块单粒子本征错误截面的方法，首先对器件功能模块进行划分，然后直接利用脉冲激光试验获取结构规则功能模块的本征错误截面，编制测试程序，获取每种测试程序下器件的应用错误截面以及各个功能模块的占空因子，根据各种测试程序下器件的应用错误截面公式进行方程组联立求解，得到各个结构不规则功能模块的本征错误截面。本发明方法能够获取集成电路中所有功能模块的本征错误截面，以直观反应每个功能模块的单粒子敏感性。
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公开(公告)号：CN105445640A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510825255.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/265
CPC classification number: G01R31/2656
Abstract: 基于脉冲激光设备的不同测试指令集的单粒子敏感性判定方法，考虑器件不同测试指令集之间的差异性以及应用环境的多样性，通过在不同测试指令集下进行脉冲激光单粒子试验，可以得到不同测试指令集之间的单粒子敏感系数，然后只需要在重离子加速器下进行某一测试指令集的单粒子辐照试验，通过计算就可以判定其他测试指令集下的单粒子辐照试验结果。这一方法解决了重离子机时紧张等不足，利用脉冲激光的机时灵活，操作简便，获取数据方便的优点，能够较好的解决单粒子敏感性判定中遇到的难题。
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