公开(公告)号：CN117081559A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311026502.7

申请日：2023-08-15

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 贾兰超 ,  初飞 ,  王瑛 ,  彭领 ,  孔瀛 ,  宁静怡 ,  陈俞岐 ,  张雪梓 ,  曲绍贤

IPC: H03K17/687 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明一种具有冷备份功能的低导通电阻高平坦度CMOS开关电路，该CMOS开关电路包括CMOS开关模块、衬底电位控制模块和开关控制模块，该开关电路通过对各模块的电路设计，具有在电源断开后输出为高阻，不存在输入端口对电源、地或后级电路的漏电通路；本发明CMOS开关电路的开关管采用衬底电压跟随输入电压的结构，减小了开关管|VBS|的电压，使开关管阈值电压降低，CMOS开关导通时，通道导通电阻小且导通电阻平坦度高；本发明在CMOS开关的基础上增加断电防护功能，在电源电压断开时，输入电压无到电源、地和输出的通路，不会对系统的其他电路和器件造成损伤，提高了系统的可靠性。

公开(公告)号：CN117097315A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311026504.6

申请日：2023-08-15

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 贾兰超 ,  初飞 ,  王瑛 ,  彭领 ,  胡贵才 ,  宁静怡 ,  陈俞岐 ,  张雪梓

IPC: H03K17/687 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明涉及一种具有冷备份功能的CMOS开关电路，该开关电路包括CMOS开关模块、掉电后电源与电路截止模块、掉电后开关控制模块，CMOS开关采用衬底电压跟随输入电压的设计，减小了衬偏效应，降低阈值电压变化对CMOS开关管导通电阻的影响；本发明的CMOS开关加入了冷备份设计，在电源掉电后，输入信号通过电路与电源、地的通路被截断，实现电源、地的电压为0，提高了系统的可靠性；此外，本发明具有冷备份功能的CMOS开关电路，具有在电源断开后输出为高阻，不存在输入信号通过端口对电源、地或后级电路的漏电通路。

公开(公告)号：CN119651488A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411153072.X

申请日：2024-08-21

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 王雷 ,  王瑛 ,  彭领 ,  王煌伟 ,  张翼 ,  孔瀛 ,  宁静怡 ,  胡贵才 ,  胡一凡 ,  张雪梓 ,  贾靳

IPC: H02H3/24 ,  H02H7/20

Abstract: 本发明公开了一种高精度欠压保护电路，包括配置电路和比较电路，配置电路用于捕捉芯片输入与输出电压差值的变化情况，通过设置补偿电流来控制欠压阈值；比较电路用于检测并放大芯片输入与输出电压差值。欠压保护电路通过检测输入电压与输出电压差值，与设置的欠压阈值作比较实现对电路的控制功能，在输入电压与输出电压在正常范围波动时，欠压保护电路输出为低电平；当输入电压与输出电压的差值大于欠压阈值时，认为发生负载过载或输出短接地故障，欠压保护电路输出为高电平，控制电路关断，解决了模拟集成电路在使用的过程中由于欠压造成的电路损坏问题。