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公开(公告)号：CN116171016A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310142467.9
申请日：2023-02-08
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开一种探测器低温系统，涉及探测器相关设备技术领域；包括设置于支架上的容器系统、液化系统和真空系统；所述容器系统包括用于安装探测器的探测器容器，所述探测器容器通过密封保温设置的氩气管和液氩管与所述液化系统连接，所述液化系统和容器系统分别通过真空管路连接有所述真空系统，所述真空系统能够将所述容器系统和液化系统分别抽真空，所述液化系统用于将氩气液化后输送至所述探测器容器内。本发明提供的探测器低温系统，制冷效果好，能够持续的制冷，从而为探测器提供稳定的低温环境。
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公开(公告)号：CN111621744B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010198939.9
申请日：2020-03-20
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种刀具涂层及其沉积方法，其中，刀具涂层的沉积方法包括以下步骤：在惰性气体中，在刀具基体上沉积金属离子形成金属过渡层；在金属过渡层上依次沉积金属离子、金属碳化物、碳离子形成单元涂层；循环步骤2S若干次；在所述单元循环涂层表层沉积SP3键渐变的碳离子形成渐变碳膜层。本发明对在微型刀具上沉积超厚碳膜的沉积方法进行优化，在刀具表面沉积金属过渡层、单元循环沉积、sp3键不断升高的渐变碳膜层，涂层与刀具结合力大于30N，膜层厚度可高至15微米，硬度大于50Gpa。
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公开(公告)号：CN111575669B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010417649.9
申请日：2020-05-18
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明涉及一种防高速冲击涂层方法，包括：对基体进行表面初步离子清洗；在表面清洗后的基体进行激光亚表面微结构化；对结构化表面深度清洗后进行离子注入，并退火形成伪扩散层；在所述伪扩散层之上，利用蒸发法沉积聚合物吸能膜层；利用高能离子注入对聚合物层进行金属化；利用磁过滤沉积设备在金属化层上沉积超硬金刚石涂层；循环制备聚合物层、金属化层以及超硬类金刚石层3‑5次。本发明实施例提供的方法，通过基体微结构、离子注入和沉积镀膜的相结合的方式，明显提高了基体的抗高速运动物体的冲击能力。因其方法简单、易操作，且成本低、效率高，非常适合批量化生产。
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公开(公告)号：CN111424243B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010417846.0
申请日：2020-05-18
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明涉及一种散热涂层的制备方法，包括：对基体进行表面清洗；随后对基体进行多弧技术表面沉积Al，紧接着进行400‑600℃加热真空保温1‑4h，形成渗铝层；随后进行磁过滤沉积Al或Zn等；随后在氧气气氛下进行200‑800℃下充分氧化；随后通过磁过滤沉积AlN涂层；最后在表面沉积铜层形成覆铜板。本发明实施例提供的方法，通过多弧沉积、磁过滤沉积以及高温渗铝、高温氧化等过程相结合的方法制备的致密的高绝缘高导热涂层，明显提高了基体作为覆铜板的散热性能。因其方法简单、易操作，且成本低、效率高，非常适合工业化大批量生产。
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公开(公告)号：CN111020479B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201911355671.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明提供了一种高遮挡件抗腐蚀多元涂层及其制备方法以及制备方法所用的装置，属于薄膜沉积技术领域。本发明提供的高遮挡件抗腐蚀多元涂层的制备方法，包括以下步骤：以碳硅靶和碳硅钛靶为阴极，利用磁过滤沉积法、多弧沉积法和第一高功率脉冲磁控法在高遮挡件基体交替循环沉积TiSiN膜层和TiSiCN膜层，得到TiSiN/TiSiCN复合交替层；利用第二高功率脉冲磁控法在所述TiSiN/TiSiCN复合交替层表面沉积Al2O3膜层，得到高遮挡件抗腐蚀多元涂层。本发明利用磁过滤沉积、多弧沉积和高功率脉冲磁控三种方法配合使用，制备的高遮挡件抗腐蚀多元涂层抗冲蚀性能、抗盐雾、抗酸碱腐蚀等特性优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111607772A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010610496.X
申请日：2020-06-29
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种5G陶瓷滤波器膜层材料及其制备方法，属于陶瓷材料制备技术领域。所述膜层材料为四层复合结构，基体为陶瓷，中间过渡层依次为合金层和连接层，表层为银层；其中，合金层为以合金金属为阴极，利用多弧靶对陶瓷基体进行磁控溅射沉积而得；连接层为以Mo、Cu或Cr为阴极，利用圆柱多弧靶在合金层上沉积而得；表面银层以银为阴极，利用多弧靶和圆柱靶在连接层上进行银金属沉积而得。本发明选用磁控溅射和多弧离子镀组合制备膜层材料，以解决金属与陶瓷结合强度低、处理成本高及化学镀/电镀环境污染的问题，不仅制备工艺简便，而且所制得的5G陶瓷滤波器膜层材料具有结构致密、无明显缺陷及插入损耗低的优点。
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公开(公告)号：CN110957287A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911301282.8
申请日：2019-12-17
Applicant: 北京师范大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种大功率散热器及其制备方法，通过在所述铝基板上生长所述氧化层，在所述氧化层上生长所述致密层，在所述致密层上生长所述绝缘层。并且，所述氧化层中包括多个用于增大所述散热器的体电阻值的纳米颗粒。本发明提供的大功率散热器及其制备方法，具有器件散热性能好、制备步骤简单的特点。
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公开(公告)号：CN118054019A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410214977.7
申请日：2024-02-27
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明属于表面工程技术领域，公开了一种基于离子束沉积与高压技术的复合集流体制备方法，包括以下步骤：(1)对超薄聚合物进行气体离子源清洗；(2)采用离子束沉积在聚合物表面沉积铜，得到集流体；(3)采用高压热处理去除铜内应力，使铜层变为单晶，得到复合集流体。本发明高压环境能抑制原子长程迁移、减小原子间间隙，降低铜与聚合物间高温下相互渗透速率、促进复合集流体接触层间新化学键形成，大幅提高后接金属的结合强度与致密度。铜与聚合物材料熔点增加，铜单晶转化速率与热处理效率有效提升，所得单晶铜层能提升复合集流体的导电性。
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公开(公告)号：CN115388615B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210411852.4
申请日：2022-04-19
Applicant: 北京师范大学
IPC: F25J1/02
Abstract: 本发明公开一种氩液化系统，涉及探测器相关技术领域；包括密封设置的冷箱，所述冷箱侧壁通过真空管路连通有真空系统；所述冷箱顶部固定设置有制冷机，所述制冷机下方的制冷机冷头位于所述冷箱内，所述制冷机冷头一侧连接有回热换热器，所述回热换热器底部连接有氩气管，所述制冷机冷头底部连接有液氩管，所述氩气管和液氩管末端分别穿过所述冷箱顶部后连接有探测器容器，探测器容器上用于安装探测器。本发明提供的氩液化系统，制冷效果好，能够为探测器提供持续稳定的低温环境。
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公开(公告)号：CN117026165A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310915082.1
申请日：2023-07-25
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种采用双脉冲离子束技术制备超薄集流体的方法，其特征在于，先对超薄聚合物进行烘烤、气体离子源清洗，然后将等离子体通过磁过滤沉积和磁控溅射沉积在超薄聚合物表面得到所述超薄集流体。从放卷到收卷，超薄聚合物两面分别经历：气体离子源清洗、磁过滤沉积以及磁控溅射沉积。采用本发明方法制得的集流体表面形成的薄膜致密、平整光滑，抗腐蚀性能好,且与聚合物基体结合良好。
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