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公开(公告)号：CN116334566A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310129986.1
申请日：2023-02-17
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种浅注入成膜设备，包括真空腔室底柜，真空腔室底柜上面连接设有真空腔室，真空腔室上面通过活套法兰一连接设有分子泵，真空腔室两侧均通过活套法兰二连接设有磁过滤器，磁过滤器上面连接设有阳极筒，真空腔室底部通过工作台转轴系统和齿轮连接设有旋转工作台，旋转工作台和真空腔室绝缘设置，真空腔室内通过绝缘螺钉固定连接设有交变电场，磁过滤器出口通过绕组方式连接设有纵横磁场，真空腔室上通过氮化硼套管固定连接设有偏压网系统，磁过滤器上通过螺钉引线连接设有磁过滤系统电位接线。本发明的优点：沉积速率高，膜层致密性好，膜基结合力强，成膜技术可操作性强。
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公开(公告)号：CN115388615A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210411852.4
申请日：2022-04-19
Applicant: 北京师范大学
IPC: F25J1/02
Abstract: 本发明公开一种氩液化系统，涉及探测器相关技术领域；包括密封设置的冷箱，所述冷箱侧壁通过真空管路连通有真空系统；所述冷箱顶部固定设置有制冷机，所述制冷机下方的制冷机冷头位于所述冷箱内，所述制冷机冷头一侧连接有回热换热器，所述回热换热器底部连接有氩气管，所述制冷机冷头底部连接有液氩管，所述氩气管和液氩管末端分别穿过所述冷箱顶部后连接有探测器容器，探测器容器上用于安装探测器。本发明提供的氩液化系统，制冷效果好，能够为探测器提供持续稳定的低温环境。
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公开(公告)号：CN111534820B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010541095.3
申请日：2020-06-15
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明属于涂层技术领域，特别涉及一种自支撑绝缘介质及其制备方法和应用。本发明提供的自支撑绝缘介质，包括绝缘基体和由绝缘基体向自支撑绝缘介质表面依次设置的硅接枝层、碳化硅层、氧化铝层和聚四氟乙烯层。在本发明中，绝缘基体保证自支撑绝缘介质具有较大的整体电阻；接枝层有利于保证无机膜层与绝缘基体之间具有优良的结合力；碳化硅层和氧化铝层同时作为聚四氟乙烯层的支撑层，且氧化铝层具备很好的绝缘特性，还有阻氧扩散的作用；聚四氟乙烯层具有降低自支撑绝缘介质摩擦系数和保证绝缘性的作用。实施例测试结果表明，本发明提供的自支撑绝缘介质的电阻≥108Ω，摩擦系数≤0.1，维氏硬度≥1000HV，结合强度≥80MPa。
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公开(公告)号：CN111668080A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010363614.1
申请日：2020-04-30
Applicant: 北京师范大学 , 广东省广新离子束科技有限公司
IPC: H01J37/08
Abstract: 本发明公开一种金属离子源发射装置，包括密封连接的陶瓷筒、引出电极室和三个并排设置的阴极，触发电极固定在陶瓷绝缘电极上，阴极靶材固定在间接冷却通道上，限位电极固定在固定电极上，固定电极通过螺扣将间接冷却通道固定在阴极冷却管上，阴极冷却管固定在阴极法兰上，触发接线柱通过导线和触发电极相连；引出电极室中位于阴极正下方设置有引出电极和加速电极，加速电极和引出电极上均设置有引出缝隙。该金属离子源发射装置，能够在一个阳极的情况下，同时让3个阴极进行工作，增大了离子源的照射面积，提高了工作效率、能源利用率；发射源更加紧凑，处理面积更大。
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公开(公告)号：CN111534820A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010541095.3
申请日：2020-06-15
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明属于涂层技术领域，特别涉及一种自支撑绝缘介质及其制备方法和应用。本发明提供的自支撑绝缘介质，包括绝缘基体和由绝缘基体向自支撑绝缘介质表面依次设置的硅接枝层、碳化硅层、氧化铝层和聚四氟乙烯层。在本发明中，绝缘基体保证自支撑绝缘介质具有较大的整体电阻；接枝层有利于保证无机膜层与绝缘基体之间具有优良的结合力；碳化硅层和氧化铝层同时作为聚四氟乙烯层的支撑层，且氧化铝层具备很好的绝缘特性，还有阻氧扩散的作用；聚四氟乙烯层具有降低自支撑绝缘介质摩擦系数和保证绝缘性的作用。实施例测试结果表明，本发明提供的自支撑绝缘介质的电阻≥108Ω，摩擦系数≤0.1，维氏硬度≥1000HV，结合强度≥80MPa。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111485208A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010198940.1
申请日：2020-03-20
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种气浮电机润滑涂层制备方法，包括以下步骤：S1：利用气体离子源对基体表面进行高低能交替清洗；S2：利用BN加热器在真空度1×10-2-1×10-3Pa下对清洗后的基体进行加温至第一预定温度，保温1-5h；S3：将温度降至第二预定温度，利用磁过滤沉积技术，同时在基体上施加高功率脉冲偏压复合直流偏压进行类石墨涂层的沉积；然后将温度升至第三预定温度；S4：利用激光器对所述类石墨涂层进行表面刻蚀。该方法沉积速率高，成本低，能实现批量化生产。采用该方法制备的类金刚石涂层为硬度和氢含量循环交替变化的类石墨层状碳结构；且具备高耐腐蚀性，高抗裂纹扩展特性，高抗磨能力，同时具有高导电性，并且膜层致密性好。
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公开(公告)号：CN117187743A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311141420.7
申请日：2023-09-06
Applicant: 北京师范大学珠海校区
Abstract: 本发明公开了一种高熵氧化物薄膜负极材料及其制备方法和应用，采用磁过滤阴极真空弧方法在铜箔基片上一步沉积出高熵氧化物薄膜，具体包括以下步骤：将基片放在乙醇溶液中清洗；然后放入真空室抽真空；利用氩气在‑300～‑600V的负偏压条件下对基片进行溅射清洗；采用磁过滤阴极真空弧沉积高熵氧化物薄膜，在弧流为50～200A，正偏压为20～40V、负偏压为‑50～‑300V、氧气流量为5～10sccm条件下进行薄膜沉积，沉积时间为0.5～2h。本发明通过载能离子与金属靶材表面/亚表面的相互作用在室温下一步实现多种金属氧化物的精细成膜，与基于化学合成的方法相比，离子术技术能实现氧化物种类、结构和性能的宽域调控，具有更好的产业化应用前景。
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公开(公告)号：CN116949403A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310919927.4
申请日：2023-07-25
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开一种离子束稳流装置，包括弧电源、阴极组件以及触发组件，其中，弧电源的正极接地；阴极组件包括阴极靶材和靶材座，靶材座处还设置永磁体；触发组件包括触发电极、触发针和辅助阳极板。弧电源在靶材座和触发电极施加电压，使触发针与阴极靶材接触形成短路，瞬间形成电弧，在电弧中形成等离子体，电弧斑在阴极靶材表面移动；辅助阳极板接地，当电弧斑运动至阴极靶材边缘时，由于辅助阳极板的电位较阴极靶材的电位高，电弧斑返回阴极靶材中心，从而避免电弧斑落在阴极靶材的侧面而导致灭弧。本发明还提供一种电弧离子镀设备，包含上述的离子束稳流装置，提高离子束稳定性，进而提升电弧离子镀质量。
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公开(公告)号：CN116904938A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310887610.7
申请日：2023-07-19
Applicant: 北京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种采用双脉冲技术制备的高熵合金涂层及其制备方法，所述方法包括以下步骤：将等离子体依次通过脉冲磁场、扫描磁场和脉冲电场处理后沉积在基体样品表面形成高熵合金涂层。本发明方法制备的高熵合金涂层和基体结合强度高，不同服役环境下保持优异性能时间长；本发明方法有别于传统技术，双脉冲技术制备高熵合金涂层在靶材确定后其内各元素种类通过沉积外部参数可以实现元素成分、结构精确调节；本发明双脉冲技术制备高熵合金涂层其膜层致密性高，结构可通过脉冲磁场与脉冲负压和过渡层进行调节；本发明双脉冲技术制备高熵合金膜层大面积的均匀性好，通过磁场的设计，金属等离子体能够充分的混合，不存在成分偏析的情况。
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公开(公告)号：CN111662467B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010350044.2
申请日：2020-04-28
Applicant: 北京师范大学 , 广东省广新离子束科技有限公司
IPC: C08J3/28 , C08L79/08 , C08L101/12 , C08L67/02 , C08L27/18
Abstract: 本发明提供了一种5G用聚合物的表面处理方法，属于聚合物表面处理技术领域。本发明通过对聚合物进行氧元素注入、加成使聚合物基体元素与注入加成的原子形成共混结构，该结构的形成能够增加聚合物表面的粗糙度，提高其与金属的结合强度，从而使其抗剥离强度得以增强。本发明的处理方法能同时兼顾聚合物的表面电阻率、表面粗糙度、吸水度和抗拉伸性能，所用设备使用寿命高，成本低，能实现大规模的卷对卷生产，该方法可在聚合物表面处理上进行推广。
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