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公开(公告)号：CN112036110B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010899992.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367 , G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种模块级电路瞬时剂量率效应仿真测试方法，1)针对器件级电路建立基本单元NMOS管和PMOS管的物理模型；2)建立瞬时光电流模型；3)在每个NMOS管和PMOS管并联瞬时光电流模型得到获得基本单元NMOS管和PMOS管的瞬时剂量率效应的SPICE微模型；4)在SPICE仿真软件中输入模块级电路的电路配置文件和电路网表文件，在SPICE中得到模块级电路连接模型，并将所述SPICE微模型代入到模块级电路连接模型中建立模块级电路瞬时剂量率效应模型；5)对步骤4)得到的模块级电路瞬时剂量率效应模型在不同剂量率下模拟模块级电路产生的瞬时剂量率效应，监测是否获得模块级电路瞬时剂量率效应翻转阈值，若是，则完成仿真测试；若否则调整参数直至获得瞬时剂量率翻转阈值。
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公开(公告)号：CN117234994A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311246181.1
申请日：2023-09-25
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G06F15/163
Abstract: 一种可动态配置的交叉开关互连结构电路，能够自动切换传递路径；能够动态切换传递路径，能够单时钟周期内改变传递路径，而不是传统交叉开关互连的静态的保持不变；能够对输入数据进行聚合和复用，聚合是指能够将不同输入端口的数据汇聚到一个输出端口，指定先后顺序输出，复用是指一个输入端口的数据能够分散到多个输出端口；能够对输入的数据进行整理，按照一定的规则对输入数据进行挑选。本发明适用于多核处理器芯片的交叉开关互连，能够使得交叉开关互连结构更加灵活、高效地实现数据传递。
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公开(公告)号：CN111487472A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010247272.7
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种测量单粒子瞬态脉冲宽度的电路结构，包括控制电路、衰减单元、延迟单元、驱动Buffer、计数电路。所述的控制电路用于单粒子瞬态脉冲到来后控制此脉冲传输到由此电路和衰减单元、延迟单元、驱动buffer构成的循环结构中。所述的衰减单元用于减小脉冲宽度，延迟单元用于使循环结构的延时宽度大于脉冲宽度。计数电路利用寄存器和加法器实现对脉冲在循环结构中循环的次数的计数，寄存器的时钟信号由脉冲提供不需额外提供，单粒子瞬态脉冲宽度的测量结果是每次循环衰减的量乘以循环的次数。本发明实现的电路结构，可测范围大，测量精度高。
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公开(公告)号：CN120017022A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411892767.X
申请日：2024-12-20
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种单粒子翻转检测和自恢复的触发器结构，包括延时滤波结构，二输入数据选择器，时钟控制的异或门，反相器，时钟控制的信号传输结构和锁存结构。延时滤波结构用于对时钟信号进行单粒子瞬态加固，并生成软错误检测结构的时钟信号。二输入数据选择器用于选择适当的输入信号输入到锁存结构中。时钟控制的异或门用于检测触发器的输出是否出现单粒子翻转。反相器电路用于反相时钟信号及数据信号，保障电路逻辑功能。时钟控制的信号传输结构用于控制信号在电路中的传播。锁存结构用于锁存数据。本发明设计的电路结构，针对单粒子翻转进行检测和数据恢复，可应用于系统级整体设计，易实现。
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公开(公告)号：CN114709197B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210232467.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，GaN与Ga2O3器件级联的Cascode结构增强型功率器件从左到右包括低压增强型GaN HEMT器件和高压耗尽型Ga2O3FET器件，所述低压增强型GaN HEMT器件与所述高压耗尽型Ga2O3FET器件相连通。本发明采用上述结构的一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，Ga2O3材料具有高击穿电压特性，同时GaN属于宽禁带材料，整体上增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压，降低了宇航系统的重量和复杂程度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118631216A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410589270.4
申请日：2024-05-13
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种抗单粒子多位翻转的锁存器电路，该锁存器电路包括：时钟控制反相器电路，由时钟信号CK1、CK2控制时钟控制反相器电路的导通或关闭，在导通时将数据信号传输至锁存单元；锁存单元，从时钟控制反相器电路接收数据信号，通过控制时钟信号CK1、CK2进行数据信号的锁存；SEU监控单元，监测锁存单元内部数据敏感节点是否发生单粒子翻转，若被监测锁存单元出现单粒子翻转，则通过片选控制单元将数据通道切换至其他锁存单元；片选控制单元，根据SEU监控单元的监测结果控制锁存单元输出的开启或关闭；反相器电路，对片选控制单元输出的数据信号，或时钟信号进行反相；本发明具有良好的单粒子加固能力，可实现抗单粒子多位翻转。
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公开(公告)号：CN118282385A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410352585.7
申请日：2024-03-26
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K19/094 , H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种冗余自恢复的抗多节点和时钟信号单粒子翻转锁存器，包括输入电路、第一锁存电路、第二锁存电路、输出电路、第一时钟信号电路CLK1和第二时钟信号电路CLK2，本发明将时钟信号电路进行冗余，分为两个相同的时钟信号电路CLK1及CLK2，第一锁存电路和第二锁存电路的工作状态由两个时钟信号电路的时钟信号控制，通过增加一条冗余锁存电路和一条冗余传输电路使得锁存器可以抵抗多节点单粒子翻转并具有自恢复的能力；冗余时钟信号电路使得锁存器可以抵抗时钟信号单粒子翻转。
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公开(公告)号：CN117761516A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311423998.1
申请日：2023-10-30
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G01R31/311 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种评估可重构芯片单粒子功能错误敏感区间的方法，包括：使可重构芯片执行一个典型测试程序；分别对可重构芯片中的各功能模块进行激光辐照试验，获取各功能模块的单粒子功能错误饱和截面；使可重构芯片执行下一个典型测试程序，并重复上述步骤，直至执行完所有的典型测试程序；根据各典型测试程序下的单粒子功能错误饱和截面，得到各功能模块的单粒子功能错误敏感区间。本发明还公开了评估可重构芯片单粒子功能错误敏感区间的系统，包括程控电源模块、上位机控制中心模块和控制区模块。本发明能够得到可重构芯片的单粒子功能错误敏感区间，对于可重构芯片整体性能的评估提供重要支撑。
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公开(公告)号：CN116646399A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310531126.0
申请日：2023-05-11
Applicant: 湖南大学 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种沟槽栅半导体器件及其制备方法，所述沟槽栅半导体器件包括：P+衬底；位于所述P+衬底上的N‑漂移区；位于所述N‑漂移区一侧的多阶介质层和P阱区，位于所述N‑漂移区另一侧的N+漏区；其中，所述多阶介质层内设有多晶硅栅，所述P阱区内设有N+阱区和P+区。在N‑漂移区引入多阶介质层，并利用台阶侧壁形成极薄的栅极氧化物，进而构成沟槽型的MOS结构，多晶硅下方和靠近漏极侧具有较厚的介质层；降低了LDMOS器件电场峰值和饱和电流密度，同时保持了器件优异的正向导通特性。
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公开(公告)号：CN116633322A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310343632.7
申请日：2023-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/3562
Abstract: 本发明一种基于DICE的抗多节点单粒子翻转和时钟信号单粒子翻转的D型锁存器。通过设计由1个C单元及延迟结构组成的输入电路，可以抵抗输入信号的单粒子瞬态脉冲；由4个时钟控制的传输单元、DICE结构组成的锁存电路和由3个C单元及1个反相器组成的输出电路，可以抵抗多节点单粒子翻转；由4个反相器组成的双时钟信号电路使得锁存器可以抵抗时钟信号单粒子翻转。
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