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公开(公告)号：CN116646399A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310531126.0
申请日：2023-05-11
Applicant: 湖南大学 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种沟槽栅半导体器件及其制备方法，所述沟槽栅半导体器件包括：P+衬底；位于所述P+衬底上的N‑漂移区；位于所述N‑漂移区一侧的多阶介质层和P阱区，位于所述N‑漂移区另一侧的N+漏区；其中，所述多阶介质层内设有多晶硅栅，所述P阱区内设有N+阱区和P+区。在N‑漂移区引入多阶介质层，并利用台阶侧壁形成极薄的栅极氧化物，进而构成沟槽型的MOS结构，多晶硅下方和靠近漏极侧具有较厚的介质层；降低了LDMOS器件电场峰值和饱和电流密度，同时保持了器件优异的正向导通特性。
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公开(公告)号：CN114582861B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210221675.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，低压增强型GaN HEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaN HEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，低压增强型GaN HEMT和高压耗尽型Ga2O3FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。本发明采用上述结构的一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，实现新型的GaN与Ga2O3级联的增强型器件，降低航天系统的复杂度，提升器件的抗辐照能力，提高器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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公开(公告)号：CN116885011A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310798197.7
申请日：2023-06-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/808 , H01L21/337 , H01L29/16
Abstract: 本发明一种抗单粒子烧毁的高压沟槽型SiC JFET器件结构和制备方法，所述新型抗单粒子烧毁的沟槽型SiC JFET结构的元胞包括：漏极金属电极、N+衬底区、N‑漂移区、栅极金属电极、栅极沟槽底部和侧壁离子注入形成的P型掺杂区、电流扩展层、N+源区以及与源区相连的源极金属电极。其中，P型掺杂区整体与栅极相连，其内部由不同掺杂浓度的P型区域构成，重掺杂区域位于栅极沟槽拐角处。该结构改善了器件内部的电场分布，可有效缓解重离子入射引发的器件内部局部高温情况，具有较强的抗单粒子烧毁能力。同时，该结构可于漂移区额外添加缓冲层，进一步提高器件的抗单粒子烧毁能力。
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公开(公告)号：CN114709197A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210232467.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，GaN与Ga2O3器件级联的Cascode结构增强型功率器件从左到右包括低压增强型GaN HEMT器件和高压耗尽型Ga2O3FET器件，所述低压增强型GaN HEMT器件与所述高压耗尽型Ga2O3FET器件相连通。本发明采用上述结构的一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，Ga2O3材料具有高击穿电压特性，同时GaN属于宽禁带材料，整体上增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压，降低了宇航系统的重量和复杂程度。
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公开(公告)号：CN114582861A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210221675.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，低压增强型GaN HEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaN HEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，低压增强型GaN HEMT和高压耗尽型Ga2O3FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。本发明采用上述结构的一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，实现新型的GaN与Ga2O3级联的增强型器件，降低航天系统的复杂度，提升器件的抗辐照能力，提高器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114709197B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210232467.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，GaN与Ga2O3器件级联的Cascode结构增强型功率器件从左到右包括低压增强型GaN HEMT器件和高压耗尽型Ga2O3FET器件，所述低压增强型GaN HEMT器件与所述高压耗尽型Ga2O3FET器件相连通。本发明采用上述结构的一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，Ga2O3材料具有高击穿电压特性，同时GaN属于宽禁带材料，整体上增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压，降低了宇航系统的重量和复杂程度。
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公开(公告)号：CN104461620A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410708138.7
申请日：2014-11-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F9/445
Abstract: 一种SoPC芯片自主重构软配置方法，对SoPC芯片的自重构软配置电路技术进行研究，提出了一种SoPC芯片自主重构软配置方法，本发明方法充分利用配置接口可控性的特征，将处理器的GPIO接口与FPGA芯片的配置接口相连，构建物理数据通路和配置链路，通过控制GPIO接口的信号输出、采集和通过接口电平变化实现配置时序和配置数据，完成自重构操作。本发明方法与传统的重构配置方法相比无需在SoPC芯片添加FPGA专用的配置芯片即可实现系统的自主重构操作，有效的减小了SoPC芯片的体积，同时SoPC芯片内部用于控制实现自主重构操作的信号少，降低了设计复杂度。
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公开(公告)号：CN114582862A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210221722.4
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公开了一种单片集成GaN/Ga2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件，包括Ga2O3FET结构和设置在所述Ga2O3FET结构右侧的GaN HEMT结构，Ga2O3FET结构和GaN HEMT结构均设置在衬底上，GaN HEMT结构和Ga2O3FET结构之间设置有第一钝化层；Ga2O3FET结构自下而上依次包括Ga2O3缓冲层和Ga2O3沟道层，Ga2O3沟道层的上方从左至右依次设置有第一源极、第一栅极和第一漏极；GaN HEMT结构自下而上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上方从左至右依次设置有第二源极、p‑GaN层和第二漏极，p‑GaN层的上方设置有第二栅极。本发明采用上述结构实现了新型Ga2O3的增强型器件，降低了宇航系统的重量和复杂度，增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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公开(公告)号：CN104459518B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410706874.9
申请日：2014-11-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供了一种基于SoPC芯片的功能性测试系统及其测试方法，该系统包括串行通信接口测试模块、I2C测试模块、中断处理测试模块、定时器测试模块、计数器测试模块、总线测试模块、模拟开关/ADC测试模块、GPIO测试模块、FPGA配置模块、通信模块和测试控制模块；本发明的自动化测试方法在同一个测试系统中，按照测试需求在一个测试程序中完成SoPC芯片的各个功能模块的测试，避免了传统测试方法中对同一个SoPC芯片不同功能进行测试时，针对各测试项目返回进行编译，可有效缩短测试时间，并降低测试难度和测试操作复杂度。
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公开(公告)号：CN104459518A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410706874.9
申请日：2014-11-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供了一种基于SoPC芯片的功能性测试系统及其测试方法，该系统包括串行通信接口测试模块、I2C测试模块、中断处理测试模块、定时器测试模块、计数器测试模块、总线测试模块、模拟开关/ADC测试模块、GPIO测试模块、FPGA配置模块、通信模块和测试控制模块；本发明的自动化测试方法在同一个测试系统中，按照测试需求在一个测试程序中完成SoPC芯片的各个功能模块的测试，避免了传统测试方法中对同一个SoPC芯片不同功能进行测试时，针对各测试项目返回进行编译，可有效缩短测试时间，并降低测试难度和测试操作复杂度。
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