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公开(公告)号：CN102214596A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110139453.9
申请日：2011-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/8238 , B82B3/00
CPC classification number: H01L29/66439 , B82Y10/00 , H01L29/775
Abstract: 本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。方法包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A；光刻定义Fin条硬掩膜；刻蚀材料A，形成Fin条的硬掩膜；源漏注入；光刻定义沟道区和大源漏区；形成Si Fin条和大源漏；去除材料A硬掩膜；形成纳米线；腐蚀SiO2，形成悬空纳米线；形成栅氧化层；淀积多晶硅；多晶硅注入；杂质激活退火；刻蚀多晶硅；淀积SiN；光刻定义栅线条；刻蚀SiN和多晶硅形成栅线条；将源漏与栅分离，之间区域为空气填充；淀积SiO2，形成空气侧墙；退火致密SiO2层；后续流程完成器件制备。本方法与CMOS工艺流程相兼容，空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。
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公开(公告)号：CN102074583A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010560176.4
申请日：2010-11-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7839
Abstract: 本发明提供一种低功耗复合源结构MOS晶体管，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该MOS晶体管包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个肖特基源区、一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区，控制栅的一端向高掺杂源区延展成T型，延展出来的栅区为延展栅，原控制栅区为主栅，在延展栅覆盖下的有源区同样是沟道区，材料为衬底材料，所述肖特基源区和延展栅下的沟道处形成肖特基结。本发明复合源结构结合了肖特基势垒和T型栅，提高了器件性能且制备方法简单，可以得到更高的导通电流、更低的泄漏电流以及更陡直的亚阈值斜率，有望在低功耗领域得到采用，有较高的实用价值。
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公开(公告)号：CN102456403B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201010523322.6
申请日：2010-10-22
Applicant: 北京大学
IPC: G11C16/06
CPC classification number: H01L29/42352 , G11C16/0475 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 本发明公开了利用分裂槽栅快闪存储器实现四位存储的方法，所述分裂槽栅快闪存储器如专利号为200710105964.2中国专利中所述，在该快闪存储器的两个沟槽与沟道接触的一侧区域采用沟道热电子注入的方法实现对电子的编程；而在两个沟槽与源或漏接触的一侧区域采用FN注入的方法实现对电子的编程。从而通过编程模式的改变实现四位存储的功能，使得这种器件在性能得到提升的同时，存储密度也有较大的改善。
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公开(公告)号：CN102221566B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110079809.4
申请日：2011-03-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种利用直流源测试不同材料间边界热阻的方法，具体包括：构建一种特殊的测试结构；通过直流方法测出测试结构中样品2(Y2)和样品1(Y1)的整体热阻之差；计算材料A和材料B之间的边界热阻；改变输入直流电源的输入功率，重复上述步骤共N次，得到N个边界热阻，取这N个边界热阻的算术平均值作为材料A和材料B的边界热阻。本发明所提供的方法能够非常简便而且有效地测试出不同材料薄层之间的边界热阻，对仪器设备要求简单，且方便易操作，测试成本低廉，适用范围广泛，其测试结果对半导体器件的设计有直接的指导作用。
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公开(公告)号：CN102315129B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110190786.4
申请日：2011-07-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/42392 , H01L29/0676 , H01L29/66772 , H01L29/78642 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种寄生电阻较小的垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。利用本发明制备出的垂直型硅纳米线场效应晶体管相比于传统的平面场效应晶体管，一方面由于其本身的一维几何结构导致的良好栅控能力，能够提供很好的抑制短沟道效应的能力，并减小泄漏电流和漏致势垒降低(DIBL)；另一方面，进一步缩小器件面积，提高了IC系统的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102214611B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110139305.7
申请日：2011-05-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L21/762 , B82B3/00
Abstract: 本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin硬掩膜；形成Si Fin条；淀积多晶硅；注入多晶硅；淀积SiN；定义沟道和大源漏区；形成Si Fin和大源漏；淀积SiN；刻蚀SiN形成SiN侧墙；氧化形成纳米线；形成悬空纳米线；形成栅氧化层；淀积多晶硅；注入多晶硅；光刻定义栅线条；通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到多晶硅上；腐蚀SiN；淀积SiO2，形成空气侧墙；退火激活杂质；采用常规CMOS后端工艺完成后续流程，完成器件制备。本发明提供的方法与CMOS工艺流程相兼容，空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。
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公开(公告)号：CN102214595B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110139058.0
申请日：2011-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/8238 , B82B3/00
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/76289 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66772
Abstract: 本发明提供了一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法，包括：隔离并淀积SiN；淀积SiO2；定义沟道区和大源漏区；将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO2硬掩膜上；淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin条；形成Fin和大源漏的硬掩膜；形成Si Fin条和大源漏；淀积SiN；刻蚀SiN，形成SiN侧墙；氧化，形成纳米线；去除氧化层，形成悬空纳米线；形成栅氧化层；淀积多晶硅；定义栅线条；将光刻胶上的图形转移到多晶硅上；多晶硅和源漏注入；湿法腐蚀SiN；淀积SiO2，形成空气侧墙；退火激活杂质；完成器件制备。本发明的方法，与CMOS工艺流程相兼容，空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。
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公开(公告)号：CN102074583B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201010560176.4
申请日：2010-11-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7839
Abstract: 本发明提供一种低功耗复合源结构MOS晶体管，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该MOS晶体管包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个肖特基源区、一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区，控制栅的一端向高掺杂源区延展成T型，延展出来的栅区为延展栅，原控制栅区为主栅，在延展栅覆盖下的有源区同样是沟道区，材料为衬底材料，所述肖特基源区和延展栅下的沟道处形成肖特基结。本发明复合源结构结合了肖特基势垒和T型栅，提高了器件性能且制备方法简单，可以得到更高的导通电流、更低的泄漏电流以及更陡直的亚阈值斜率，有望在低功耗领域得到采用，有较高的实用价值。
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公开(公告)号：CN102353887A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110273484.3
申请日：2011-09-15
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种微纳米尺度圆形边界界面热阻的测量方法，设计了辅助器件结构，包括圆柱内芯和内芯外包裹的第一圆环、第二圆环，第一圆环与第二圆环形成的圆形边界即为待测界面的等效界面，从而将晶向、尺寸等影响统一考虑，取等效界面热阻，从而简化界面热效应相关计算，建立了一个简易的模型研究热效应。通过改变第一圆环和第二圆环的材料，可以测量不同材料的圆形边界界面热阻。根据得到的等效热阻，可以就热效应对环栅器件的影响进行建模分析。
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公开(公告)号：CN102353886A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110188149.3
申请日：2011-07-05
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管自加热效应的温度的测量方法。本发明的测量方法使用亚阈电流作为温度计，通过编写栅端、源端和漏端的偏压波形，使器件电流在亚阈电流Isub和开态电流Ion之间切换，电流方向在源端和漏端之间切换，检测亚阈电流的变化值，最终得到源端和漏端的温度。本发明的测量方法简单，可以得到晶体管正常工作时源端和漏端的温度，以及晶体管正常工作时，晶体管的自加热效应导致晶体管的源区和漏区的温度提高的大小，且不需要设计特殊的测试结构。此外，该测量方法还能用于表征晶体管间热耦合对晶体管的源端和漏端的温度的影响。测试得到的源端和漏端的温度能够有效用于晶体管的可靠性及性能的分析中，有利于晶体管及芯片的设计及优化。
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