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公开(公告)号：CN114843225B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110141718.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8252 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/872 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管在器件宽度方向上进行交叉设置，形成叉指并联结构，且MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管采用同样的湿法刻蚀工艺。与现有技术相比，本发明制备的开关器件具有正向阈值电压、更高正、反向导通电流以及更低反向开启电压，从而提升整个器件的击穿电压，实现更低的开关损耗、更小的占用面积以及更高的转换速率以及更高的工作电压。
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公开(公告)号：CN104167362B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201410386689.6
申请日：2014-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种氮化镓盖帽层掩模的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基表面光刻器件区域，刻蚀非器件区域；在氮化镓基表面光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽栅区域的氮化镓盖帽层并去除剩余光刻胶；对氮化镓基表面在高温条件下进行氧化处理；将氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；对氮化镓基表面淀积栅绝缘层；光刻源漏区域，刻蚀源漏区域的栅绝缘层并制备欧姆接触；制备栅金属。本发明采用氮化镓盖帽层为掩模，简化了制备工艺，降低了制备成本，凹槽栅结构的制备可以实现自停止，可操作性和可重复性高，制备的氮化镓基增强型器件性能优异，阈值电压为4.4V，最大电流为135mA/mm，更利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN107045975A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201610081301.0
申请日：2016-02-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，欧姆区域开槽利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，即只氧化势垒层，后续腐蚀可以只腐蚀掉被氧化的势垒层，腐蚀过程停止在GaN层表面，只需保证温度是在自停止氧化范围内，时间超过氧化到GaN表面所需时间即可，不需精确控制凹槽制备条件并基本消除了等离子体对材料可能带来的损伤，且可以将隔离与欧姆开槽同时制备，从而简化工艺，具有很高的可操作性和可重复性，十分利于工业化生产。采用本发明方法制备的氮化镓基材料欧姆接触得到了很大的改善，甚至在传统欧姆接触无法形成的较低退火温度下，本发明方法也可以形成较好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN106298514A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510275124.5
申请日：2015-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法，隔离区利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，消除了等离子体对有源区边缘及隔离区表面的损伤，可以有效降低泄漏电流，而隔离区仅势垒层被刻蚀掉，相对于ICP刻蚀来说台阶高度明显降低，且可以方便地与自停止刻蚀的栅凹槽同时完成，从而简化自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件制备工艺，具有很高的可操作性和可重复性，十分利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103268857A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310175267.X
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基材料表面淀积保护层；在所述保护层上涂敷光刻胶，并光刻待做刻蚀区域图形；去除待做刻蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基材料在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；将非刻蚀区域的保护层置于腐蚀性溶液中去除。本发明方法基于湿法腐蚀工艺技术，可实现自停止特性，刻蚀区域平整度高、台阶边缘光滑，具有很高的可操作性和可重复性，更利于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103094360A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210256999.7
申请日：2012-07-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/92 , H01L21/334
Abstract: 本发明提供一种可变电容及其制作方法。该可变电容包括依次排列的高阻GaN层、高迁移率GaN层、AlGaN势垒层和金属层。该方法包括：在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上依次生长高阻GaN层和高迁移率GaN层；在高迁移率GaN层上生长AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上采用ICP-RIE方法刻蚀隔离岛；然后涂光刻胶，进行光刻、曝光并显影，形成肖特基电极图形；再通过电子束蒸发一金属层，将光刻胶剥离后形成可变电容。利用本发明，可在GaN基上实现与高电子迁移率晶体管HEMT工艺兼容的可变电容，对于实现LNAs、VCOs以及混频器等电路有重要意义。
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公开(公告)号：CN102915957A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210345336.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种制作空气桥及电感的方法。其步骤主要包括：在基片上利用光刻胶制作第一牺牲胶层；在第一牺牲胶层上涂敷光刻胶制作第二牺牲胶层，该第二牺牲胶层的长度小于第一牺牲胶层的长度；通过烘烤使牺牲胶层的边角圆滑并固化，形成拱形的空气桥支撑基片；利用电子束蒸发制作种子层；在种子层上电镀金属材料层；采用腐蚀方法去除种子层，采用有机溶剂去除牺牲胶层，形成空气桥。本发明使用光刻胶制作两层牺牲胶层，可以提高空气桥的性能，并能提高工艺效率，减小制作过程中对器件造成的损伤，同时避免使用剧毒试剂，保护环境。
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公开(公告)号：CN101369599A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810212053.4
申请日：2008-09-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/41 , H01L29/45 , H01L29/772 , H01L29/737 , H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L21/28 , H01S5/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化镓基器件的欧姆接触，由钛金属层、铝金属层、阻挡金属层和金金属层组成，与氮化镓基器件欧姆接触的是钛金属层，钛金属层上覆盖铝金属层，在钛金属层和铝金属层上依次覆盖阻挡金属层和金金属层，其中，钛金属层和铝金属层重叠排列2－10个周期。与传统欧姆接触结构相比，本发明基于多层Ti/Al结构的欧姆接触能够兼顾低比欧姆接触率，且具有好的表面形貌和高可靠性，能够提高欧姆接触的综合性能。对于实现高性能、高可靠性的氮化镓基器件具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117890695A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311676916.4
申请日：2023-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 北京大学 , 河北博威集成电路有限公司
Abstract: 本发明提供一种微波射频芯片及微波射频芯片的测试系统，微波射频芯片通过将电阻组件串联在待测微波射频芯片的栅极，将电容组件并联在待测微波射频芯片的栅极，本发明能够使得电阻组件和电容组件构成的稳定匹配装置可以过滤栅极输入信号中可能存在的纹波电压和交流信号，同时可以有效过滤外部环境各种干扰源引入的自激信号。防止芯片高压测试时出现自激甚至烧毁现象。
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公开(公告)号：CN114843226A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110146397.5
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8252 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/861 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管在器件宽度方向上进行交叉设置，形成叉指并联结构，且MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管采用同样的湿法刻蚀工艺。与现有技术相比，本发明制备的开关器件具有正向阈值电压、更高正、反向导通电流以及更低反向开启电压，从而提升整个器件的击穿电压，实现更低的开关损耗、更小的占用面积以及更高的转换速率以及更高的工作电压。
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