公开(公告)号：CN107045975A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201610081301.0

申请日：2016-02-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘靖骞 ,  王金延 ,  蒋海桑 ,  王宏跃 ,  朱林 ,  王茂俊 ,  于民 ,  吴文刚 ,  张进城 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，欧姆区域开槽利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，即只氧化势垒层，后续腐蚀可以只腐蚀掉被氧化的势垒层，腐蚀过程停止在GaN层表面，只需保证温度是在自停止氧化范围内，时间超过氧化到GaN表面所需时间即可，不需精确控制凹槽制备条件并基本消除了等离子体对材料可能带来的损伤，且可以将隔离与欧姆开槽同时制备，从而简化工艺，具有很高的可操作性和可重复性，十分利于工业化生产。采用本发明方法制备的氮化镓基材料欧姆接触得到了很大的改善，甚至在传统欧姆接触无法形成的较低退火温度下，本发明方法也可以形成较好的欧姆接触。