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公开(公告)号：CN103227102A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310133783.6
申请日：2013-04-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种图形化纳米颗粒自组装制造方法，其步骤包括：采用单面抛光单晶硅衬底,通过化学气相淀积方法在硅衬底表面淀积出一层聚对二甲苯薄膜；通过传统光刻方法，在硅衬底表面制作所需的光刻胶掩模图形；采用氧等离子体刻蚀方法，刻蚀裸露的聚对二甲苯薄膜；采用金刚石划片机对硅衬底进行划片；采用丙酮去除在硅衬底表面的光刻胶；将去除光刻胶后的硅衬底浸泡在浓硫酸、双氧水的混合液中，取出后用去离子水清洗；取一定量制备好的纳米颗粒悬浊液，滴入到装有乙醇的容器中，将两种液体混合均匀并缓慢倒入已装有去离子水的培养皿中；将得到的硅衬底完全浸泡在培养皿中的液体后，取出放置在另一培养皿中，并水平放入一干燥箱内，在室温条件下自然蒸发后得到具有图形化纳米颗粒自组装的硅衬底。
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公开(公告)号：CN102856188A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210277907.3
申请日：2012-08-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基器件表面淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶，并对待腐蚀区域进行光刻；刻蚀待腐蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓基器件置于腐蚀性溶液中进行腐蚀。本发明可制得槽底平整、台阶边缘光滑的腐蚀槽，并能有效减少对器件造成的损伤，适用于氮化镓基器件的隔离工艺以及其它腐蚀工艺。
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公开(公告)号：CN101508419B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910080158.3
申请日：2009-03-24
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米柱森林的加工方法，其步骤包括：1)准备并清洗所选用的衬底；2)在衬底的表面上旋涂光刻胶，并对光刻胶依次进行前烘、曝光和显影，最后形成光刻胶图形；3)对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在衬底上形成一层图形化的纳米点状结构；4)用纳米点状结构为掩模，各向异性刻蚀衬底，形成初始纳米柱；5)在初始纳米柱表面保形沉积薄膜；6)通过各向异性刻蚀薄膜，在初始纳米柱的周围形成侧墙；7)以包裹侧墙的初始纳米柱为掩模，各向异性刻蚀衬底，形成纳米柱；8)去除纳米柱表面上的侧墙残留，得到图形化的纳米柱森林结构。使用本发明制作的图形化纳米柱森林可广泛应用于新能源器件、生物医学检测器件、微流控器件、电子器件以及纳米压印中。
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公开(公告)号：CN101881881A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010199618.7
申请日：2010-06-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种可变光衰减器件及其制备方法，该器件包括：硅基座以及与所述硅基座键合的玻璃基座，所述硅基座设置有垂直光反射面、以及以所述光反射面为一侧面的加热空腔，所述加热空腔与所述玻璃基座的部分上表面围成密封腔体，在所述密封腔体内的玻璃基座的上表面上设置有加热部件。本发明的可变光衰减器件可满足振动环境中对器件的可靠性要求、成本低、且性能高。
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公开(公告)号：CN100593508C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200610113830.0
申请日：2006-10-18
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种加工周期性纳米结构器件的方法。本发明所提供的加工周期性纳米结构器件的方法，包括如下步骤：1)准备并清洗所选用的衬底，在衬底上图形化出结构层；2)选择与所述结构层材料不同的另一种材料，在所述结构层的侧面进行侧墙沉积，各向异性刻蚀后在所述结构层的侧面形成一侧墙；3)以不同的材料重复步骤2)，经过多次沉积、刻蚀，在所述衬底上形成所述周期性纳米结构器件。基于本发明制作的周期性纳米栅、纳米“网格”、纳米柱等，可应用于光学器件、生物医学检测器件、传感器件、电子器件等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1773675A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200410009764.3
申请日：2004-11-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种射频电感的制备方法，属于电感加工技术领域。该方法包括：首先以绝缘体作为衬底，在衬底上制作金属电极，在硅片上刻出锚点，然后通过该锚点将硅片和衬底键合，硅片和绝缘体键合后，采用感应耦合等离子体刻蚀、释放电感螺线结构，最后对电感施加无电镀铜，降低寄生电阻。本发明以被无电镀金属镀层包裹的单晶硅螺线结构悬空在绝缘衬底上构成电感，结构简单、寄生效应小、且流程成熟、简单、易于控制、电感制造周期较短。
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公开(公告)号：CN116741284A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310644334.1
申请日：2023-06-01
Applicant: 北京大学
IPC: G16B50/00 , G16B40/00 , G16C20/90 , G16C20/70 , G06F18/214 , G06F18/24 , G06N3/0442 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/0475 , G06N3/094
Abstract: 本发明公开了一种基于AL‑WGAN‑GP的太赫兹光谱数据扩充方法，属于计算机应用技术领域。本发明将不同水蒸气湿度以及模拟硬件设备干扰下的高斯噪声添加到真实的太赫兹光谱数据中，并且使用数学方法进行数据平滑，插值，归一化等处理，在AL_WGAN‑GP网络结构中增加了注意力机制的特征通道，用于提升整个网络模型的性能，最终达到纳什均衡，可以生成近乎真实的模拟数据，从而构建手性THz数据库。
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公开(公告)号：CN116618100A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310598001.X
申请日：2023-05-25
Applicant: 北京大学
IPC: B01L3/00 , G01N21/3581 , G01N21/3586 , B81B7/02 , B81B7/00
Abstract: 本发明公开了一种自对准式太赫兹超表面微流体传感器及其制备方法，属于液体检测及太赫兹生化传感领域。本发明利用MEMS工艺在硅基座上刻蚀加工二级台阶，通过在超薄石英盖层上制备由金属微阵列构成的太赫兹超表面，再将超薄石英盖层和硅底座键合及封装得到自对准式太赫兹超表面微流体传感器。本发明不仅解决了实测中的漏液问题，且将太赫兹超表面结构放置到加工好的硅基底的台阶内，自对准的同时，也形成了微流通道。通过硅基底上沉积的反射金属膜，阻止电磁波的向下透射的同时向上反射太赫兹波，使得微流通道内的待测物质处于强场能区域从而与太赫兹波充分作用，实现了较高的器件灵敏度和品质因子。
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公开(公告)号：CN114843225A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110141718.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8252 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/872 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管在器件宽度方向上进行交叉设置，形成叉指并联结构，且MIS‑HEMT器件和GaN肖特基二极管采用同样的湿法刻蚀工艺。与现有技术相比，本发明制备的开关器件具有正向阈值电压、更高正、反向导通电流以及更低反向开启电压，从而提升整个器件的击穿电压，实现更低的开关损耗、更小的占用面积以及更高的转换速率以及更高的工作电压。
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公开(公告)号：CN114843187A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110141892.7
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种GaN基多纳米沟道高电子迁移率晶体管的制备方法，属于微电子器件技术领域。该方法采用高温氧化腐蚀方法，湿法刻蚀形成纳米沟道阵列结构。由于湿法刻蚀中没有引入等离子体，因此不会在纳米沟道阵列的侧面产生损伤；同时，在一定的温度范围内，只有AlGaN材料会被氧化，而GaN材料不会被氧化，因此腐蚀能够自停止在GaN表面，保证沟道之间以及器件之间的一致性，本发明适合大规模的商业化生产。
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