公开(公告)号：CN100364094C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200510005031.7

申请日：2005-01-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩翔 ,  吴文刚 ,  郝一龙 ,  王阳元

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种FinFET电路与纳机电梁集成的芯片及其制作方法，本发明产品包括—芯片本体，其特征在于：芯片本体上包括机电区和电路区，机电区包括设置在芯片本体上的固定端，单端或双端固定的纳机电梁和机电区电极；电路区包括以FinFET为单元构建的电路系统，FinFET单元中包括源、漏、Fin和栅，栅跨越Fin，电路区和机电区之间通过金属引线连接，金属引线在机电区，连接固定端或机电区电极，金属引线在电路区，连接电路系统中FinFET单元的栅或源或漏，电路区和机电区的外接端口分别连通外接布线。本发明不仅对制作出更高性能NEMS潜力很大，而且大大提高了系统的集成度和生产效率，降低了工业化生产成本，它在各种传感、射频、检测环境微小变化等领域有重要应用。

公开(公告)号：CN1944237A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610113830.0

申请日：2006-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴文刚 ,  韩翔 ,  郝一龙 ,  王阳元

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种加工周期性纳米结构器件的方法。本发明所提供的加工周期性纳米结构器件的方法，包括如下步骤：1)准备并清洗所选用的衬底，在衬底上图形化出结构层；2)选择与所述结构层材料不同的另一种材料，在所述结构层的侧面进行侧墙沉积，各向异性刻蚀后在所述结构层的侧面形成一侧墙；3)以不同的材料重复步骤2)，经过多次沉积、刻蚀，在所述衬底上形成所述周期性纳米结构器件。基于本发明制作的周期性纳米栅、纳米“网格”、纳米柱等，可应用于光学器件、生物医学检测器件、传感器件、电子器件等领域。

公开(公告)号：CN1815735A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510005031.7

申请日：2005-01-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩翔 ,  吴文刚 ,  郝一龙 ,  王阳元

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种FinFET电路与纳机电梁集成的芯片及其制作方法，本发明产品包括一芯片本体，其特征在于：芯片本体上包括机电区和电路区，机电区包括设置在芯片本体上的固定端，单端或双端固定的纳机电梁和机电区电极；电路区包括以FinFET为单元构建的电路系统，FinFET单元中包括源、漏、Fin和栅，栅跨越Fin，电路区和机电区之间通过金属引线连接，金属引线在机电区，连接固定端或机电区电极，金属引线在电路区，连接电路系统中FinFET单元的栅或源或漏，电路区和机电区的外接端口分别连通外接布线。本发明不仅对制作出更高性能NEMS潜力很大，而且大大提高了系统的集成度和生产效率，降低了工业化生产成本，它在各种传感、射频、检测环境微小变化等领域有重要应用。

公开(公告)号：CN100593508C

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200610113830.0

申请日：2006-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴文刚 ,  韩翔 ,  郝一龙 ,  王阳元

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种加工周期性纳米结构器件的方法。本发明所提供的加工周期性纳米结构器件的方法，包括如下步骤：1)准备并清洗所选用的衬底，在衬底上图形化出结构层；2)选择与所述结构层材料不同的另一种材料，在所述结构层的侧面进行侧墙沉积，各向异性刻蚀后在所述结构层的侧面形成一侧墙；3)以不同的材料重复步骤2)，经过多次沉积、刻蚀，在所述衬底上形成所述周期性纳米结构器件。基于本发明制作的周期性纳米栅、纳米“网格”、纳米柱等，可应用于光学器件、生物医学检测器件、传感器件、电子器件等领域。

公开(公告)号：CN1773675A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200410009764.3

申请日：2004-11-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 李轶 ,  郝一龙 ,  吴文刚 ,  韩翔 ,  李志宏 ,  王阳元

IPC: H01L21/02 ,  H01F41/00 ,  H01F17/00

Abstract: 本发明提供了一种射频电感的制备方法，属于电感加工技术领域。该方法包括：首先以绝缘体作为衬底，在衬底上制作金属电极，在硅片上刻出锚点，然后通过该锚点将硅片和衬底键合，硅片和绝缘体键合后，采用感应耦合等离子体刻蚀、释放电感螺线结构，最后对电感施加无电镀铜，降低寄生电阻。本发明以被无电镀金属镀层包裹的单晶硅螺线结构悬空在绝缘衬底上构成电感，结构简单、寄生效应小、且流程成熟、简单、易于控制、电感制造周期较短。