公开(公告)号：CN118900618A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410826451.4

申请日：2024-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 田姣姣 ,  任中阳 ,  田仲政 ,  于达程 ,  夏晨皓 ,  任黎明 ,  刘飞 ,  傅云义

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/20 ,  H10N50/80

Abstract: 本发明公开一种制备柔性自旋阀的方法，属于磁电子学技术领域。本发明利用PI为载体，采用磁性颗粒或反磁性颗粒为掺杂物，并利用激光诱导石墨烯工艺，逐层制备铁磁性、反铁磁性等柔性薄膜从而构建柔性自旋阀器件。本发明由于制备的薄膜均属于柔性材料，其抗弯折能力有明显的提升，采用本发明可以大规模制备自旋阀，为磁性电子器件的制备提供了新思路。

公开(公告)号：CN114283867B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202111600084.9

申请日：2021-12-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 田仲政 ,  于达程 ,  任中阳 ,  田姣姣 ,  李慕禅 ,  于学敏 ,  彭沛 ,  王紫东 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: G11C16/26 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公布了一种提高基于金属隧穿结的存储器耐久性的方法，属于纳米/原子器件领域。本发明利用电流‑焦耳热可以修复隧穿电极尖端损伤、提高强度、增加隧穿结耐久性的原理，在金属隧穿结存储器的正常擦写循环中，插入修复循环，通过控制修复循环的电压波形、限流、时长等因素，减弱电流主导迁移的作用，而增强电流‑焦耳热主导迁移的作用。在修复循环中，金属原子得以充分向隧穿电极尖端迁移，填补电场主导迁移过程中形成的空位，增强隧穿电极尖端的强度，使器件的耐久性提高。

公开(公告)号：CN112259680A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202011078540.3

申请日：2020-10-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 李慕禅 ,  田仲政 ,  于学敏 ,  于达程 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明专利公开了一种非挥发性只读存储器及其制备方法。本发明利用磁性金属薄膜不同各向异性的调控，存储的信息通过磁性金属薄膜的不同磁性各向异性进行存储，该种存储器类似于掩膜式只读存储器，存储的信息在制备过程中就已经确定。本发明中所用到的制备方法完全为常用半导体加工工艺，因此该种磁性存储器件能够与目前的半导体加工工艺相相兼容，具备可集成的特点，并且该种制备方案只受制于光刻尺寸的限制，在尺寸缩小上具有很大潜力。

公开(公告)号：CN109941991A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910327755.5

申请日：2019-04-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭沛 ,  田仲政 ,  李慕禅 ,  王紫东 ,  于学敏 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明提出一种可在绝缘衬底表面制备石墨烯的方法，在材料学、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明设计了一种堆叠的三明治结构，即缓冲层/吸收层-金属箔片－目标衬底，提出利用此结构在化学气相沉积(CVD)过程中使石墨烯生长与转移相继进行，并将金属箔片表面生长的石墨烯直接在高温原位转移至蓝宝石和二氧化硅等绝缘衬底表面。其过程是：石墨烯首先生长在铜片或铜镍合金片表面，随后铜片或铜镍合金片逐渐软化并贴合于缓冲层表面，金属原子可有效的扩散穿过缓冲层到达吸收层，从而与吸收体反应而被消耗掉，而原本生长在铜片或铜镍合金片表面的石墨烯会直接原位“落在”绝缘衬底表面，即实现了在直接在绝缘衬底表面制备石墨烯薄膜的目标。

公开(公告)号：CN105762090B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201610137360.5

申请日：2016-03-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾越辉 ,  彭沛 ,  王紫东 ,  田仲政 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯器件表面气体分子吸附过程的监测方法，该方法主要通过监测石墨烯器件的转移特性，尤其是狄拉克点位置，实时监控器件中石墨烯表面的气体吸附动态过程，即从清洁石墨烯表面至分子饱和吸附的全过程，并可较为精确地测量该过程所需时间。

公开(公告)号：CN105819429A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610136419.9

申请日：2016-03-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾越辉 ,  王紫东 ,  彭沛 ,  龚欣 ,  田仲政 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01P2002/80 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04

Abstract: 本发明公开了一种无褶皱石墨烯的制备方法，该方法利用控制铜金属催化剂的晶体学取向，获得整体或局部为低指数面(如：(001)取向)的铜箔，经化学气相沉积(CVD)生长石墨烯后，可获得表面没有台阶的石墨烯/铜箔样品，去除铜衬底并转移到其它绝缘衬底后获得无褶皱的石墨烯样品。此方法可以得到无褶皱单层石墨烯样品，其面积大小取决于铜箔上低指数晶面的尺寸，此技术为研制石墨烯器件提供高质量的石墨烯薄膜材料。

公开(公告)号：CN105703045A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410708592.2

申请日：2014-11-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦樵风 ,  王紫东 ,  贾越辉 ,  彭沛 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01P1/22

Abstract: 本发明公开了一种微波衰减器，属于微波无源器件技术领域。该微波衰减器包括衬底、电介质层、金属导线、金属地线与薄膜电阻，所述薄膜电阻为单层石墨烯。本发明所提出的微波衰减器结构体积小，易于集成，工作频带宽，既可作为固定衰减器又可作为可变衰减器，也可实现电控或光控可变衰减器。

公开(公告)号：CN105699702A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410709646.7

申请日：2014-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 王锴成 ,  贾越辉 ,  王紫东 ,  彭沛 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: G01Q60/24 ,  G01N21/66

Abstract: 本发明公开了一种基于光谱仪和导电原子力显微镜的石墨烯与金属表面间距测量方法，该方法利用石墨烯-金属结在特定电压下可以在大气环境中发光的现象，以光谱仪配合导电原子力显微镜，实现控制探针移动，测量相应电压，提取到ΔEF的平均值，根据ΔEF和d的对应关系，得到发光点处石墨烯与金属表面间距d，最后得到样品的间距分布图。

公开(公告)号：CN102709155B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201210112738.8

申请日：2012-04-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 周梦杰 ,  李晨 ,  魏芹芹 ,  魏子钧 ,  任黎明 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种金属电感的制备方法，属于无线通讯器件领域。该方法利用石墨烯独特的晶体结构和物理特性，通过在电感线圈的金属上包裹一层石墨烯，提高了线圈的抗电迁移能力以及寿命，减少整体铜互连线因电迁移现象所致的性能退化，避免金属电感在制备及使用过程中被氧化。同时因石墨烯具有优良的热传导性能，缓解了电感线圈因局部温度过高而发生的熔断或者是介质击穿的现象。

公开(公告)号：CN103224232A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310143368.9

申请日：2013-04-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 李晨 ,  郭剑 ,  周梦杰 ,  胡保东 ,  赵华波 ,  魏子钧 ,  任黎明 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯纳米孔洞的制备方法，属于薄膜材料微纳加工领域领域。该方法采用化学气象沉积法(CVD)在金属铜薄膜上制备石墨烯，利用石墨烯表面本征的缺陷结构制备石墨烯纳米孔洞，其孔径大小可为几纳米至数百纳米。该石墨烯纳米孔洞具有精度高、孔洞深度在单原子水平、便于化学修饰、可导电、使用寿命长、成本低廉等诸多优点。本发明将在单分子检测、电化学操控、生物识别等领域具有较大应用。