公开(公告)号：CN111701822A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010580923.4

申请日：2020-06-23

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 魏延宝

IPC: B05D3/06 ,  F04D27/00

Abstract: 本发明实施例公开了一种紫外固化设备中的风机控制方法及紫外固化设备，所述方法包括：获取所述紫外固化设备中紫外固化灯头的目标风压值，检测当前所述紫外固化灯头内的第一风压值；基于所述目标风压值和所述第一风压值，根据预设闭环控制算法，确定所述紫外固化灯头的对应的风机的控制频率；基于所述控制频率，控制所述风机向所述紫外固化灯头内送风，通过本方法，可以使所述紫外固化灯头内的风压保持稳定。

公开(公告)号：CN110289226A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201810226568.3

申请日：2018-03-19

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 白志民 ,  李强 ,  邓斌 ,  彭文芳 ,  魏延宝 ,  王伟 ,  王厚工 ,  丁培军

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。所述工艺腔室包括腔室本体和LED灯源，LED灯源用于朝向腔室本体内的待处理工件发出光线，所述LED灯源包括灯罩和在所述灯罩内设置的至少一个LED芯片，每个所述LED芯片均能够发出预定波长的光线。本发明的工艺腔室，采用至少一个LED芯片作为发光单元，可以使得LED芯片在灯罩内灵活排布，其次，LED芯片的发光效率较高、发热量小、寿命较高，因此维护成本较低。此外，当待处理工件为待处理介质层时，合理选用所需要的预定波长，可以提高对Low-k材料中C-SI，C-H，H-O等键的裂解作用，从而形成SI-O-SI键，可以有效降低介电常数K值，并且可以有效增加Low-k的机械强度。

公开(公告)号：CN114078685B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202111362116.6

申请日：2021-11-17

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 魏延宝 ,  苏振宁 ,  朱旭

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  B08B7/00 ,  B08B13/00

Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，具有工艺腔，工艺腔包括用于生成等离子体的发生腔和用于处理晶圆的加工腔；过滤结构及直流电源，过滤结构包括第一过滤部，第一过滤部设置在发生腔与加工腔之间，且具有用于连通发生腔和加工腔的多个第一通孔，第一过滤部由导电材料制成，直流电源与第一过滤部电连接，且通过直流电源向第一过滤部上施加负电压，当等离子体经过第一过滤部时，通过多个第一通孔对等离子体进行过滤，且在负电压的作用下等离子体中的至少部分离子发生复合，以降低过滤后进入加工腔的等离子体中的离子数目。上述发明能够在降低进入加工腔的离子数目的同时尽量减少对进入加工腔的自由基数目的影响。

公开(公告)号：CN113308681B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110560026.1

申请日：2021-05-21

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 朱旭 ,  姚明可 ,  朱海云 ,  马振国 ,  魏延宝

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/44 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备中的承载装置和半导体工艺设备，该装置包括基座和环绕在基座周围的边缘环，基座主体的外周面与边缘环的内周面相对且相互间隔，形成第一环状气道，基座主体承载有晶圆时，边缘环的上表面和晶圆的下表面相对且互相间隔，形成第二环状气道；第一环状气道与第二环状气道相连通，且在第一台阶部中设置有进气气道，进气气道的出气端与第一环状气道相连通；第一环状气道在基座的径向上的第一宽度以及第二环状气道在基座的轴向上的第二宽度均小于等于半导体工艺设备执行预设工艺时产生的等离子体鞘层的厚度的两倍。本发明的技术方案，既能保证位于晶圆边缘部分下方的气道通畅，又能抑制晶圆背面在该气道中发生放电或打火。

公开(公告)号：CN110527968A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910917468.X

申请日：2019-09-26

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 魏延宝

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  G01B7/00

Abstract: 本发明提供一种遮挡盘检测装置、磁控溅射腔室及遮挡盘检测方法，该遮挡盘检测装置设于磁控溅射腔室内，用于对遮挡盘的位置是否偏移进行检测，包括检测部、多个检测件、驱动器、检测单元，其中，检测部是绝缘的，设于导电的遮挡盘的表面上；驱动器用于驱动多个检测件在检测位置和工艺位置之间移动；多个检测件是导电的，设置为在处于检测位置且遮挡盘的位置未偏移时，同时与检测部接触；检测单元与多个检测件电连接，用于在多个检测件处于检测位置时，检测任意两个检测件之间是否导通，若是，确定遮挡盘发生偏移，若否，确定遮挡盘未偏移。应用本发明，可以准确判断遮挡盘是否发生偏移。

公开(公告)号：CN109671637A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811327524.6

申请日：2018-11-08

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 魏延宝

IPC: H01L21/66

Abstract: 本申请提供了一种晶圆检测装置和方法，所述检测装置应用于腔室内，包括：传感器组件和判断模块；多个所述传感器组件，设置在所述腔室的顶部，并且多个所述传感器组件沿圆周方向同心定位，用于获取待检测晶圆在所述圆周的不同检测区域的径向位置信息；所述判断模块，用于根据所述径向位置信息及预设标准径向位置信息，判断所述待检测晶圆是否发生偏移，以解决目前晶圆发生偏移，影响后续的工艺流程的问题。

公开(公告)号：CN222233577U

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202420016871.1

申请日：2024-01-03

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 翟浩 ,  任晓艳 ,  张璐 ,  魏延宝 ,  王歆銘

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  H01J37/32

Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，其中，所述半导体工艺腔室包括：腔室外壁，半导体工艺腔室设有等离子放电腔；腔室外壁围设于等离子放电腔外，腔室外壁设有第一穿孔，第一穿孔内设有封堵第一穿孔的第一导光柱，第一导光柱用于透射出等离子放电腔内的光线，第一导光柱的背离半导体工艺腔室的一侧设有聚光透镜。该半导体工艺腔室能够基于等离子放电腔的辉光确定起辉状态。