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公开(公告)号：CN115692147A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110842560.1
申请日：2021-07-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 苏振宁
Abstract: 本发明公开一种半导体预清洗腔室及半导体工艺设备，所公开的半导体预清洗腔室用于半导体工艺设备中，去除晶圆表面的杂质，半导体预清洗腔室包括腔室本体、等离子体发生装置和承载座；腔室本体的内部形成有反应腔，等离子体发生装置用以将反应腔内通入的反应气体激发成等离子体；承载座可移动的设置于反应腔内，其中，承载座包括电极板，电极板朝向等离子体的一侧覆盖有保护层，保护层为绝缘性质的介质材料，保护层用于和晶圆接触；电极板在反应腔的底面上的投影面积和反应腔的底面面积相当；电极板通过匹配器与射频源电连接，以向反应腔内馈入射频偏压。上述方案能够解决晶圆的良品率较低的问题。
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公开(公告)号：CN107256822A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710623176.6
申请日：2017-07-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种上电极组件及反应腔室，其包括线圈，在该线圈上设置有功率馈入点，该功率馈入点位于线圈的除端点之外的位置处，且线圈的端点接地，以将线圈自功率馈入点形成相互并联的多个线圈分部。本发明提供的反应腔室，其可以减小线圈上存在的电位分布差异，从而可以提高等离子体的分布均匀性，进而可以提高工艺均匀性。
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公开(公告)号：CN117894662A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410057986.X
申请日：2024-01-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括腔室本体，以及设置于所述腔室本体内的上电极组件和下电极组件，所述上电极组件和所述下电极组件之间形成工艺区；所述工艺腔室还包括：设置于所述上电极组件上方的磁性组件，所述磁性组件用于束缚所述工艺区内位于所述上电极组件附近的等离子体。本申请的磁性组件在上电极组件的下表面产生的磁场，形成磁致不对称效应，一方面可以增大上电极组件下表面附近的等离子体密度，从而改变两电极间CCP放电的对称性，减小下电极组件附近等离子体对晶圆的轰击能量，另一方面可以同时增强上电极组件下表面的等离子体轰击，将上电极组件下表面沉积的薄膜清除掉，从而延长工艺腔室的PM周期。
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公开(公告)号：CN117894662B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410057986.X
申请日：2024-01-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括腔室本体，以及设置于所述腔室本体内的上电极组件和下电极组件，所述上电极组件和所述下电极组件之间形成工艺区；所述工艺腔室还包括：设置于所述上电极组件上方的磁性组件，所述磁性组件用于束缚所述工艺区内位于所述上电极组件附近的等离子体。本申请的磁性组件在上电极组件的下表面产生的磁场，形成磁致不对称效应，一方面可以增大上电极组件下表面附近的等离子体密度，从而改变两电极间CCP放电的对称性，减小下电极组件附近等离子体对晶圆的轰击能量，另一方面可以同时增强上电极组件下表面的等离子体轰击，将上电极组件下表面沉积的薄膜清除掉，从而延长工艺腔室的PM周期。
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公开(公告)号：CN110828274B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201810909820.0
申请日：2018-08-10
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 苏振宁
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种下电极装置及反应腔室，包括电极板，电极板包括多个子极板，通过向多个子极板加载不同的偏压功率，以调整与多个子极板对应的衬底的多个区域的刻蚀均匀性。本发明提供的下电极装置在满足刻蚀均匀性要求的同时，还能够适用于不同的工艺需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107256822B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710623176.6
申请日：2017-07-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种上电极组件及反应腔室，其包括线圈，在该线圈上设置有功率馈入点，该功率馈入点位于线圈的除端点之外的位置处，且线圈的端点接地，以将线圈自功率馈入点形成相互并联的多个线圈分部。本发明提供的反应腔室，其可以减小线圈上存在的电位分布差异，从而可以提高等离子体的分布均匀性，进而可以提高工艺均匀性。
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公开(公告)号：CN114078685A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202111362116.6
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，具有工艺腔，工艺腔包括用于生成等离子体的发生腔和用于处理晶圆的加工腔；过滤结构及直流电源，过滤结构包括第一过滤部，第一过滤部设置在发生腔与加工腔之间，且具有用于连通发生腔和加工腔的多个第一通孔，第一过滤部由导电材料制成，直流电源与第一过滤部电连接，且通过直流电源向第一过滤部上施加负电压，当等离子体经过第一过滤部时，通过多个第一通孔对等离子体进行过滤，且在负电压的作用下等离子体中的至少部分离子发生复合，以降低过滤后进入加工腔的等离子体中的离子数目。上述发明能够在降低进入加工腔的离子数目的同时尽量减少对进入加工腔的自由基数目的影响。
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公开(公告)号：CN110828274A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810909820.0
申请日：2018-08-10
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 苏振宁
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种下电极装置及反应腔室，包括电极板，电极板包括多个子极板，通过向多个子极板加载不同的偏压功率，以调整与多个子极板对应的衬底的多个区域的刻蚀均匀性。本发明提供的下电极装置在满足刻蚀均匀性要求的同时，还能够适用于不同的工艺需求。
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公开(公告)号：CN107301943A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710623037.3
申请日：2017-07-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32431 , H01J37/32651 , H01J37/32798
Abstract: 本发明提供一种法拉第屏蔽件及反应腔室，其包括导电环体，在该导电环体上形成有开缝，该开缝包括第一子开缝，该第一子开缝沿导电环体的圆周方向设置，且与导电环体的轴线之间形成夹角，用以通过增加电磁场在导电环体的圆周方向上的电场分量的耦合效率，来增加该电磁场的总耦合效率。本发明提供的法拉第屏蔽件，其可以提高磁场耦合效率，从而可以降低需要向射频线圈加载的射频功率。
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公开(公告)号：CN114078685B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111362116.6
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，具有工艺腔，工艺腔包括用于生成等离子体的发生腔和用于处理晶圆的加工腔；过滤结构及直流电源，过滤结构包括第一过滤部，第一过滤部设置在发生腔与加工腔之间，且具有用于连通发生腔和加工腔的多个第一通孔，第一过滤部由导电材料制成，直流电源与第一过滤部电连接，且通过直流电源向第一过滤部上施加负电压，当等离子体经过第一过滤部时，通过多个第一通孔对等离子体进行过滤，且在负电压的作用下等离子体中的至少部分离子发生复合，以降低过滤后进入加工腔的等离子体中的离子数目。上述发明能够在降低进入加工腔的离子数目的同时尽量减少对进入加工腔的自由基数目的影响。
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