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公开(公告)号：CN118737783A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310316171.4
申请日：2023-03-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 朱旭
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体工艺设备。包括与射频电极连接的低通电路，且所述低通电路接地，通过所述低通电路的直流通过特性和交流截止特性，将所述射频电极上聚集的电荷导走，使得所述射频电极无法形成直流自偏压，提高了等离子体电位，增大了地电极的鞘层电压，增加了地电极附近等离子体的密度和能量，提高了等离子体工艺的效率；消除了电极的材料和有效面积在工艺过程中的变化，等离子体电位不再受此影响波动，电极鞘层电压稳定性提高，等离子体工艺稳定性和重复性提高。
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公开(公告)号：CN117966128A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311827282.8
申请日：2023-12-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请公开一种衬体组件，应用于工艺腔室，所述衬体组件(30)包括环状的抽气顶衬(31)、环状的抽气底衬(32)和驱动件(33)，其中：所述抽气顶衬(31)的一部分位于所述抽气底衬(32)的上方，所述抽气顶衬(31)的另一部分与所述抽气底衬(32)嵌套连接；所述驱动件(33)与所述抽气顶衬(31)相连，所述驱动件(33)用于驱动所述抽气顶衬(31)相对于所述抽气底衬(32)升降。此方案能解决相关技术涉及的工艺腔室在调节放电间距时会同步调节抽气狭缝，及由此引起的异常放电或打火的问题。本申请公开一种工艺腔室及半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN117966128B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202311827282.8
申请日：2023-12-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请公开一种衬体组件，应用于工艺腔室，所述衬体组件(30)包括环状的抽气顶衬(31)、环状的抽气底衬(32)和驱动件(33)，其中：所述抽气顶衬(31)的一部分位于所述抽气底衬(32)的上方，所述抽气顶衬(31)的另一部分与所述抽气底衬(32)嵌套连接；所述驱动件(33)与所述抽气顶衬(31)相连，所述驱动件(33)用于驱动所述抽气顶衬(31)相对于所述抽气底衬(32)升降。此方案能解决相关技术涉及的工艺腔室在调节放电间距时会同步调节抽气狭缝，及由此引起的异常放电或打火的问题。本申请公开一种工艺腔室及半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN114078685B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111362116.6
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，具有工艺腔，工艺腔包括用于生成等离子体的发生腔和用于处理晶圆的加工腔；过滤结构及直流电源，过滤结构包括第一过滤部，第一过滤部设置在发生腔与加工腔之间，且具有用于连通发生腔和加工腔的多个第一通孔，第一过滤部由导电材料制成，直流电源与第一过滤部电连接，且通过直流电源向第一过滤部上施加负电压，当等离子体经过第一过滤部时，通过多个第一通孔对等离子体进行过滤，且在负电压的作用下等离子体中的至少部分离子发生复合，以降低过滤后进入加工腔的等离子体中的离子数目。上述发明能够在降低进入加工腔的离子数目的同时尽量减少对进入加工腔的自由基数目的影响。
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公开(公告)号：CN117026209A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310934853.1
申请日：2023-07-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种气体分配装置和原子沉积设备，涉及硅片加工技术领域，为解决原子层沉积过程中气流不均匀的问题而设计。气体分配装置应用于半导体设备；半导体设备包括顶部设置有盖板的反应腔体，盖板具有与反应腔体连通的进气口；气体分配装置位于盖板下方，盖板面向匀气装置的一侧具有凹陷部；气体分配装置包括分气板和扩散板；分气板位于凹陷部的下方，与凹陷部构成匀气腔，且具有多个分气孔；扩散板位于分气板和盖板之间并将匀气腔隔成第一、第二子匀气腔；扩散板具有贯穿扩散板的板厚的多个扩散孔，第一、第二子匀气腔通过扩散孔连通；进气口依次通过第一、第二子匀气腔与反应腔体连通本发明提供的气体分配装置可以提高了气流的均匀性。
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公开(公告)号：CN113337810B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110578246.7
申请日：2021-05-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/44
Abstract: 本发明实施例提供一种内衬装置及半导体加工设备，该内衬装置包括内衬组件和排气通道结构，排气通道结构的进气口与工艺腔室的内部连通；排气通道结构的出气口与工艺腔室的排气口连通；内衬组件包括沿工艺腔室的径向由中心向边缘依次嵌套的第一金属衬环、绝缘衬环和第二金属衬环；其中，排气通道结构的进气口位于第一金属衬环的内周壁上；第一金属衬环的轴向长度被设置为能够覆盖绝缘衬环的内周壁位于指定高度位置以上的区域，以防止薄膜沉积在绝缘衬环的内周壁上。本发明实施例提供的内衬装置及半导体加工设备，可以在实现工艺腔室内部气体排出的前提下，避免薄膜沉积在绝缘衬环的内周壁上，从而可以提高工艺结果的一致性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113308681B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110560026.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/44 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备中的承载装置和半导体工艺设备，该装置包括基座和环绕在基座周围的边缘环，基座主体的外周面与边缘环的内周面相对且相互间隔，形成第一环状气道，基座主体承载有晶圆时，边缘环的上表面和晶圆的下表面相对且互相间隔，形成第二环状气道；第一环状气道与第二环状气道相连通，且在第一台阶部中设置有进气气道，进气气道的出气端与第一环状气道相连通；第一环状气道在基座的径向上的第一宽度以及第二环状气道在基座的轴向上的第二宽度均小于等于半导体工艺设备执行预设工艺时产生的等离子体鞘层的厚度的两倍。本发明的技术方案，既能保证位于晶圆边缘部分下方的气道通畅，又能抑制晶圆背面在该气道中发生放电或打火。
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公开(公告)号：CN118668193A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310274394.9
申请日：2023-03-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , H01J37/32 , G01B11/14 , G01B15/00
Abstract: 本申请公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及承载装置的调节方法，涉及半导体领域。一种工艺腔室包括腔体、承载装置、第一测距装置、第二测距装置和控制装置；腔体顶部设有进气端面，承载装置通过升降机构驱动可升降地设于腔体内，承载装置设有第一通孔和盲孔，盲孔的孔底与承载面相距预设距离；第一测距装置和第二测距装置分别设于腔体，并位于承载装置背离进气端面的一侧，且两者的测距端共面；第一测距装置与第一通孔相对，测量第一平面与进气端面之间的第一距离，第二测距装置测量第一平面与盲孔的孔底间的第二距离；控制装置根据第一距离、第二距离和预设距离得到承载面与进气端面之间的实际距离。本申请至少解决反应间隔存在误差等问题。
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公开(公告)号：CN114078685A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202111362116.6
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，具有工艺腔，工艺腔包括用于生成等离子体的发生腔和用于处理晶圆的加工腔；过滤结构及直流电源，过滤结构包括第一过滤部，第一过滤部设置在发生腔与加工腔之间，且具有用于连通发生腔和加工腔的多个第一通孔，第一过滤部由导电材料制成，直流电源与第一过滤部电连接，且通过直流电源向第一过滤部上施加负电压，当等离子体经过第一过滤部时，通过多个第一通孔对等离子体进行过滤，且在负电压的作用下等离子体中的至少部分离子发生复合，以降低过滤后进入加工腔的等离子体中的离子数目。上述发明能够在降低进入加工腔的离子数目的同时尽量减少对进入加工腔的自由基数目的影响。
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公开(公告)号：CN112738968A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011508629.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种等离子体生成装置和半导体工艺设备。该装置包括：反应腔室，其具有进气口和出气口；反应腔室包括等离子体生成结构，等离子体生成结构包括：第一电极部和第二电极部，第一电极部中设置有第一输气通道，第二电极部中设置有第二输气通道，第一输气通道与反应腔室的进气口和第二输气通道连通，第二输气通道与反应腔室的出气口连通；第一电极部和第二电极部用于在两个直流电源端之间的电压的控制下，在第一输气通道中以及第一电极部与第二电极部之间的间隔区域中进行放电，以将第一输气通道中以及间隔区域中的反应气体激发成等离子体。本发明实施例的等离子体生成装置可以采用直流电源驱动，无需设置匹配网络，结构简单，成本低廉。
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