公开(公告)号：CN113337810A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110578246.7

申请日：2021-05-26

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 姚明可 ,  朱海云 ,  朱旭 ,  马振国

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明实施例提供一种内衬装置及半导体加工设备，该内衬装置包括内衬组件和排气通道结构，排气通道结构的进气口与工艺腔室的内部连通；排气通道结构的出气口与工艺腔室的排气口连通；内衬组件包括沿工艺腔室的径向由中心向边缘依次嵌套的第一金属衬环、绝缘衬环和第二金属衬环；其中，排气通道结构的进气口位于第一金属衬环的内周壁上；第一金属衬环的轴向长度被设置为能够覆盖绝缘衬环的内周壁位于指定高度位置以上的区域，以防止薄膜沉积在绝缘衬环的内周壁上。本发明实施例提供的内衬装置及半导体加工设备，可以在实现工艺腔室内部气体排出的前提下，避免薄膜沉积在绝缘衬环的内周壁上，从而可以提高工艺结果的一致性和稳定性。

公开(公告)号：CN113308681A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110560026.1

申请日：2021-05-21

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 朱旭 ,  姚明可 ,  朱海云 ,  马振国 ,  魏延宝

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/44 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备中的承载装置和半导体工艺设备，该装置包括基座和环绕在基座周围的边缘环，基座主体的外周面与边缘环的内周面相对且相互间隔，形成第一环状气道，基座主体承载有晶圆时，边缘环的上表面和晶圆的下表面相对且互相间隔，形成第二环状气道；第一环状气道与第二环状气道相连通，且在第一台阶部中设置有进气气道，进气气道的出气端与第一环状气道相连通；第一环状气道在基座的径向上的第一宽度以及第二环状气道在基座的轴向上的第二宽度均小于等于半导体工艺设备执行预设工艺时产生的等离子体鞘层的厚度的两倍。本发明的技术方案，既能保证位于晶圆边缘部分下方的气道通畅，又能抑制晶圆背面在该气道中发生放电或打火。

公开(公告)号：CN113337810B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110578246.7

申请日：2021-05-26

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 姚明可 ,  朱海云 ,  朱旭 ,  马振国

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明实施例提供一种内衬装置及半导体加工设备，该内衬装置包括内衬组件和排气通道结构，排气通道结构的进气口与工艺腔室的内部连通；排气通道结构的出气口与工艺腔室的排气口连通；内衬组件包括沿工艺腔室的径向由中心向边缘依次嵌套的第一金属衬环、绝缘衬环和第二金属衬环；其中，排气通道结构的进气口位于第一金属衬环的内周壁上；第一金属衬环的轴向长度被设置为能够覆盖绝缘衬环的内周壁位于指定高度位置以上的区域，以防止薄膜沉积在绝缘衬环的内周壁上。本发明实施例提供的内衬装置及半导体加工设备，可以在实现工艺腔室内部气体排出的前提下，避免薄膜沉积在绝缘衬环的内周壁上，从而可以提高工艺结果的一致性和稳定性。

公开(公告)号：CN113308681B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110560026.1

申请日：2021-05-21

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 朱旭 ,  姚明可 ,  朱海云 ,  马振国 ,  魏延宝

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/44 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备中的承载装置和半导体工艺设备，该装置包括基座和环绕在基座周围的边缘环，基座主体的外周面与边缘环的内周面相对且相互间隔，形成第一环状气道，基座主体承载有晶圆时，边缘环的上表面和晶圆的下表面相对且互相间隔，形成第二环状气道；第一环状气道与第二环状气道相连通，且在第一台阶部中设置有进气气道，进气气道的出气端与第一环状气道相连通；第一环状气道在基座的径向上的第一宽度以及第二环状气道在基座的轴向上的第二宽度均小于等于半导体工艺设备执行预设工艺时产生的等离子体鞘层的厚度的两倍。本发明的技术方案，既能保证位于晶圆边缘部分下方的气道通畅，又能抑制晶圆背面在该气道中发生放电或打火。

公开(公告)号：CN218730853U

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202222651140.8

申请日：2022-10-09

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 范天庆 ,  姚明可

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请涉及承载装置和半导体腔室。该承载装置用于半导体腔室中承载晶圆，包括基座本体、多个顶针和至少两个支撑片：基座本体上设置有与多个顶针对应配合的多个顶针限位孔；顶针设置于顶针限位孔中，基座本体相对顶针间能进行升降运动；以取放晶圆的方向为轴，至少两个支撑片设置于轴两侧，并由多个顶针支撑，当基座本体相对顶针上升至多个顶针均容置于顶针限位孔中时，至少两个支撑片的上表面均与基座本体的上表面处于同一平面。本申请中支撑片与晶圆的接触面积远远大于现有技术中顶针与晶圆的接触面积，因此，在基座与晶圆分离时能使晶圆受力更为均匀，可显著减少碎片现象。