公开(公告)号：CN101194053A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200680020842.7

申请日：2006-08-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  藤原伸介 ,  冈久拓司 ,  弘田龙 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10

Abstract: 利用HVPE制造GaN晶体的常规方法看起来具有通过在高于1100℃的温度下制造GaN晶体提高GaN晶体结晶度的可能性。然而，这种常规方法具有石英反应管(1)在由加热器(5)和(6)加热到高于1100℃的温度时熔融的问题。这里公开了一种制造GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，该方法通过在石英反应管(1)中，由包含氨气和卤化镓气体与卤化铟气体的至少一种的材料气体的反应，在基衬底(7)的表面上生长GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)来制造GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体，其中在GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)生长期间，外部地加热石英反应管(1)并且单独地加热基衬底(7)。

公开(公告)号：CN100376727C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200510004041.9

申请日：2005-01-10

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史郎 ,  弘田龙

IPC: C30B29/40

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B29/406

Abstract: 提供一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中使氮等离子体(8a)与含有III族元素和碱金属的熔体(7)接触以生长III族氮化物晶体。此外，也提供另一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中III族氮化物晶体在放置在含有III族元素和碱金属的熔体(7)中的基质(10)上生长，而且所述熔体(7)表面与所述基质(10)表面之间的最小距离设置为至多50mm。

公开(公告)号：CN101063225A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610105562.8

申请日：2002-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  上松康二

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40

Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。

公开(公告)号：CN1957117A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580016039.1

申请日：2005-03-30

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史朗 ,  中畑成二 ,  弘田龙

IPC: C30B29/38 ,  C30B11/06 ,  H01L21/208 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B11/00 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/32341

Abstract: 提供一种制造III族氮化物半导体晶体的方法，包括下列步骤：在反应器(1)中容纳至少含有III族金属元素和碱金属元素的合金(11)；向所述反应器(1)中导入含氮物质(14)；在其中所述合金(11)熔融的合金熔融液(13)中溶解含氮物质(14)；和生长III族氮化物半导体晶体(15)。由此可以提供吸收系数小的III族氮化物半导体晶体(15)，其高效制造方法，以及发光强度高的III族氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN1670916A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510005741.X

申请日：2005-01-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 弘田龙 ,  中畑成二 ,  上野昌纪

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B7/10 ,  C30B19/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625

Abstract: 提供了一种具有低的位错密度、制造便宜的第III族氮化物晶体衬底、制造这种衬底的方法，及结合所述第III族氮化物晶体衬底的第III族氮化物半导体器件。所述第III族氮化物晶体衬底的制造方法包括：将第一种第III族氮化物晶体(2)通过液相取向附生生长到基础衬底(1)上面的步骤；和将第二种第III族氮化物晶体(3)通过气相取向附生生长到所述第一种第III族氮化物晶体(2)上面的步骤。由这种制造方法制造的第III族氮化物晶体衬底的位错密度为1×107位错/cm2。

公开(公告)号：CN110042471A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910130397.9

申请日：2015-04-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  弘田龙 ,  中畑成二

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/04 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/20 ,  H01L21/329 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种氮化镓衬底。所述氮化镓衬底用C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带端发射强度的平均值，所述第一区域的带端发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带端发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。

公开(公告)号：CN102315103B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201110308166.6

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN1992168B8

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN101071794B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200710102802.3

申请日：2004-04-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02642 ,  H01S5/323 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12681

Abstract: 一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量III-V族晶体的方法，该方法成本低而且容易简单。一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上(1)沉积金属膜(2)的步骤；在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜(2)的步骤；以及在热处理后的金属膜上生长III-V族晶体(4)的步骤。另外一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在热处理后的金属膜上生长III-V族化合物缓冲膜的步骤；在III-V族化合物缓冲膜上生长III-V族晶体的步骤。

公开(公告)号：CN101393851A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810173810.1

申请日：2002-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  弘田龙 ,  冈久拓司 ,  中畑成二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/18 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供一种单晶氮化镓基板和单晶氮化镓长晶方法，单晶氮化镓基板具有表面、背面和厚度，具有晶体缺陷集合区H、低缺陷单晶区Z和C面生长区Y，具有HZYZ构造；所述晶体缺陷集合区H直线状伸展，贯通表背面，有宽，在宽度方向两侧具有交界线K、K，让变位集合在内部；所述低缺陷单晶区Z直线状伸展，贯通表背面，通过交界线K与晶体缺陷集合区H相接，有宽，变位密度比晶体缺陷集合区H低；所述C面生长区Y位于低缺陷单晶区Z的大致中央，直线状伸展，贯通表背面，有宽，变位密度比晶体缺陷集合区H低，电阻率比低缺陷单晶区Z低高，C面生长区Y的宽度并非一定而具有随机偏差，在厚度方向以及与面平行的方向上歪歪扭扭。