公开(公告)号：CN1664179A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510004041.9

申请日：2005-01-10

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史郎 ,  弘田龙

IPC: C30B29/40

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B29/406

Abstract: 提供一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中使氮等离子体(8a)与含有III族元素和碱金属的熔体(7)接触以生长III族氮化物晶体。此外，也提供另一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中III族氮化物晶体在放置在含有III族元素和碱金属的熔体(7)中的基质(10)上生长，而且所述熔体(7)表面与所述基质(10)表面之间的最小距离设置为至多50mm。

公开(公告)号：CN100376727C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200510004041.9

申请日：2005-01-10

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史郎 ,  弘田龙

IPC: C30B29/40

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B29/406

Abstract: 提供一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中使氮等离子体(8a)与含有III族元素和碱金属的熔体(7)接触以生长III族氮化物晶体。此外，也提供另一种生产III族氮化物晶体的方法，在该方法中III族氮化物晶体在放置在含有III族元素和碱金属的熔体(7)中的基质(10)上生长，而且所述熔体(7)表面与所述基质(10)表面之间的最小距离设置为至多50mm。